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ealisation de transistors organiques ` a effet de champ et ´ etude de mat ´ eriaux ferro ´ electriques pour optimiser les tensions d’alimentations Benjamin Ramos, Marc Ternisien, David Buso Laboratoire Plasma et Conversion d’Energie (LAPLACE) Batiment 3R3 118 Route de Narbonne 31062 Toulouse Cedex 9 Email : [email protected] D ans ce travail, en vue d’une applica- tion OLET (Transistor Organique Lu- mineux), nous avons ´ etudi´ e plusieurs di´ electriques de grille afin de eduire les tensions d’alimentations. A l’heure actuelle, il s’agit d’un verrou technologique pour une application dans les technolo- gies li´ ees ` a l’affichage mais ´ egalement ` a l’´ eclairage pour ealiser un syst` eme lu- mineux tout organique . Nous avons donc ecid´ e de jouer sur les permit- tivit´ es des di´ electriques de grille en util- isant diff´ erents mat´ eriaux : le PMMA (Poly(methyl methacrylate)), un mat´ eriau classique pour les di´ electriques de grille dans les transitors organiques ` a effet de champ (OFETs) et deux mat´ eriaux ferro´ electriques : le PVDF-TrFE (Poly(vinylidene fluoride- trifluoroethylene)) et le PVDF-TrFE-CFE (Poly(Vinylidene fluoride trifluoroethylene chlorofluoroethylene terpolymer)). Des OFETs de type-n ont ´ et´ e ealis´ es avec la structure suivante : Verre/ITO/PMMA/ PTCDI-C13/Aluminium. Des tensions d’au moins 50V ont ´ et´ e obtenues, ce qui concorde avec la litt´ erature [1]. Pour les mat´ eriaux ferro´ electriques, nous avons etermin´ e les param` etres de epˆ ot (temp´ erature de re- cuit et solvant pour la dilution) et ef- fectu´ e une corr´ elation avec leurs cristallinit´ es par AFM. Ensuite, nous avons effectu´ e des mesures de capacit´ es ´ electriques en r´ ealisant la structure suivante Verre/ITO/mat´ eriaux ferro´ electriques/Aluminium. Un recuit proche de la temp´ erature de curie des mat´ eriaux, augmente la valeur de la capacit´ e et r´ eduit la rugosit´ e de surface. Cela permet d’optimiser l’interface entre le di´ electrique de grille et le semi-conducteur organique, une ´ etape cl´ e pour tenter de lever ce ver- rou. Actuellement, nous r´ ealisons des OFETs de type-n et de type-p avec les mat´ eriaux ferro´ electriques pour valider la diminution des tensions d’alimentation. Introduction Depuis plus d’une quinzaine d’ann´ ee, ”l’´ electronique organique” connait une forte croissance dans le monde de la recherche scientifique. Les coˆ uts r´ eduits et la facilit´ e de fabrication ont permis de d´ evelopper de nombreuses applications. Les transistors or- ganiques `a effet de champ (OFETs) furent les pre- miers composants r´ ealis´ es [2][3], suivies des diodes organiques ´ electroluminescents (OLEDs) [4]. Puis en 2003, le premier transistor organique ´ emetteur de lumi` ere (OLET) est fabriqu´ e. Il permet de r´ ealiser `a la fois des fonctions transistors tout en ´ emettant http://jnrdm2016.sciencesconf.org/ JNRDM TOULOUSE 2016 page 1 of 6

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Realisation de transistors organiques aeffet de champ et etude de materiauxferroelectriques pour optimiser lestensions d’alimentationsBenjamin Ramos, Marc Ternisien, David Buso

Laboratoire Plasma et Conversion d’Energie (LAPLACE)Batiment 3R3

118 Route de Narbonne31062 Toulouse Cedex 9

Email : [email protected]

