simulation de transfert conjugue de chaleur et de masse avec cristallisation andrei ja....

Post on 03-Apr-2015

104 Views

Category:

Documents

0 Downloads

Preview:

Click to see full reader

TRANSCRIPT

SIMULATION

DE TRANSFERT CONJUGUE

DE CHALEUR ET DE MASSE

AVEC CRISTALLISATION

Andrei Ja. GORBATCHEVSKI

l’Université d’Etat à Moscou

TRANSFERT DE CHALEUR ET DE MASSE

11

1

1

12

1

21

11

112

21

1

211

1

1 vfx

v

Rex

p

x

v

xx

vx

xx

1

Re

1

x

vv

x

vx

x

1

t

v1

222

22

2

21

21

112

22

1

211

1

2 vfRe

Gr

x

p

x

v

xx

vx

xx

1

Re

1

x

v

x

vvx

x

1

t

v

1 1 2

11 2 1 1 2 21 1

1 1 1

RePr

p pp

T

x c T v C Tvc T T Tx Q

t x x x x x xx x

1 1 2

11 2 1 1 2 21 1

1 1 1

Re i

i ii i iC

x v C C vC C Cx d d q

t x x Sc x x x xx x

où t – temps, x1,x2 – coordonnées, v1,v2 – composantes de vitesse, et – viscosité

dynamique et conductivité thermique, p – pression, Re, Pr, Gr - nombres adimensionnés de Reynolds, de Prandtl et de Grashof

1 2

1 2

0v v

x x

CRISTALLISATION ,

G Gp

t L L L

1n

G C C

G p G L 1m

impC C A

0 0expL LC C v RT L L

RTEEXP j0jj 0j j jEXP E RT

Équation Focker - Planck

Vitesse de croissance des cristaux

La condition sur la frontière de gauche dépend de l’intensité de nucléation :

où et m – constante de vitesse et ordre de la réaction de nucléation homogène, A imp-

nombre de centres de nucléation sur impuretés, C - dissolubilité des cristaux.

La dissolubilité d’un cristal de taille L est donnée par

Fonction de distribution de taille des cristaux L

NLxxx

,,, 321

CHIMIE DES REACTIONS HOMOGÈNES

exp /i i i i ia C A C RT

1 1 1 2 2 3,x t k C C k C

2 1 1 2 2 3, 1x t k C C k C

23 1 2

0

, 4 , ,kx t x L t L GdL

où i et Ai – les paramètres du composant « i » en solution.

Réactions chimiques

TRANSFERT DE CHALEUR ET DE MASSE DANS UN MILIEU POREUX

G Gp

t L L L

xtx

CD

xt

C ii

i ,

23 1 2

0

, 4 , ,kx t x L t L GdL

dLLkDD gmb

0

200 ,

0.00 0.25 0.50 0.75 1.000.00

0.25

0.50

0.75

1.00

t=0.5 t=5 t=10 t=15 t=16 t=17 t=18 t=19 t=20

X

0.00 0.25 0.50 0.75 1.000.00

0.25

0.50

0.75

1.00 t=0.5 t=5 t=10 t=15 t=16 t=17 t=18 t=19 t=20

C1

X

0.00 0.25 0.50 0.75 1.000

3

6

9

t=0.5 t=5 t=10 t=15 t=16 t=17 t=18 t=19 t=20

M

X

0.00 0.25 0.50 0.75 1.000.00

0.25

0.50

0.75

1.00 t=0.5 t=5 t=10 t=15 t=16 t=17 t=18 t=19 t=20C

3

X

Concentration С1 selon X. Concentration С3

Masse de phase solide Porosité

Diffusion en contresens des réactifs D1=D2, T1=T2.

0.00 0.25 0.50 0.75 1.000.0

0.5

1.0

1.5 t=5 t=50 t=100 t=150 t=160 t=170 t=180 t=190 t=200

M

X

0.00 0.25 0.50 0.75 1.00

0.85

0.90

0.95

1.00

t=5 t=50 t=100 t=150 t=160 t=170 t=180 t=190 t=200

X

Coefficients de diffusion D2=0.2D1 , T1=T2

Masse de phase solide Porosité

0.00 0.25 0.50 0.75 1.00

0.0025

0.0030

0.0035

0.0040

0.0045 t=0.5 t=5 t=10 t=15 t=16 t=17 t=18 t=19 t=20 1

X

0.00 0.25 0.50 0.75 1.00

0.4

0.6

0.8

1.0

t=0.5 t=5 t=10 t=15 t=16 t=17 t=18 t=19 t=20

X

0.00 0.25 0.50 0.75 1.000.00

0.25

0.50

0.75

1.00 t=0.5 t=5 t=10 t=15 t=16 t=17 t=18 t=19 t=20

C1

X

0.00 0.25 0.50 0.75 1.000.00

0.25

0.50

0.75

1.00 t=0.5 t=5 t=10 t=15 t=16 t=17 t=18 t=19 t=20C

3

X

Gradient de température Т(0)=1, Т(1) =0.2

Concentration С1Concentration С3

Constante de vitesse 1 Porosité

0.0

0.5

1.0

0

2

4

0.000

0.003

0.006

0.009

0.012

0.015

X

L

Fonction de distribution de taille des particules (L,x)

