méthodologie de conception de cartes...
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1 Méthodologie de Conception de Cartes Rapides - Ecole d‘Electronique Numérique IN2P3 Cargèse 2003 -
MMééthodologie de Conceptionthodologie de Conception
de Cartes Rapidesde Cartes Rapides
JeanJean--Michel Sainson CERN ITMichel Sainson CERN IT--PS/EASPS/EAS
(Electronic Applications Support) (Electronic Applications Support)
[email protected]@cern.ch
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ProgrammeProgramme
ProblProbléématique de Dmatique de Dééveloppement de Cartes Rapidesveloppement de Cartes RapidesSolution BasSolution Baséée sur le Flux de Conception de Circuits e sur le Flux de Conception de Circuits ImprimImpriméés Rapides Cadences Rapides Cadence®®
Partage des Taches Entre Conception & ImplantationPartage des Taches Entre Conception & Implantationde Cartes Rapidesde Cartes RapidesDDéémonstration DDR SDRAM monstration DDR SDRAM
DescriptionDescriptionExploration Capture & Exploration Capture & SetupSetupImplantation du PCB & VImplantation du PCB & VéérificationrificationAnalysesAnalyses
ConclusionConclusionConclusion sur la MConclusion sur la MééthodologiethodologieImpact sur les MImpact sur les Mééthodes de Travail des Laboratoiresthodes de Travail des Laboratoires
AnnexesAnnexesAnnexe 1: Annexe 1: Approvisionnement et VApprovisionnement et Véérification des Modrification des Modèèles IBIS les IBIS Annexe 2: Limitations de la Version 14.2 & Ameliorations FutureAnnexe 2: Limitations de la Version 14.2 & Ameliorations Futures (15.0)s (15.0)Annexe 3: Sites WEB Cadence & Annexe 3: Sites WEB Cadence & XilinxXilinxAnnexe 4: First Switch Final Settle Delay Measurements PointsAnnexe 4: First Switch Final Settle Delay Measurements Points
Méthodologie de Conception de Cartes Rapides - Programme -
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3 Méthodologie de Conception de Cartes Rapides - Ecole d‘Electronique Numérique IN2P3 Cargèse 2003 -
ProblProbléématique de Dmatique de Dééveloppementveloppement
de Cartes Rapidesde Cartes Rapides
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Exemple de Carte Rapide Pour Exemple de Carte Rapide Pour LHCbLHCb
2 x 4 GIGABIT MEDIA INDEPENDENT INTEFACE UNITS (GMII)(4 GIGABIT ETHERNET)
Full Duplex 8 bit data Bus 125 MHz ClockLVTTL (tr, tf = 400ps min)
DATA-ALIGNED SYNCHRONOUS LINKS (DASL)2 x 8 EIA/JEDEC JESD8-6 standard
channel for differential HSTL (tr, tf = 300ps min)
(Up to 625 Mbps per channel)
Carte Mezzanine Processeur de RCarte Mezzanine Processeur de Rééseau NP4GS3seau NP4GS3La rapidité des technologies de cette carte (tr, tf < 500ps min) rendent critique l’intégrité des signaux et/ou le timing d’un grand nombre de lignes
A B C D
NP4GS3
2x8Mx16DDR
(D0)
2x32Mx4DDRDATA
(D6)
2x32Mx4DDRDATA
(D6)
2x32Mx4DDR
PARITY
(D6)
2x8Mx16DDRDATA(DS1)
2x8Mx16DDRDATA(DS0)
2x8Mx16PARITY
(D4)
8Mx16DDR
(D1)
8Mx16DDR
(D2)
8Mx16DDR
(D3)
2x512kx18
SRAM
(LU)
512kx18SRAM
(SCH)
PCI32bits
33/66MHz
DASLA & B
DRAM Control
DRAM Control
DRAM Data
DRAM Control
DRAM Data
JTAG
3.3V
1.8V
2.5V
53.3 MHZ
125 MHZ
1088-Pin (CCGA) Package
Fine Pitch 1.27 mm 815 I/O
Double Data Rate SDRAM INTERFACEJEDS8-9A SSTL2 Standard
Stub Series Terminated Logic for 2.5V(tr, tf = 500ps min)
CLK 133 MHZ
14 layers± 10%
Controlled ImpedanceBoard
DMUs
Méthodologie de Conception de Cartes Rapides - Problématique de Développement de Cartes Rapides -
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5
CaractCaractéérisation risation des Cartes Numdes Cartes Numéériques Rapidesriques Rapides