Dans ce travail, en vue d’une applica-tion OLET (Transistor Organique Lu-mineux), nous avons etudie plusieurs

dielectriques de grille afin de reduireles tensions d’alimentations. A l’heureactuelle, il s’agit d’un verrou technologiquepour une application dans les technolo-gies liees a l’affichage mais egalement al’eclairage pour realiser un systeme lu-mineux tout organique . Nous avonsdonc decide de jouer sur les permit-tivites des dielectriques de grille en util-isant differents materiaux : le PMMA(Poly(methyl methacrylate)), un materiauclassique pour les dielectriques de grille dansles transitors organiques a effet de champ(OFETs) et deux materiaux ferroelectriques: le PVDF-TrFE (Poly(vinylidene fluoride-trifluoroethylene)) et le PVDF-TrFE-CFE(Poly(Vinylidene fluoride trifluoroethylenechlorofluoroethylene terpolymer)). DesOFETs de type-n ont ete realises avec lastructure suivante : Verre/ITO/PMMA/PTCDI-C13/Aluminium. Des tensions d’aumoins 50V ont ete obtenues, ce qui concordeavec la litterature [1]. Pour les materiauxferroelectriques, nous avons determine lesparametres de depot (temperature de re-cuit et solvant pour la dilution) et ef-

fectue une correlation avec leurs cristallinitespar AFM. Ensuite, nous avons effectue desmesures de capacites electriques en realisantla structure suivante Verre/ITO/materiauxferroelectriques/Aluminium. Un recuitproche de la temperature de curie desmateriaux, augmente la valeur de la capaciteet reduit la rugosite de surface. Cela permetd’optimiser l’interface entre le dielectriquede grille et le semi-conducteur organique,une etape cle pour tenter de lever ce ver-rou. Actuellement, nous realisons des OFETsde type-n et de type-p avec les materiauxferroelectriques pour valider la diminutiondes tensions d’alimentation.

Introduction

Depuis plus d’une quinzaine d’annee, ”l’electroniqueorganique” connait une forte croissance dans lemonde de la recherche scientifique. Les couts reduitset la facilite de fabrication ont permis de developperde nombreuses applications. Les transistors or-ganiques a effet de champ (OFETs) furent les pre-miers composants realises [2] [3], suivies des diodesorganiques electroluminescents (OLEDs) [4]. Puisen 2003, le premier transistor organique emetteur delumiere (OLET) est fabrique. Il permet de realisera la fois des fonctions transistors tout en emettant

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de la lumiere [5] [6]. Les derniers resultats sur lesOLETs ont permis d’atteindre un rendement de 8%[7], ce qui est encourageant pour une future applica-tion dans les systemes d’eclairage. Neanmoins, lestensions d’alimentations de ce type de composantsrestent elevees (de 50 a 100V). Nous avons doncetudie trois dielectriques de grille avec des permit-tivites (εr) differentes en vue d’optimiser ces tensions.Le premier est le PMMA (Poly(methyl methacry-late), il s’agit du polymere le plus utilise en tantque dielectrique de grille dans les OFETs. Les deuxautres sont des materiaux ferroelectriques : le PVDF-TrFE (Poly(vinylidene fluoride-trifluoroethylene)) etle PVDF-TrFE-CFE (Poly(Vinylidene fluoride tri-fluoroethylene chlorofluoroethylene terpolymer)) etpossedent une permittivite elevee respectivementde 10 et 50. Le PMMA quant a lui, a une per-mittivite de 3. Dans un premier temps, nousavons realise et caracterise des OFETs de type navec du PMMA, qui serviront de reference pourles tensions d’alimentations de nos transistors. En-suite, nous avons determine les parametres de depot(temperature de recuit et solvant pour la dilution) desmateriaux ferroelectriques et effectue une correlationavec leurs cristallinites par AFM. Enfin, nous avonseffectue des mesures de courant capacitifs apeesun depot de ces materiaux entre un substrat deVerre/ITO et une electrode d’Aluminium.

1 Transistor de reference

1.1 Realisation du transistor

Le transistor de reference est un OFET unipolaire detype n avec une structure bottom gate/top contact.La Figure 1 represente sa structure.

Figure 1: Structure du transistor organique de type n.