constante de vitesse de la réaction de nucléation homogène = 0.4

0.00 0.25 0.50 0.75 1.000.00

0.25

0.50

0.75

1.00 t=0.49999 t=4.9999 t=9.9998 t=14.9997 t=15.9997 t=16.9997 t=17.9996 t=18.9996 t=19.9996

C1

X

0.00 0.25 0.50 0.75 1.000.00

0.25

0.50

0.75

1.00 t=0.49999 t=4.9999 t=9.9998 t=14.9997 t=15.9997 t=16.9997 t=17.9996 t=18.9996 t=19.9996

C2

X

0.00 0.25 0.50 0.75 1.000.00

0.25

0.50

0.75

1.00

t=0.49999 t=4.9999 t=9.9998 t=14.9997 t=15.9997 t=16.9997 t=17.9996 t=18.9996 t=19.9996

C3

X0.00 0.25 0.50 0.75 1.00

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

t=0.49999 t=4.9999 t=9.9998 t=14.9997 t=15.9997 t=16.9997 t=17.9996 t=18.9996 t=19.9996

X

0.00 0.25 0.50 0.75 1.000

2

4

6

8

t=0.49999 t=4.9999 t=9.9998 t=14.9997 t=15.9997 t=16.9997 t=17.9996 t=18.9996 t=19.9996

M

X

Concentration С1 Concentration С2

PorositéMasséConcentration С3

0.00 0.25 0.50 0.75 1.00

0.00

0.25

0.50

0.75

1.00

32 4 - 91

C1

X

0.00 0.25 0.50 0.75 1.000.00

0.25

0.50

0.75

1.00

4 - 9

32

1

C2

X

0.00 0.25 0.50 0.75 1.000.6

0.7

0.8

0.9

1.0

9

8

7

6

5

4321

X

0.00 0.25 0.50 0.75 1.000

1

2

3

4

98

7

6

5

43

2

1

M

X

0.00 0.25 0.50 0.75 1.00

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

98

76

5

4

3

2

1

X

0.00 0.25 0.50 0.75 1.000

2

4

6

8 9

8

7

6

5

4

3

2

1M

X

D2=0.2D1

Massé et Porosité

Massé et Porosité

Concentration С1 et C2

0.00 0.25 0.50 0.75 1.000.00

0.25

0.50

0.75

1.0032

9

8

76541

C1

X

1 t = 0.01125, 2 t = 0.1125, 3 t = 0.225, 4 t = 0.3375, 5 t = 0.36, 6 t = 0.3825, 7 t = 0.405, 8 t = 0.4275, 9 t = 0.45.

0.00 0.25 0.50 0.75 1.000.00

0.05

0.10

0.15

0.20

4 - 9

3

2

1

C2

X

Concentration С1 et C2

= 0.3D2=0.2D1

= 0.2

Образование полых твердых микрочастиц при взаимодействии газа с движущимся веществом, содержащимся в переносимых воздушным потоком микрокаплях раствора. Бердоносов С.С., Кабанов И.А., Бердоносова Д.Г., Мелихов И.В., Бузин О.И., Веремеева О.А. Коллоидный журнал. 2001, Т. 63, №1, с. 5-9.Численное исследование моделей образования полых сферических частиц. Горбачевский А.Я Мароко А.Ю Баронов С. Б., Бердоносов С.С. Мелихов И.В. Тезисы докладов XI Международной конференции по вычислительной механике и современным программным системам (ВМСППС’2001) 2- 6 июля 2001 Москва. С. 144 – 147.Численное исследование моделей образования полых сферических частиц при испарении растворителя. ГорбачевскийА.Я., Мароко А.Ю., Берегалов А., Баронов С. Б., Бердоносов С.С. Сборник трудов 14 Международной научной конференции “Математические методы в технике и технологиях” Смоленск, 2001. Т. 3 , с. 96-99.

