développement de jonctions supraconductrices à effet tunnel (jset) pour le comptage de photons en...

Développement de Jonctions Supraconductrices Développement de Jonctions Supraconductrices à Effet Tunnel (JSET) pour le comptage de à Effet Tunnel (JSET) pour le comptage de

photons en astronomiephotons en astronomie

Thèse de l’Institut National Polytechnique de GrenobleThèse de l’Institut National Polytechnique de Grenoble

présentée le 20 décembre 2000 à Grenoble parprésentée le 20 décembre 2000 à Grenoble par

Corentin JorelCorentin Jorel

Thèse préparée au Laboratoire d’AstrOphysique Thèse préparée au Laboratoire d’AstrOphysique de Grenoblede Grenoble

Sous la direction de Sous la direction de Philippe FeautrierPhilippe Feautrieret au et au

Laboratoire de CryoPhysique du Laboratoire de CryoPhysique du DRFMC/SPSMS/CEA-GrenobleDRFMC/SPSMS/CEA-Grenoble

Sous l’encadrement de Sous l’encadrement de Jean-Claude VillégierJean-Claude Villégier

2

Contexte scientifiqueContexte scientifique

• Collaboration : Collaboration : UJF UJF LAOGLAOGCEA-G DRFMCCEA-G DRFMCCNRS CRTBTCNRS CRTBT

• Objectif : obtenir des détecteurs à comptage de Objectif : obtenir des détecteurs à comptage de photons pour le visible et l’infrarouge proche.photons pour le visible et l’infrarouge proche.

• Applications :Applications :• AstronomieAstronomie• Télécommunications Télécommunications • InstrumentationInstrumentation

3

IntroductionIntroduction

• Intérêt des JSET :Intérêt des JSET :• Détection tridimensionnelle ((x,y), t, Détection tridimensionnelle ((x,y), t, ) des X à l’IR) des X à l’IR• Sensibilité optimale et bonne dynamiqueSensibilité optimale et bonne dynamique• Efficacité quantique (~ 70 %)Efficacité quantique (~ 70 %)• Taux de comptage (~ 10 kHz)Taux de comptage (~ 10 kHz)

• Inconvénients:Inconvénients:• Fonctionnement à très basse température (~0,1 K)Fonctionnement à très basse température (~0,1 K)• Difficultés des grands formats Difficultés des grands formats

4

Contexte de la photodétectionContexte de la photodétection

T (°K)T (°K)Efficacité Efficacité quantiquequantique

Faux Faux événementsévénements

Taux de Taux de comptagecomptage

(E/(E/E)E)

Diode à aval. Diode à aval. (Takeuchi 1999)(Takeuchi 1999)

7 K7 K0.9 @ 700nm0.9 @ 700nm

0,4 @ 700nm0,4 @ 700nm

2000020000 ss-1-1

300 s300 s-1-1?? sanssans

CCD CCD 0,5 MPixels0,5 MPixels

-40 °C-40 °C 50% @ 700nm50% @ 700nm 1/pixel/s1/pixel/s14 Hz/image14 Hz/image

5 MHz /pixel5 MHz /pixelsanssans

HEB HEB (Korneev 2004)(Korneev 2004)

4 K4 K0.2 @ 800 nm 0.2 @ 800 nm 0.1 @ 1.550.1 @ 1.55mm

1010-3 -3 ss-1-1

3000 s3000 s-1-12 GHz2 GHz sanssans

12*10 JSET 12*10 JSET (Martin 2004)(Martin 2004)

0,2 K0,2 K0.3 @ 200-500 0.3 @ 200-500

nmnm~ 0~ 0 10 kHz10 kHz 1010

TES TES (Miller 2003)(Miller 2003)

0,1 K0,1 K0.4 @ 200-0.4 @ 200-1000 nm1000 nm

1010-3 -3 ss-1-1 10 kHz10 kHz 1010

5

Etat des lieuxEtat des lieux

• Thèse de B. Delaët :Thèse de B. Delaët :• Procédé de fabrication Procédé de fabrication jonctions Nb de qualité jonctions Nb de qualité

comptage de comptage de photons à photons à 0,78 0,78 mm

• Objectif double :Objectif double :• Nouveau matériau : TaNouveau matériau : Ta• Avec un nouveau procédé plus performantAvec un nouveau procédé plus performant