Contraintes des Cartes NumContraintes des Cartes Numéériques Rapidesriques RapidesFamilles logiques à front de commutation rapides comparativement aux longueurs des lignes Contrôle du nombre de ViaLignes simple ou différentielle à impédance contrôléeDiaphonieObligation d’adapter (thévenin, série, rc, etc..)Maîtrise des temps de propagation maximum et minimumContrôle des temps de propagation relatifsLongueur totale des gravures "etch"Boîtiers à très haute densité de brochesPrise en compte de l’influence des boîtiers et des connecteursRespect des temps de "setup & hold"Les Nets ont Souvent des Contraintes MultiplesGrand pourcentage de NETS contraints
Le Grand Pourcentage de NETS Contraints est SLe Grand Pourcentage de NETS Contraints est Sûûrement ce rement ce qui Caractqui Caractéérise le Plus une Carte Rapiderise le Plus une Carte Rapide
La Prise en Compte des ces Besoins par le Flux de Conception La Prise en Compte des ces Besoins par le Flux de Conception est Maintenant Proposest Maintenant Proposéée par Diffe par Difféérents rents EditeursEditeurs de CAOde CAO
Méthodologie de Conception de Cartes Rapides - Problématique de Développement de Cartes Rapides -
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6 Méthodologie de Conception de Cartes Rapides - Ecole d‘Electronique Numérique IN2P3 Cargèse 2003 -
Solution BasSolution Baséée sur le Flux dee sur le Flux de
Conception de Circuits Conception de Circuits
ImprimImpriméés Rapides de Cadences Rapides de Cadence®®
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BasBaséé sur la Nouvelle Application sur la Nouvelle Application ""ConstraintConstraint ManagerManager"" FFééddéérantrantSignal Explorer-Expert (SigXplorer) outil d’exploration de topologies physiquesConcept-HDL outil de capture de schémas logiquesSPECCTRAQuest SI Expert (SPECCTRAQuest) plat-forme d’analyse d’intégritédes signaux pre et post layoutALLEGRO-Expert (ALLEGRO) outil de placement routage interactif SPECCTRA routeur automatique optionnel
SigXplorer
Concept-HDL SPECCTRAQuest Allegro
SigXplorer SigXplorer
Constraint Manager
SigXplorer
Flux de Conception de PCB Rapides
Exploration Capture SetupImplantation
& Vérification
SPECCTRA
SPECCTRAQuest
SigXplorer
Analyses
Constraint Manager
Flux de Conception de Circuits Flux de Conception de Circuits ImprimImpriméés Rapides Cadences Rapides Cadence®® PSD 14.2PSD 14.2
Méthodologie de Conception de Cartes Rapides - Solution Basée sur le Flux de Conception Cadence® -
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Capture et Simulation dCapture et Simulation d’’une Topologie une Topologie SigXplorerSigXplorer de BUS Multipoints de BUS Multipoints
Exploration: Exploration: SigXplorerSigXplorer (Exemple 1)(Exemple 1)
Méthodologie de Conception de Cartes Rapides - Solution Basée sur le Flux de Conception Cadence® -
Modèles IBIS
Lignes de transmission
55 Ω
Dérivationcontrôlées"T Points"
Simulation du BUS Multipoints
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Capture et Simulation ParamCapture et Simulation Paraméétriques dtriques d’’une une Topologie dTopologie d’’Adaptation SAdaptation Séérie rie
Méthodologie de Conception de Cartes Rapides - Solution Basée sur le Flux de Conception Cadence® -
Exploration: Exploration: SigXplorerSigXplorer (Exemple 2)(Exemple 2)
Tableau de résultats de simulations paramétriques
RRéésultats de Simulations sultats de Simulations Traduit en Contraintes Traduit en Contraintes AssociAssociéées es àà la Topologiela Topologie
Variation paramétrique des longueurs de
lignes (3 simulations)
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Capture et Simulation Capture et Simulation «« HH--SpiceSpice »» dd’’une Topologie une Topologie MultiMulti--GigabitGigabit FPGA XILINX FPGA XILINX VirtexVirtex II II Le progiciel Xilinx "Rocket I/O™ SPECCTRAQuest High-Speed Design Kit" est dédié à l’implantation physique de la technologie Virtex-II Pro™ 3.125Gbs MGT de cette compagnieLes analyses préalables faites sous SigXplorer permettent d’évaluer les effets de l’ensemble des constituants de l’interconnexion Gigabit: préaccentuation, boîtiers, pistes différentielles, vias couplés, connecteurs, non appairage des pistes "skew", etc..