Les substrats de verre ont ete commandes aupresde la societe Kintec et comporte une couche de 100nmd’ITO photolithographie qui est la grille de nos tran-sistors. Le PMMA est un polymere sous formede poudre qui doit etre melange avec un solvantpour pouvoir etre depose par spincoating. Nousavons choisi d’utiliser l’acetate de butyle, un solvant

classique pour ce polymere. Nous avons prepareune solution a 50mg/mL avec une vitesse de ro-tation de la tournette a 2000rpm pour avoir uneepaisseur finale d’environ 360nm. Le depot a latournette est une etape cle dans la realisation destransistors, elle est donc faite en salle blanche. Parla suite, un recuit du film est effectue sur plaquechauffante a 130C pendant 15mn pour evaporerle solvant et cristalliser le polymere. L’etape suiv-ante consiste a deposer la couche active de type n.Le materiau organique choisi est le N,N’-ditridecyl-3,4,9,10-perylenetetracarboxylic diimide (PTCDI-C13). Il s’agit d’une petite molecule et peut donc etredeposee par evaporation sous vide. De plus, la mo-bilite des electrons, de 10−1-10−2 dans ce materiau,est assez elevee pour l’electronique organique. Dansnotre cas, une couche de 30nm est depose a traversun masque metallique a 1A/s a 5.10−6 mbar. En-fin, une couche d’aluminium de 100nm est deposeepar canon a electron a 5.10−6 mbar pour former leselectrodes source et drain des transistors.

1.2 Caracterisation du transistor

1.2.1 Caracterisation morphologique du PMMA

L’etude morphologique du dielectrique de grille dansles transistors est une etape essentielle pour optimiserleurs performances. En ce qui concerne l’epaisseurdu dielectrique, plus elle est elevee, plus les ten-sions d’alimentations devront etre importantes pourobtenir un courant similaire dans le canal conducteur.En revanche, en diminuant l’epaisseur, le courant defuite entre la source et la grille sera plus eleve. Nousavons donc choisi une epaisseur de 360nm, qui setrouve etre un bon compromis pour avoir un faiblecourant de fuite, de l’ordre de la dizaine de nA a 40V(ce qui correspond a une resitance de fuite de l’ordredu GΩ) et des tensions d’alimentation de l’ordre de60V. Pour valider cette epaisseur nous effectuons unemesure par profilometre mecanique.

Une autre information importante a connaitre estla rugosite de surface. Le but etant de la diminuer aumaximum pour eviter que les charges se retrouventpieger a l’interface dielectrique/couche active et doncd’ameliorer les performances du transistor. Pour nosfilms minces de PMMA nous avons obtenus, pourune image de 5µmx5µm (Figure 2), une tres faiblerugosite de surface (Ra=0.31nm et Rq=0.39nm).

Ces caracterisations morphologiques valident ledepot du PMMA a la tournette avec le solvant acetatede butyle.

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Figure 2: Image AFM d’un depot de PMMA effectue ala tournette a partir d’une solution a l’acetatede butyle.

1.2.2 Caracterisation electrique

Le transistor caracterise possede la structure presentea la Figure 1. Sa longueur et sa largeur de canalsont respectivement de 600µm et de 12mm, ce quidonne un rapport W/L de 20. Les caracterisationselectriques des transistors organiques ont ete faites enboite a gants puisque la couche active (PTCDI-C13)est sensible a l’air et a l’oxygene. La Figure 3 montreles courbes de sortie obtenues pour ce transistor. Ils’agit de courbes classiques avec un regime lineairesuivi d’un regime de saturation. Le courant de draina Vg=60V est de 3.6µA. On obtient des valeurs decourant, a tensions egales, legerement superieur a lalitterature grace a la faible rugosite de notre couchede PMMA et un rapport W/L plus important [1]. Cetransistor va nous servir de reference a optimiser enterme de tensions d’alimentations et de performance.

Figure 3: Courbes de sortie d’un OFET type n avec unestructure Verre-ITO-PMMA-PTCDI-C13-Al.

2 Depot des materiauxferroelectriques

2.1 Determination des conditions de depot

Les materiaux ferroelectriques ont ete commandessous forme de poudre chez la societe PIEZOTECH.Deux solvants ont ete testes pour preparer nos solu-tions. Les caracteristiques pour le choix du solvantsont les suivantes :

• Il doit dissoudre la poudre ferroelectrique afinde ne pas avoir d’agglomerats.

• Il ne doit pas s’evaporer trop rapidement poureviter que la solution ne s’etale moins bien.

• L’angle de contact avec le substrat doit etreinferieur a 90.

• Le film final doit etre de faible rugosite.