6

Plan de l’exposéPlan de l’exposé

IntroductionIntroduction

I-I- Principes physiques des photodétecteurs JSETPrincipes physiques des photodétecteurs JSET

II-II- L’épitaxie de l’absorbeur TaL’épitaxie de l’absorbeur Ta

III-III- Fabrication et caractérisation des JSETFabrication et caractérisation des JSET

IV-IV- PhotodétectionPhotodétection

ConclusionConclusion

I- Principes physiques I- Principes physiques des photodétecteurs des photodétecteurs

JSETJSET

8

Principe de basePrincipe de base

Absorbeur Ta (~meV)

SSubstratubstrat SaphirSaphir

i, V-

i, V+

Éclairage en face arrière

h

Barrière Tunnel e ~

1nm

Électrode Électrode SupraconductriceSupraconductrice

h(~eV(~eV))

Ta (~meV)

2 Couches 2 Couches de piégeage de piégeage

en Alen Al

Les 3 enjeux : Les 3 enjeux : Absorbeur Ta de Absorbeur Ta de qualité qualité

Barrière fine et sans défautBarrière fine et sans défaut

Électrode Électrode SupraconductriceSupraconductrice

9

Schéma de principe de Schéma de principe de l’absorption lumineusel’absorption lumineuse

Énergie

Barrière tunnel

eVp

Ta

Al

AlAl TaTaAlAl22OO33AlAlAbsorbeur TaAbsorbeur Ta

Paire de Cooper

Quasiparticule

Phonon

Passage tunnel

h

SubstratSubstrat saphirsaphir

N0 h/

10

Processus d’amplificationProcessus d’amplification

• NN00 = h = h / 1,7 / 1,7g g ((M. Kurakado, 1982M. Kurakado, 1982))

• Nombre de charges comptées : Nombre de charges comptées : N = <n> NN = <n> N00

• <n> lié à 2 temps caractéristiques :<n> lié à 2 temps caractéristiques : <n>= <n>= QPQP / / tt

QPQP la durée de vie des QP la durée de vie des QP tt le temps tunnel: le temps tunnel:

p

p

NolEt eV

eVRVeN

F

22)(4

eVpol

Processus de multiplication

de Korte (1992)de Korte (1992)

Sens du courant

11

Résolution et choix des Résolution et choix des supraconducteurs supraconducteurs

0,1 1 10 100 1000 100000,01

0,1

1

10 Nb Ta Al Hf

Ré

solu

tion

tun

ne

l lim

ite (

eV

)

Energie du photon (eV)

IR visible UV Rayons X

EGFE 7,1)(35,2

Valeurs valables à T<0,1 TValeurs valables à T<0,1 TCC

Nb 9,2 1,55 4000 250

Ta 4,48 0,66 8000 500

Al 1,17 0,17 30000 2000

Hf 0,13 0,02 300000 18000

N0

(=2m)Matériau TC (K) (meV)

N0

(=0,12m)

Avec F = 0,2 Avec F = 0,2 (Kurakado, 82)(Kurakado, 82)

et G = 1 + 1/<n> et G = 1 + 1/<n> (Goldie, 94)(Goldie, 94)

12

Caractéristique I-V et point de Caractéristique I-V et point de fonctionnementfonctionnement

V = 2

Courant normal

RN

T = 200 mK

Vp

IC

Théorique idéale sans pièges Expérimentale avec pièges aluminium

If+dI

I

VVP

If

Courbe avec flux de photons

Réprésentation schématique sous le gap

• Suppression du courant Josephson avec B• Minimisation du courant de fuite sous le gap

T < 0,1TC pour la contribution thermique Barrière sans défauts

• Compromis sur Vp pour régler le rapport dI/I

13

Effet de proximitéEffet de proximité

Al (60nm)Al (60nm)Absorbeur TaAbsorbeur Ta

Pote

nti

el

Pote

nti

el

d’a

pp

ari

em

en

td

’ap

pari

em

en

tTa Ta = 0,66 = 0,66

meVmeV jonctionjonction

Al Al = 0,17 = 0,17 meVmeV

Représentation schématique, d’après Représentation schématique, d’après Brammertz 2003 Brammertz 2003

14

Effet de proximitéEffet de proximitéD

ensi

té d

’éta

t nor

mal

isée

Den

sité

d’é

tat n

orm

alis

ée

Energie (meV)Energie (meV)