Exploration: Exploration: SigXplorerSigXplorer (Exemple 3)(Exemple 3)
Méthodologie de Conception de Cartes Rapides - Solution Basée sur le Flux de Conception Cadence® -
Ex: Eye Diagramavec ou sans préaccentuation
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Placement DirigPlacement Dirigéé par les Contraintes par les Contraintes «« ConstraintsConstraints DrivenDriven PlacementPlacement »»
Implantation:Implantation:ConstraintConstraint Manager // Manager // AllegroAllegro--ExpertExpert (CM2AE)(CM2AE)
Méthodologie de Conception de Cartes Rapides - Solution Basée sur le Flux de Conception Cadence® -
Violation de contrainte de placement d’une adaptation série.La longueur maximum permise de 800MIL entre l’émetteur et l’entrée de l’adaptation série est de 1340 MIL
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Routage DirigRoutage Dirigéé par les Contraintes par les Contraintes «« ConstraintsConstraints DrivenDriven RoutingRouting »»
Implantation:Implantation:ConstraintConstraint Manager // (Manager // (AllegroAllegro--ExpertExpert+SPECCTRA)+SPECCTRA)
Méthodologie de Conception de Cartes Rapides - Solution Basée sur le Flux de Conception Cadence® -
Respect de longueurs maximum(3250 MIL) de 4 lignes (ADDR0-ADDR3) d’un BUS Multipoint
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13 Méthodologie de Conception de Cartes Rapides - Ecole d‘Electronique Numérique IN2P3 Cargèse 2003 -
Partage des Taches Partage des Taches
Entre Entre
Conception & Implantation Conception & Implantation
de Cartes Rapidesde Cartes Rapides
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Phases de ConceptionPhases de Conception
Exploration et Analyses de Topologies avec SigXplorerCapture du Schéma sous Concept-HDL et des Contraintes associéesavec Constraint Manager connecté à Concept-HDL (CM2C)Setup de la Carte sous SPECCTRAQuest et des Contraintes Associéesavec Constraint Manager Connecté à SPECCTRAQuest (CM2SQ)Analyses Finales Après Implantation de la Carte avec Constraint Manager Connecté àSPECCTRAQuest (CM2SQ)Les phases d’Exploration sous SigXplorer, ainsi que celle d’analyses sous SPECCTRAQuest sont optionnelles, dépendantes de la méthode de conception utilisée; voir transparent No 18 (Principales Méthodes de Conception)
Méthodologie de Conception de Cartes Rapides - Partage des Taches Entre Conception & Implantation Cartes -
SigXplorer
Concept-HDL SPECCTRAQuest Allegro
SigXplorer SigXplorer
Constraint Manager
SigXplorer
Exploration Capture Setupde la Carte
SPECCTRA
SPECCTRAQuest
SigXplorer
Constraint Manager
PCB
SigXplorer
Concept-HDL SPECCTRAQuest Allegro
SigXplorer SigXplorer
Constraint Manager
SigXplorer
Exploration Capture Setupde la Carte&
Vérification
SPECCTRA
SPECCTRAQuest
SigXplorer
Analyses
Constraint Manager
ImplantationConception Conception
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Phases dPhases d’’Implantation du PCBImplantation du PCB
Placement / Routage puis Vérification du Circuit Imprimé Contraint avec Allegro-Expert et Constraint Manager Connecté à Allegro-Expert (CM2AE)Routage Automatique sous Contraintes Optionnel avec SPECCTRA
Méthodologie de Conception de Cartes Rapides - Partage des Taches Entre Conception & Implantation Cartes -
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Taches de ConceptionTaches de Conception
A capture du schémaB capture de contraintes génériques (ECSets)B1 déclaration des librairies IBIS & développement
de topologies contraintesC exportation vers la base de données
physique ALLEGRO
D setup de la base de donnéesphysique (empilement, alimentation, etc..)