Les deux solvants choisis sont tres largementutilises dans la litterature. Il s’agit du 2-Butanone(MEK) et du Tetrahydrofurane (THF). Ces deuxsolvants mouille bien la surface, ont un angle decontact inferieur a 90et dissolvent bien les poudresferroelectriques. Nous avons prepare une solution deP(VDF-TrFE) dans du THF avec une concentrationde 30mg/mL. Celle-ci a ete deposee 4000tr/min a latournette sur un substrat verre/ITO et soumis a unrecuit en 2 etapes : a 66C pendant une heure puisa 140C pendant 2 heures. Une autre solution deP(VDF-TrFE) a ete faite dans du MEK avec une con-centration de 40mg/mL et deposee a 3000tr/min a latournette. Un recuit a ete fait a 81C pendant uneheure puis a 140C pendant 2 heures. La premieretemperature de recuit permet d’evaporer le solvantet la deuxieme consiste a cristalliser le film. Noussommes conscients que le protocole experimentalemploye differe selon le solvant utilise. Cependant,la concentration de la solution et la vitesse de ro-tation de la tournette influencent essentiellementl’epaisseur du film et n’ont qu’une portee minime surl’arrangement moleculaire et la rugosite du depot.

2.2 Validation du protocole par AFM

D’apres les mesures AFM effectuees sur les filmsrealises, on remarque que le solvant MEK permetd’avoir un depot de P(VDF-TrFE) moins rugueuxqu’avec le THF et que la structure moleculaire changeselon le solvant utilise (Figure 4): structure alveoleeavec le THF ,en batonnets avec le MEK . Prenanten compte la rugosite moindre du depot et le fait

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Figure 4: Image AFM d’un depot de P(VDF-TrFE) ef-fectue a la tournette a partir d’une solution deTHF (a gauche) et de MEK (a droite).

que le THF est un solvant tres toxique et dangereuxa manipuler, nous avons retenu le MEK pour lapreparation de nos solutions de P(VDF-TrFE) et deP(VDF-TrFE-CFE) pour la suite de nos travaux.

3 Effets de la temperature de recuitsur le depot des materiauxferroelectriques

3.1 Morphologie de surface

Les films de P(VDF-TrFE) et de P(VDF-TrFE-CFE)sont generalement tres rugueux, ce qui est une car-acteristique non souhaitable pour un dielectrique degrille. Si l’on compare les rugosites obtenues entreun film de PMMA et un film de PVDF-TrFE quisont representees, respectivement sur les Figures 2et 5, nous avons quasiment un rapport 100. Pourameliorer la surface des films ferroelectriques, nousavons teste deux types de recuit. Le premier, majori-tairement utilise dans la litterature, consiste a recuirele film a une temperature proche de la temperaturede fusion du P(VDF-TrFE), soit a 140C. Le second,provient des travaux de Mao et al. Leur conclusionest de faire un recuit a la temperature de Curie dumateriau [8], soit a 118C, pour avoir une polari-sation elevee, une morphologie de surface la moinsrugueuse et un faible courant de fuite. Pour resumer,voici la procedure experimentale pour les deux recuits:

• recuit 1 : a 81C pendant 1 heure puis a 140Cpendant 2 heures.

• recuit 2 : a 81C pendant 1 heure puis a 118Cpendant 2 heures.

Pour les 2 materiaux (Figure 5 et 6), en effectu-ant un recuit a 118C, la rugosite est diminuee demaniere significative et la cristallinite du materiauest amelioree. Voici le recapitulatif des rugositesobtenues :

Figure 5: Images AFM d’un depot de P(VDF-TrFE)avec un recuit de 118C (a gauche) et de 140C(a droite).

Figure 6: Images AFM d’un depot de P(VDF-TrFE-CFE) avec un recuit de 118C (a gauche) etde 140C (a droite).

• P(VDF-TrFE) : Ra=28,3nm, Rq=35,6nm (re-cuit 1) ; Ra=2,57nm, Rq=3,22nm (recuit 2).

• P(VDF-TrFE-CFE) : Ra=11,8nm, Rq=14,9nm(recuit 1) ; Ra=2,94nm, Rq=3,67nm (recuit 2).