Dans le Dans le TaTaDans l’ Dans l’ AlAl

Energie en unité deEnergie en unité de TaTa

jj

TaTa

Courbes de densité Courbes de densité d’état, d’état,

d’après Brammertz, d’après Brammertz, 20032003

II- Epitaxie de II- Epitaxie de l’absorbeur Tal’absorbeur Ta

16

Pourquoi et comment Pourquoi et comment

• La qualité cristalline est un paramètre La qualité cristalline est un paramètre critique : influence directe sur la durée de vie critique : influence directe sur la durée de vie des quasiparticules des quasiparticules QPQP

• 2 types de caractérisations :2 types de caractérisations :• Diffraction par rayons XDiffraction par rayons X• Mesure du RRR = (Mesure du RRR = (300K 300K – – 10K10K)/ )/ 10K10K

17

Epitaxie du Nb Epitaxie du Nb Diffraction Diffraction - 2- 2 de deux films de Nb de deux films de Nb ConditionCondition

s de s de dépôtdépôt

Nb (600 nm) Nb (600 nm) à froid à froid polycristallinpolycristallin

Nb (600nm) Nb (600nm) à 600°C à 600°C

épitaxiéépitaxié

• Hauteur des grains à ~50 nmHauteur des grains à ~50 nm

• Dispersion de l’orientation des plans [200] deDispersion de l’orientation des plans [200] de 0,2 ° 0,2 °

18

Epitaxie du Ta Epitaxie du Ta

Diffraction Diffraction - 2 - 2 de films Ta de films Ta ConditionConditions de s de

dépôtdépôt

Ta (800 nm )/ Nb Ta (800 nm )/ Nb (10nm) à froid(10nm) à froid

polycristallinpolycristallin

Ta(650 Ta(650 nm)/Nb(20nm) à nm)/Nb(20nm) à

650°C650°C

épitaxiéépitaxié

• Hauteur des grains à ~90 nmHauteur des grains à ~90 nm

• Dispersion de l’orientation des plans [200] deDispersion de l’orientation des plans [200] de 0,27 ° 0,27 °

(degré)(degré)

19

RRR et lRRR et l10K10K

KK

KK

K

KK M

R

RRRRR

1010

10300

10

10300

Film de Ta/Nb (A1088)Film de Ta/Nb (A1088)

Film Nb Film Ta/Nb

A1048 A1077 A1066 A1088Température

de dépôt600 °C amb. 600 °C 650 °C

RRR 30,5 2,6 26 45l10K (nm) 78 5 50 100

Film Ta

Évaluation du libre parcours moyen Évaluation du libre parcours moyen avec le RRR :avec le RRR :

Et Et l =l =3,75 3,75 . . 1010-12 -12 cmcm2 2 pour Nb pour Nb (Gurvitch, 86)(Gurvitch, 86)

2,5 2,5 .. 10 10-12-12 cmcm22 pour pour Ta Ta (v.d. (v.d. Berg, 99)Berg, 99)

20

BilanBilan

• Optimisation du dépôt de Ta par :Optimisation du dépôt de Ta par :• Chauffage du substrat à 600 °CChauffage du substrat à 600 °C• Utilisation d’une sous couche de NbUtilisation d’une sous couche de Nb

Obtention de couches épitaxiées dans la direction Obtention de couches épitaxiées dans la direction [100] avec des libres parcours moyens de l’ordre de [100] avec des libres parcours moyens de l’ordre de 100 nm100 nm

III- Fabrication et III- Fabrication et caractérisation des caractérisation des

jonctionsjonctions

22

Réalisation de la multicouche Ta/Al-Réalisation de la multicouche Ta/Al-AlOAlOxx-Al/Ta-Al/Ta

Température du substrat

25 oC

600 oC

Temps

Chauffage/dégazage

dép

ôt

Al

dép

ôt

Ta

dép

ôt

Al

oxy

dati

on

SA

S

Déca

pag

e R

F

~24 h

Dép

ôt

Ta

Dép

ôt

Ta

150 à 180 nm de 150 à 180 nm de Ta sur 10 à 20 nm Ta sur 10 à 20 nm

de Nbde Nb

80 nm 80 nm d’ Ald’ Al

~8 h

20-200 20-200 mbar mbar d’Od’O22

~1/2 h

80 nm 80 nm d’ Ald’ Al

120 nm de 120 nm de Ta sur 3 nm Ta sur 3 nm

de Nbde Nb

23

Procédé de fabrication (1)Procédé de fabrication (1)