D1 assignement des modèles IBIS sur la carte
E association des contraintes génériques(ECSets) aux Net physiques
F vérification du respect des contraintesaprès implantation
G analyse (simulation) des parties critiquesaprès implantation
Description Logique Description Physique
Méthodologie de Conception de Cartes Rapides - Partage des Taches Entre Conception & Implantation Cartes -
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.. vérification de l’ensemble des Setup de base ALLEGRO-Expert et des contraintes CM2AE
placement et routage interactif sous contraintes avec CM2AE // ALLEGRO-Expert ouautomatique avec CM2AE // (ALLEGRO-Expert + SPECCTRA)
Taches dTaches d’’Implantation du PCBImplantation du PCB
Conception
SPECCTRA(OPTION)
SPECCTRAQuestExpert
orALLEGRO-Expert
(.BRD)(.BRD)Constrained
BoardDatabase
High Speed Layout
Constraint ManagerConnected to
ALLEGRO ( CM2A )
PhysicalNETs
ECSets
De / vers
Méthodologie de Conception de Cartes Rapides - Partage des Taches Entre Conception & Implantation Cartes -
La fiabilité et l’exhaustivité du Setupde la base de données (empilement, alimentations, etc..) est capital pour le bon fonctionnement du ConstraintManager qui, si ce n’est pas le cas, peut avoir un fonctionnement erroné.
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Principales MPrincipales Mééthodes de Conceptionthodes de Conception
MMééthodes de Conceptionthodes de Conception ButBut
VVéérificationrification& Analyses & Analyses
dd’’IntIntéégritgritéé des des Signaux ou de Signaux ou de
Timing Timing
Besoin de Besoin de ModModèèle IBISle IBIS
11BasBaséée sur des Re sur des Rèèglesgles Non
OuiOui
OuiOui
OuiOui
22BasBaséée sur des Re sur des Rèègles gles avec Simulations PCBavec Simulations PCB
33DDééveloppement de Contraintesveloppement de Contraintes
44DDééveloppement de Contraintesveloppement de Contraintes
Avec Simulations PCBAvec Simulations PCB
Implantation des rImplantation des rèègles de gles de layoutlayout fournies par le fabricant fournies par le fabricant de lde l’’ICIC
NonNon
Implantation des rImplantation des rèègles de gles de layoutlayout fournies par le fabricant fournies par le fabricant de lde l’’ICICSuivi Suivi dd’’une phase de une phase de vvéérification & analysesrification & analyses de la de la carte aprcarte aprèès implantations implantation
OuiOui
DDééveloppement veloppement de ses de ses propres rpropres rèègles de gles de layoutlayout,,aucune directive provenant du aucune directive provenant du fabricant de lfabricant de l’’IC IC
NonNon
DDééveloppement veloppement de ses de ses propres rpropres rèègles de gles de layoutlayout, , aucune directive provenant du aucune directive provenant du fabricant de lfabricant de l’’ICICSuiviSuivi dd’’une phase de une phase de vvéérification & analysesrification & analyses de la de la carte aprcarte aprèès implantations implantation