EXPÉRIENCE PHYSIQUE ET MODÉLISATION DE CROISSANCE DE PARTICULES SPHÉRIQUES CREUSES

MODÈLE MATHÉMATIQUE DE CROISSANCE DE PARTICULES SPHÉRIQUES CREUSES

.2

2

1i iCi

C Cr D

t r rr

G G

pt L L L

dLLk

DD

gm

b

0

2

00 ,

Transfert de chaleur et de masse

11

1

1

12

1

21

11

112

21

1

211

1

1 vfx

v

Rex

p

x

v

xx

vx

xx

1

Re

1

x

vv

x

vx

x

1

t

v1

222

22

2

21

21

112

22

1

211

1

2 vfRe

Gr

x

p

x

v

xx

vx

xx

1

Re

1

x

v

x

vvx

x

1

t

v

1 1 2

11 2 1 1 2 21 1

1 1 1

RePr

p pp

T

x c T v C Tvc T T Tx Q

t x x x x x xx x

1 1 2

11 2 1 1 2 21 1

1 1 1

Re i

i ii i iC

x v C C vC C Cx d d q

t x x Sc x x x xx x

f1v1 et f2v2 – termes relatifs au milieu poreux (zone cristalline)

où t – temps, x1,x2 – coordonnées, v1,v2 – composantes de vitesse, et – viscosité

dynamique et conductivité thermique, p – pression, Re, Pr, Gr - nombres adimensionnés de Reynolds, de Prandtl et de Grashof

2,1

2

2

i i

i

i

i

L

D

L

G

t

212211 ,12 LSqLLS 2

0

1

0

221

2

21LdLdLL

lq

l

Paramètre de chevauchement des cristaux q

ou

où b0- épaisseur de couche élémentaire, Ji – fréquence de

nucléation de couches sur la face i, Si – aire sur laquelle les

couches se forment, fi – vitesse de développement d’aire.

13

221

iiiiisi SfJSJbG

13

2

0 21

iiis SfJbb

2

1 21 2

, ,N

L L tL L

Croissance des dépôts amorphes sur la paroi d’un canal

23

1

0

, ,

1 exp ,

k

m

S

CD G C G h f

x

C C u k

kuexp1CCff fm

S0

kvexpCCS 0

G Dp

t L L L

Nucléation et vitesse de croissance sur la surface pariétale

Fonction de distribution de tailles des cristaux N L

Configuration géométrique du canal et profils des dépôts

0 5 10X

0

1

2

3

4

5

6

7

Y

0 5 10X

0

1

2

3

4

5

6

7

Y

Contours de concentration constante à t=0.06

Configuration géométrique de la frontière de dépôt

Transfert conjugué de chaleur et de masse dans un canal avec dépôt sur la paroi et les nervures

Les paramètres physiques :Solution (i=1) viscosité cinématique 1=10-6 m2s-1, masse volumique 1=103 kg m-3,

chaleur spécifique à pression constante Ср1=4.2 kJ kg-1K-1,

conductivité thermique k=(0.5-0.7) W m-1 K-1

Matériau de la paroi et des nervures (i=2) 2=8 103 kg m-3, Ср2=0.47 КДж кг-1К-1, k=60 Вт м-1 К-1

Matériau de dépôt (i=3) 3=(0.5-2.5) 103 кгм-3, Ср3=0.85 КДж кг-1К-1, k=(0.03- 0.2) Вт м-1 К-

1.

Re=100, 150, 250; Pr= 0.7, Sc=1.Pour la solution (Cp)=1, k=1,

Pour le matériau de la paroi et des nervures (Cp)=0.9, k=100,

Pour le dépôt (Cp)=0.2, k=0.1.

Схема расчетной области - конструкция (металл) отложения, раствор

реагентов

0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5X

0

1

2

3

4

5

6

7

8

9

10

Y

Configuration de la paroi du canal sans dépôt (1) et avec dépôt (2)

1 2

Champ de température . Re=150 ; Pr =0.7; Cp=0.2; k=0.05

Géométrie de dépôt faible (1), moyen (2) et grand (3)

1 2 3

Champ de température Re= 150, ; Pr =0.7; Cp=0.2; k=0.05

1 2 3

Champ de température pour Re=100, 150, 250; Pr =0.7; Cp=0.2; k=0.05. Dépôt grand (3).

Re=100 Re=150 Re=250

Champ de température pour Re=100, 150, avec faible dépôt (1) sur la paroi Pr =0.7; Cp=0.2; k=0.05.