Junction (few 10 mm)

1ère étape : Gravure de la multicouche et définition de la jonction

Al 80 nm

AlO x 1.2 nm

Al 80 nm

Contre-électrode Ta 120 nm

Substrat Saphir

Vue en coupe

Vue de dessus

Absorbeur Ta 150 nm

25, 30, 40 ou 50 m

24

Procédé de fabrication (2)Procédé de fabrication (2)

Junction (few 10 mm)

Absorbeur

Gravure d’une Gravure d’une bandelette de Ta/Al-bandelette de Ta/Al-

AlOx-AlAlOx-Al

2ème étape : Préparation du contact à l’absorbeur

25

Procédé de fabrication (3)Procédé de fabrication (3)

Junction (few 10 mm) Substrat Saphir

~ 400 ~ 400 nmnm

SiOSiO22

~ 450 ~ 450 nmnm

SiO2

Lift-off des Lift-off des trous de trous de contactscontacts

3ème étape : Pulvérisation de la couche de passivation SiO2 et lift-off des trous de contact

40 40 mm

26

Procédé de fabrication (4)Procédé de fabrication (4)

Junction (few 10 mm) Substrat Saphir

SiOSiO22

SiO2

NbNb

NbNb

4ème étape: Dépôt du Nb et gravure des lignes de courant

~ 500 ~ 500 nmnm

27

Dispositifs obtenusDispositifs obtenus

• ~ 200 mono-détecteurs~ 200 mono-détecteurs• ~ 20 matrices de 9 ~ 20 matrices de 9

pixels pixels • ~ 30 multi-jonctions à ~ 30 multi-jonctions à

absorbeur communabsorbeur commun

plaquette 3 pouces plaquette 3 pouces en fin de procédéen fin de procédé

1 cm1 cm

28

Dispositifs obtenus (2)Dispositifs obtenus (2)

40m

200 m

30m

NbNb

NbNb

OptiqueOptique MEBMEB

29

Dispositifs obtenus (3)Dispositifs obtenus (3)

Mosaïque de 3*3 pixels

40 m

30

Caractérisation électrique d’une Caractérisation électrique d’une mosaïque : transparence de la mosaïque : transparence de la

barrièrebarrière

Caractéristiques I-V des jonctions (30*30 Caractéristiques I-V des jonctions (30*30 mm22) d’une mosaïque 3*3 pixels) d’une mosaïque 3*3 pixels

RRN N autour autour de 30 de 30 cmcm22

T<300 T<300 mKmK

Zone de Zone de VVpp

31

Caractérisation électrique d’une Caractérisation électrique d’une mosaïque : courant de fuitemosaïque : courant de fuite

… … sous le gap (courants et tensions faibles)sous le gap (courants et tensions faibles)

T<250 T<250 mKmK

RRDD de 0,2 de 0,2 à 0,45 à 0,45 cmcm22

Zones de Zones de polarisatiopolarisatio

nn

32

Point critique : le flanc des Point critique : le flanc des jonctionsjonctions

Tasup

Ta abs

Al/AlOx/Al

Motif technologique vu au MEB

1 m 300 nmTrace de l’interface Al/Al

Nb

33

SiO2

Empilement

Saphir

Flancs des jonctionsFlancs des jonctions

Empilement Ta/Al-AlOx-Al/Ta d’une jonction après une gravure au FIB

34

Flancs des jonctionsFlancs des jonctions

Agrandissement

jonction

IV- Photodétection IV- Photodétection

Comptage de photons à 0,78 Comptage de photons à 0,78 mm

36

Dispositif expérimentalDispositif expérimental

Schéma du banc de mesures

Amplificateur de charge+

étage de polarisation

PC

Photodiode

Cryostat

Générateurd’impulsions

JSET

Supporten cuivre

Fibre optique

Amplification

Bobines de champmagnétique

10 mm

Support en cuivre

37

Réponse du détecteur à un paquet Réponse du détecteur à un paquet de photonsde photons

0,2 0,3 0,4 0,5 0,6

-4000

-2000

0

2000

4000

6000

8000

10000

No

mb

re d

e c

ha

rge

s

ms

2 courbes de réponse issues de la même acquisition2 courbes de réponse issues de la même acquisition

Jonction Jonction 40 *40 40 *40

mmmm2 2 RRNN=37 =37 cmcm22

Paramètres Paramètres ::