OuiOui
Méthodologie de Conception de Cartes Rapides - Partage des Taches Entre Conception & Implantation Cartes -
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19 Méthodologie de Conception de Cartes Rapides - Ecole d‘Electronique Numérique IN2P3 Cargèse 2003 -
DDéémonstration DDR SDRAM monstration DDR SDRAM
(Description)(Description)
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Objet de la DObjet de la DéémonstrationmonstrationPlacer et Router sur une Carte Mezzanine un Sous Ensemble dPlacer et Router sur une Carte Mezzanine un Sous Ensemble d’’Interface DDR Interface DDR SDRAM (D6) en Utilisant les Directives dSDRAM (D6) en Utilisant les Directives d’’Implantation Physique DImplantation Physique Déélivrlivréées par le es par le Constructeur du Processeur de RConstructeur du Processeur de Rééseau NP4GS3seau NP4GS3
A B C D
NP4GS3
2x8Mx16DDR
(D0)
2x32Mx4DDRDATA
(D6)
2x32Mx4DDRDATA
(D6)
2x32Mx4DDR
PARITY
(D6)
2x8Mx16DDRDATA(DS1)
2x8Mx16DDRDATA(DS0)
2x8Mx16PARITY
(D4)
8Mx16DDR
(D1)
8Mx16DDR
(D2)
8Mx16DDR
(D3)
2x512kx18
SRAM
(LU)
512kx18SRAM
(SCH)
DMUs
PCI32bits
33/66MHz
DASLA & B
DRAM Control
DRAM Control
DRAM Data
DRAM Control
DRAM Data
JTAG
3.3V
1.8V
2.5V
53.3 MHZ
125 MHZ
64 MB DDR SDRAM6 Samsung (32X4) K4H280438C-TCA2I/O technologies Stub series Terminated Logic 2.5V (SSTL2) & CMOS66 pins TSOP II Package
D6 INTERFACE ARCHITECTURE18 bits DATA BUS13 bits ADDRESS BUSDifferential ClockClock Cycle 133 MHZDouble-data rate architecture; two transfers per clock cycleI/O technologies Stub series Terminated Logic 2.5V (SSTL2)& CMOS
Méthodologie de Conception de Cartes Rapides - Démo DDR SDRAM (Description) -
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Directives du Fabricant dDirectives du Fabricant d’’IC (1/2) IC (1/2) RRèèglesgles CNTRL_ADDRCNTRL_ADDR
Circuit équivalent d’adaptation des lignes multidrop CNTRL & ADDR = 50 ΩEmpilement à impédance contrôllée de la carte = 55 Ω ± 10 %Distance maximum entre le NP4GS3 et la SDRAM la plus éloignée ne doit pas dépasser 3.25 inchesLes dérivations (stub) vers les broches SDRAM ne doivent pas être supérieure à 0.25 inches
NP4GS3
100 Ohms
2.5V
100 Ohms
100 Ohms
2.5V
100 Ohms100 Ohms
2.5V
100 Ohms
100 Ohms
2.5V
100 Ohms
13 ADDRESS LINES
10 CONTROL LINES
DDR SDRAM(32M x 4)
SAMSUNGK4H280438C
DDR SDRAM(32M x 4)
SAMSUNGK4H280438C
DDR SDRAM(32M x 4)
SAMSUNGK4H280438C
DDR SDRAM(32M x 4)
SAMSUNGK4H280438C
DDR SDRAM(32M x 4)
SAMSUNGK4H280438C
DDR SDRAM(32M x 4)
SAMSUNGK4H280438C
Adaptation Thévenin 50 Ω
Zo = 55 Ω ± 10%
L ≤ 3.25 inches
Stub ≤ 0.25 inches
Méthodologie de Conception de Cartes Rapides - Démo DDR SDRAM (Description) -