3.2 Caracterisation electrique

3.2.1 Mesure de courant

Pour etudier les caracteristiques ferroelectriquesdes films de P(VDF-TrFE) et de P(VDF-TrFE-CFE) , nous avons realise des capacites avecune structure Verre-ITO-materiaux ferroelectriques-Aluminium. D’apres M. Wegener [9], le courantmesure d’une capacite de PVDF est une combinaisondes courants de polarisation, capacitif et de conduc-tion. Il suit la relation :

imeasure = ipolarization + icapa + iconduction (1)

Ce qui est equivalent a :

imeasure = AdP

dt+ C

dV

dt+V

R(2)

Avec ipol, le courant de polarisation qui decrit lerenversement de la polarisation du dispositif; icap, lecourant capacitif qui traduit le stockage des charges al’interface dielectrique/electrode; icon, le courant deconduction qui correspond au courant de fuite de la

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capacite. A est la surface, P la polarisation en C/m2,C la capacite et R la resistance de l’echantillon. Pourmesurer le courant de polarisation dans les capacitesconstitues de materiaux ferroelectriques, il faut ap-pliquer un champ electrique relativement eleve pouratteindre la valeur du champ coercitif et de bassefrequence. En effet, les dipoles dans le polymeresuivent la polarisation applique et leur renversementest long. Les mesures ont donc ete effectuees avecune tension triangulaire de 1Hz. Le champ coercitifcorrespond au champ electrique necessaire au ren-versement de la polarisation et se situe autour de50MV/m pour le P(VDF-TrFE) [10]. Un exemple decycles de courants obtenus sur les films de P(VDF-TrFE) est represente sur la Figure 7 avec les 2 typesde recuit.

Figure 7: Mesure comparative de cycles de courant a40 V des capacites P(VDF-TrFE) realiseessuivant le recuit 1 en rouge et le recuit 2 ennoir. Le segment vert correspond au courantde conduction qui est le meme pour toutes lescapacites.

Les cycles sont asymetriques et restent identiquesselon que la tension appliquee au depart suit desvaleurs positives ou negatives. On remarque que lecourant Ipol augmente jusqu’a une certaine tension.Durant cette phase les dipoles s’orientent progres-sivement, et non pas en une seule fois, en fonctionde la valeur du champ electrique. A 15V pour lerecuit 2, on atteint la valeur du champ coercitif, lesdipoles sont tous orientes et le courant atteint sonmaximum. S’ensuit d’une diminution de celui-ci dufait que les dipoles sont orientes. Le phenomene seproduit pour des tensions negatives avec un renverse-ment de la polarisation a -18V. On remarque sur laFigure 7 une augmentation de la tension coercitiveet du courant de polarisation pour le recuit 2. Deplus, on peut calculer la resistance de fuite de la ca-

pacite de P(VDF-TrFE). Cette resistance R traduitla conductivite du film P(VDF-TrFE), elle est lieeau courant de conduction par la relation icon = V/R.R correspond a l’inverse de la pente du segment vertdessine sur la Figure 7, elle se situe autour de 250MΩ. Par consequent, a 40 V le courant de fuite estde l’ordre de 1,6.10−7A. En comparaison avec unecouche de PMMA, le courant de fuite est 10 fois pluseleve a tension egale.

3.2.2 Capacite et constante dielectrique

Apres avoir effectue des mesures de courant de po-larisation, nous avons decide de mesurer la capacitedes films ferroelectriques et voir l’influence de latemperature de recuit. La Figure 8 donne le resultatdes mesures de capacite. On remarque qu’avec lerecuit 2, la capacite du film est plus importante pourles 2 materiaux ferroelectriques, ce qui induit uneaugmentation du courant capacitif.

Figure 8: Mesure experimentale de la capacite des filmsde P(VDF-TrFE) (a gauche) et de P(VDF-TrFE-CFE) (a droite) realises suivant le recuit1 en rouge et le recuit 2 en noir. Les flechesindiquent le sens de la mesure.

A partir de ces donnees, on peut estimer la permit-tivite du P(VDF-TrFE) et du P(VDF-TrFE-CFE)en utilisant la formule suivante :

C = ε0εrS

e(3)

ε0 est la permittivite du vide, εr est la constantedielectrique relative du materiau utilise, S est lasurface des electrodes et e est l’epaisseur separantces deux electrodes. (ε0 = 8,854.10−12 F.m−1, S ≈1,73.10−6 m2, e = 340nm). La Figure 9 presente leresultat de ce calcul. On obtient une permittivite quivarie en fonction de la tension du au cycle d’hysteresispresent dans les materiaux ferroelectriques. Pour leP(VDF-TrFE), on obtient une permittivite entre 8et 15 pour le recuit 1 et entre 10 et 17 pour le recuit2. Pour le P(VDF-TrFE-CFE) entre 10 et 40 pourle recuit 1 et entre 15 et 60 pour le recuit 2. Cesvaleurs sont en accord avec celles relevees par Wu etal. [11]. Pour la suite de nos travaux sur les OFETs

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comportant une couche ferroelectrique, nous allonsdonc utiliser le recuit 2 pour obtenir les meilleuresperformances de cette couche.