T= 130 mKT= 130 mK

B = 30 B = 30 GaussGauss

Vp = 80 Vp = 80 VV

IIfuitefuite = 2,4 = 2,4 nA nA

38

0,2 0,3 0,4 0,5 0,6-6000

-4000

-2000

0

2000

4000

6000

8000

10000

No

mb

re d

e c

ha

rge

s

ms

Ajustement des impulsionsAjustement des impulsions

• Hauteur des pics proportionnelle à Hauteur des pics proportionnelle à l’énergie absorbéel’énergie absorbée

• Utilisation de la moyenne des Utilisation de la moyenne des impulsions M(t) comme gabaritimpulsions M(t) comme gabarit

• Ajustement de chaque impulsion i Ajustement de chaque impulsion i sous la forme : sous la forme : ii *M(t)+ *M(t)+ii

2 courbes de 2 courbes de réponse et moyenne réponse et moyenne

des impulsionsdes impulsions

130 130 mKmK

39

Courbes de réponse et Courbes de réponse et ajustementajustement

0,2 0,3 0,4 0,5 0,6

-3000

0

3000

6000

9000

Nom

bre

de

char

ges

ms

40

0,2 0,3 0,4 0,5 0,6

-3000

0

3000

6000

9000

No

mb

re d

e c

ha

rge

s

ms

Courbes de réponse Courbes de réponse et leur ajustement et leur ajustement

• NNii = = ii * N * Nmoyenmoyen

• Evaluation de Evaluation de QP QP comme le comme le

temps de montée : temps de montée : 18 18 ± 1 ± 1 ss

Extraction du nombre de Extraction du nombre de charges Ncharges Nii

41

Jonction Jonction 40 *40 40 *40

mmmm2 2 RRNN=37 =37 cmcm22

Paramètres Paramètres ::

T= 130 mKT= 130 mK

B = 30 B = 30 GaussGauss

Vp = 80 Vp = 80 VV

IIfuitefuite = 2,4 = 2,4 nA nA

2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 120

20

40

60

12,89,66,43,2

Cou

ps

*2800 charges

2800 charges

Energie (eV)

Histogramme du nombre de Histogramme du nombre de charges détectées par impulsion charges détectées par impulsion

lumineuselumineuse

Histogramme de détectionHistogramme de détection

42

Histogramme de détectionHistogramme de détection

2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 120

20

40

60

12,89,66,43,2

Cou

ps

*2800 charges

2800 charges

Energie (eV)

• N(1 photon) = 2800 eN(1 photon) = 2800 e--

pour Npour N0 0 = 2000 QP= 2000 QP

Soit <n>Soit <n>exp exp = 1,4= 1,4

• Sensibilité 1800 eSensibilité 1800 e--/eV/eV

• EtEtQPQP = 18 = 18 ± 1 ± 1 ss

tt ~ 1 ~ 1 ss

soit <n>soit <n>thth~ 18~ 18Histogramme du nombre de Histogramme du nombre de

charges détectées par impulsion charges détectées par impulsion lumineuselumineuse

43

… … à Và Vpp = 0,1 mV = 0,1 mV

4 6 8 10 12 140

5

10

15

20

25

30

35

Cou

ps

*2800 charges

Même Même configuration configuration

sauf :sauf :

VVp p : 80 : 80 100 100 VV

If : 2,4 If : 2,4 4 nA 4 nA

44

Comparaison à l’état de l’artComparaison à l’état de l’art

Groupe ESTEC ESTEC PSI (suisse) Yale Riken Cette thèse

Jonction Ta/Al Al Ta/Al Ta/Al Nb/Al Ta/AlRéseaux 12*10 * * 2 * 3*3

RN (cm2) 2 7 4 7 2 30

RD (cm2) 30 1,9 2 * 0,08 0,8

Pouvoir de Résolution

E/E

15 à =500nm

10 à =500nm

2,5 à =500nm

1,7 à =340 nm

2,5 à=500nm

~1 à = 780 nm

ConclusionConclusion

46

Principaux résultatsPrincipaux résultats

• Conception et développement d’un procédé de fabrication Conception et développement d’un procédé de fabrication de jonctions:de jonctions:

• Film de Ta épitaxiés de RRR = 45Film de Ta épitaxiés de RRR = 45• Excellente fiabilité (<5% de jonctions défectueuses)Excellente fiabilité (<5% de jonctions défectueuses)• Homogénéité et robustesse des dispositifs Homogénéité et robustesse des dispositifs