Re=100, Re=150

DYNAMIQUE D’ÉCHAUFFEMENT,

DÉPÔT GRAND (3)

0 2 4 6 8 100

2

4

6

8

10

12

14

16

18

20

22

Re=100

Nu

Z

0 2 4 6 8 100

2

4

6

8

10

12

14

16

18

20

22

Re=250

Nu

Z

NOMBRE Nu LE LONG DE LA SURFACE

EXTERNE DE LA PAROI

EXPÉRIENCE SUR L’INTERCROISSANCE DE CRISTAUX

Мелихов И.В., Рудин В.Н.,Воробьева Л.И. Механизм превращения блочных кристаллов полугидрата сульфата кальция. Неорг. Материалы, Т. 24, №3, С 448-452, 1988

дигидрофосфат аммония NH4H2PO4

Рашкович Л.Н., Шелкунов Б.Ю., Кузнецов Ю.Г. Гидродинамические эффекты при росте кристаллов ADP и KDP в растворе. Кристаллография 1990, т, 35, Вып.1, с. 165-169.

полугидрат сульфата кальция

0 0c cmz mV F T

0 0

h h

FM Fa zp z dz F p z dz

1

1g 2 2 0a

F

mg P N N

M Nl F a h T h

ÉQUATION DE MOUVENET D’UN MICROCRISTAL

m – масса микрокристалла,g - ускорение свободного падения, N и Na - суммарная реакция и сила притяжения (отталкивания) тела и стенки,l- точка приложения суммарной реакции, aF. – точка приложения силы

давления на грань кристалла.

Condition de renversementde microcristal

2l a

LIGNES DE COURANT ET VORTICITÉ Re<5

Re

0.1

0.5

1

2

5

Vortex périodique (courant de von Karman )

Re= 405.

Paroi chaufféeRe=100Gr=10000

SF

T

P

ECOULEMENT AUTOUR DE DEUX OBSTACLES SUR LA PAROI

Re= 20, L= 4.5 Distribution de pression P(z) sur les faces des obstacles

-3.00E-01

-2.00E-01

-1.00E-01

0.00E+00

1.00E-01

2.00E-01

3.00E-01

4.00E-01

0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1Z

P

P1 P2

P3 P4

SF

P

Re

5

10

20

30

50

100

FONCTION DE

COURANT

L= 4.5

Re

5

10

20

30

50

PRESSION

2 prismes triangulaires Re=1000

2 prismes triangulairesRe=500

3 prismes triangulairesalignésRe=500

2 cylindres Re=1000

Model de turbulence(Kato -Launder) Re= 17 000

3 barres carréesalignés

Model de turbulence(Kato –Launder) Re= 17 000

3 barres carréesalignés

Причем размеру L1 , L2 соответствуют грани с разным

молекулярным рельефом, что приводит к неизотропности роста по направлениям L1 , L2 . Учитывается возможность перекрывания при росте боковых граней.

МОДЕЛИ КРИСТАЛЛИЗАЦИИ НА ТВЕРДОЙ ПОВЕРХНОСТИ Разработаны 2 модели: модель неизотропного роста кристаллов и роста изотропного вещества .МОДЕЛЬ РОСТА ДВУМЕРНЫХ КРИСТАЛЛОВ (НИТЕВИДНЫХ)

Функция распределения по размерам L1, L2

2

1 21 2

, ,N

L L tL L

Функция распределения изменяется по уравнению Фоккера- Планка

2,1

2

2

i i

i

i

i

L

D

L

G

t

212211 ,12 LSqLLS 2

0

1

0

221

2

21LdLdLL

lq

l

Контакт боковых граней кристаллов при росте учтен через параметр q

где

где b0- толщина элементарного слоя, Ji - частота зарождения

слоев на i грани, Si - площадь на которой зарождаются слои, fi

- скорость разрастания слоев по грани. Послойный рост можно представить как совокупность одинаковых микро скачков фронта роста на расстояние

13

221

iiiiisi SfJSJbG

Нормальная скорость роста

13

2

0 21

iiis SfJbb

Концентрации Ci отличается от растворимости C при малых

размерах кристаллов. При этом участки около торцевых граней рассматриваются как полусферы с радиусом L1, а около боковых

граней - как монотонные искривления с главным радиусами кривизны L1 и L2.

01

02

0201

011

2exp2,

11exp

LLRT

vCC

LLLLRT

vCC

tNC

CJdL

l

DG B

m

ii

lli

ii

mi

11

1

0

Зародышами кристаллов являются трехмерные кластеры из m молекул кристаллизанта. образовавшиеся на поверхности подложки или активные группы молекул приповерхностного монослоя подложки,

где J0- характеристическая скорость образования трехмерных

зародышей, lm - размер кластера из m молекул.

NB

РОСТ ИЗОТРОПНЫХ ОТЛОЖЕНИЙ НА СТЕНКАХ КАНАЛА

23

1

0

, ,

1 exp ,

k

m

S

CD G C G h f

x

C C u k

kuexp1CCff fm

S0

kvexpCCS 0

G Dp

t L L L

Нуклеация и скорость роста кристаллов на поверхности

Функция распределения по размеру кристаллов N L

top related