Figure 9: Estimation de la constante dielectrique relativeεR du P(VDF-TrFE) (a gauche) et du P(VDF-TrFE-CFE) (a droite) a partir des mesures decapacites C pour le recuit 1 en rouge et le recuit2 en noir.

Conclusion

Tout d’abord, un OFET de type n avec undielectrique de grille en PMMA, a ete realisepour servir de reference en terme de tensionsd’alimentations. Des tensions de grille et de drainde l’ordre de 60V sont necessaires pour obtenir uncourant de drain important (3.6µA) pour des OFETs.Ensuite, nous avons etudie le depot des materiauxferroelectriques et valider le protocole par AFM. En-fin, une etude de la temperature de recuit a etefaite. Il en resulte une diminution de la rugosite desurface, une augmentation de la capacite, de la con-stante dielectrique et du courant de polarisation avecun recuit a la temperature de Curie des materiaux.Neanmoins, le courant de fuite est 10 fois plus im-portant qu’avec une couche de PMMA. Une pisted’amelioration consisterai a a deposer une couchetampon de PMMA sur les materiaux ferroelectriquespour diminuer la rugosite de surface et le courant defuite.

References

[1] C. Rost, D.J. Gundlach, S. Karg, and W. Rieß.Ambipolar organic field-effect transistor basedon an organic heterostructure. Journal of Ap-plied Physics, 95:5782–5787, 2004.

[2] F. Ebisawa, T. Kurokawa, and S. Nara. Elec-trical properties of polyacetylene/polysiloxaneinterface. Journal of Applied Physics, 54:3255–3259, 1983.

[3] A. Tsumura, H. Koezuka, and T. Ando. Macro-molecular electronic device : Field effect tran-

sistor with a polythiophene thin film. AppliedPhysics Letters, 49:1210–1212, 1986.

[4] C.W. Tang and S.A. VanSlyke. Organic elec-troluminescent diodes. Applied Physics Letters,51:913–915, 1987.

[5] R. Capelli, S. Toffanin, G. Generali, H. Usta,A. Facchetti, and M. Muccini. Organic light-emitting transistors with an efficiency that out-performs the equivalent light-emitting diodes.Nature Materials, 9:496–503, 2010.

[6] M. Muccini, W. Koopman, and S. Toffanin. Thephotonic perspective of organic light-emittingtransistors. Laser and Photonics Reviews, 6,2012.

[7] M.C. Gwinner, D. Kabra, M. Roberts, T.J.K.Brenner, B.H. Wallikewitz, C.R. McNeill, R.H.Friend, and H. Sirringhaus. Highly efficientsingle-layer polymer ambipolar light-emittingfield-effect transistors. Advanced Materials,24:2728–2734, 2012.

[8] D. Mao, M. Quevedo-Lopez, H. Stiegler, GnadeB.E., and Alshareef H.N. Optimization ofpoly(vinylidene fluoride-trifluoroethylene) filmsas non-volatile memory for flexible electronics.Organic Electronics, 11:925–932, 2010.

[9] M. Wegener. Polarization-electric field hystere-sis of ferroelectric pvdf films: comparison ofdifferent measurement regimes. The Review ofScientific Instruments, 79:106103, 2008.

[10] R.C.G. Naber, B. de Boer, P.W.M Blom, andD.M. de Leeuw. Low-voltage polymer field-effecttransistors for nonvolatile memories. AppliedPhysics Letters, 87:203509, 2005.

[11] S. Wu, M. Shao, Q. Burlingame, X. Chen,M. Lin, K. Xiao, and Q.M. Zhang. A high-kferroelectric relaxor terpolymer as a gate dielec-tric for organic thin film transistors. AppliedPhysics Letters, 102:013301–013301–4, 2013.

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