• Caractérisation électrique des dispositifsCaractérisation électrique des dispositifs• Courant de fuite dans le cadre de l’état de l’artCourant de fuite dans le cadre de l’état de l’art• Transparence des jonctions en cours d’améliorationTransparence des jonctions en cours d’amélioration

• Détection de paquets de 5 à 8 photons avec Détection de paquets de 5 à 8 photons avec E > E E > E comptage de photons à 0,78 comptage de photons à 0,78 mm

47

PerspectivesPerspectives

• Fiabilisation du procédé de fabrication sous Fiabilisation du procédé de fabrication sous conditions d’oxydation réduiteconditions d’oxydation réduite

• Possibilité d’aborder les jonctions tout AlPossibilité d’aborder les jonctions tout Al

• Comptage de photons jusqu’à 2 Comptage de photons jusqu’à 2 m m Application aux longueurs d’ondes télécomsApplication aux longueurs d’ondes télécoms

Spectro-imagerie pour l’astronomie avec les matrices Spectro-imagerie pour l’astronomie avec les matrices de de détecteurs (visible et proche IR)détecteurs (visible et proche IR)

48

49

50

Potentiel d’appariementPotentiel d’appariement

AlAl

TaTa

jonctionjonction

TaTaAlAl

Un

ités

de

Un

ités

de

Ta

Ta

nmnm

Evolution du potentiel d’appariement Evolution du potentiel d’appariement dans la bicouche Al/Ta dans la bicouche Al/Ta

((d’après Brammertz, 2003d’après Brammertz, 2003))

Pote

nti

el

Pote

nti

el

d’a

pp

ari

em

en

td

’ap

pari

em

en

t

51

Comparaison avec le précédent Comparaison avec le précédent procédéprocédé

RN (cm2) RD (cm2)

Cette thèse Ta/Al 35 0,8 0,45 1800

Thèse B. Delaët Nb/Al 40 10* 0,6 980

Type de jonction

Caractéristiques électriques Sensibilité (charges/eV)

Gap (meV)

52

Courant de paires et Courant de paires et évaluation de dévaluation de d

• Effet Josephson continu

• Effet Josephson alternatif

• Dépendance en B suppression du courant Josephson

t

eV

h4 I I 0 sinavec

-10 -8 -6 -4 -2 0 2 4 6 8 100,00

0,02

0,04

0,06

0,08

0,10

0,12

Cou

rant

cri

tique

en

mA

Champ en Gauss

Courbe de dépendance du courant Courbe de dépendance du courant au champ magnétique. Les points au champ magnétique. Les points expémimentaux sont ajuster par expémimentaux sont ajuster par

un sincun sinc

0

4

dB

x

Courant de Courant de paires de cooper paires de cooper

::

d 100 nmLB

td

021

53

Marche defiske et évaluation Marche defiske et évaluation de tde t

-1,0 -0,5 0,0 0,5 1,0

-15

-10

-5

0

5

10

15Superposition de courbesmettant en évidence la1ère marche de Fiske

Première marche deFiske à V=0.22 mV

Co

ura

nt (m

A)

Tension (mV)

• Marche de Fiske: Vn c

L

t

dn

r

0

2*

t=1,2nmt=1,2nm

54

GroupeCette Thèse

Cette Thèse

ESTECPSI

(Suisse)Yale

Riken (Japon)

jonction Ta/Al Ta/Al Al Ta/Al Ta/Al Nb/Al

Taille (m) 40*40 25*25 30*30 20*20 10*10 20*20

Rn (cm2) 40 3 7 4 7 2

Paramètres200 mbar,

25 min.10 mbar, 20 min.

*0,5 mbar,

1 h15% de 4

mbar, 12 min1,3 mbar, 20

min.

Paramètres d’oxydation de la Paramètres d’oxydation de la barrière et comparaison barrière et comparaison

internationale : internationale :

55

Réponse du détecteur à un paquet Réponse du détecteur à un paquet de photonsde photons

0,2 0,3 0,4 0,5 0,6

-0,2

0,0

0,2

0,4

0,6

V

ms

2 Courbes de réponse du détecteur 2 Courbes de réponse du détecteur consécutive à l’absorption des 2 paquets de consécutive à l’absorption des 2 paquets de

photons pendant la même acquisitionphotons pendant la même acquisition

• Hauteur des pics <n>N0 Hauteur des pics <n>N0 E E

56