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RRèèglesgles DA_DQSDA_DQSToutes les lignes DATA et DQS doivent être adaptées avec une résistance série de 22-29 Ω éloignéeau maximum de 1 inch du NP4GS3 La partie adjacente au NP4GS3 ne doit pas représenter plus de 25 % de la longueur totaleLa longeur L de chaque bus DATA ou strobe DQS associé doit etre comprise entre 1 inch ≤ L ≤ 3.25 inchesChaque ensemble de 4 lignes DATAx doit avoir un glissement "skew" de ± 70 ps par rapport au strobe associé DQSx. Des simulations IBIS sont recommandées pour vérifier ce timing
Directives du Fabricant dDirectives du Fabricant d’’IC (2/2)IC (2/2)
≤ 1 inch
1 inch ≤ L ≤ 3.25 inches
DQS (Vs) 4 DATA skew
± 70 ps NP4GS3
DDRSDRAM
(32M x 4)
SAMSUNGK4H280438C
DDRSDRAM
(32M x 4)
SAMSUNGK4H280438C
DDRSDRAM
(32M x 4)
SAMSUNGK4H280438C
DDRSDRAM
(32M x 4)
SAMSUNGK4H280438C
DDRSDRAM
(32M x 4)
SAMSUNGK4H280438C
DDRSDRAM
(32M x 4)
SAMSUNGK4H280438C
4 DATA LINES
DQS022-29Ohms
4 DATA LINES
DQS122-29Ohms
1 DATA LINES
DQS5
DQS222-29Ohms
4 DATA LINES
DQS322-29Ohms
1 DATA LINES
DQS422-29Ohms
22-29Ohms
4 DATA LINES
Zo = 55 Ω ± 10%
Méthodologie de Conception de Cartes Rapides - Démo DDR SDRAM (Description) -
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Taches de ConceptionTaches de Conception
A Concept-HDL: capture du schémaB CM2C: capture des ECSets CNTRL_ADD B1 SigXp: déclaration des libraries Ibis (Dml)
(DDR SDRAM & NP4GS3) préalable à la capture de la topologie DA_DQS (XNet)
B2 SigXp: capture de la topologie contrainteDA_DQS
B3 Concept-HDL : importation de la topologiecontrainte DA_DQS de SigXp
Exploration
(.TOP)
SigXplorer
ConstrainedTopologies
Concept-HDL
ConstrainedSchematic
CaptureDesign Sync
Export Phys
Import Phys.
SPECCTRAQuest
(.BRD)Constrained
BoardDatabase
Layout DTB Setup
Constraint ManagerConnected
toSPECCTRAQuest
PhysicalNETs
ECSets
Constraint ManagerConnected
to Concept-HDL
ECSets
A
B2
C D
E F
De / Vers
Implantation
G
D1
Avant Implantation
Après Implantation
B
ExplorationExploration
(.TOP)
SigXplorer
ConstrainedTopologies (.TOP)(.TOP)
SigXplorer
ConstrainedTopologies
Concept-HDL
ConstrainedSchematic
CaptureDesign Sync
Export Phys
Import Phys.
Design Sync
Export Phys
Import Phys.
SPECCTRAQuest
(.BRD)Constrained
BoardDatabase
SPECCTRAQuest
(.BRD)(.BRD)Constrained
BoardDatabase
Layout DTB Setup
Constraint ManagerConnected
toSPECCTRAQuest
PhysicalNETs
ECSets
Constraint ManagerConnected
to Concept-HDL
ECSets
A
C D
E F
G
D1
B
C Concept-HDL: exportation vers la base de données physique (Packager-XL +NETREV)
D SPECCTRAQuest-Expert: Setup de la base de données; cross section, identification nets DC, Autosetup des modèles discrets (R, L, C)
D1 SPECCTRAQuest-Expert: Assignation des modèles Ibis: (6 x DDR SDRAM & 1 x NP4GS3)
E CM2SQ:CNTRL_ADD & DA_DQS: Association des contraintes ECSets aux NETs physiques
F CM2SQ:Vérification non violation après implantation
G CM2SQ:Simulation skew ± 70 ps bus DATAx & DQSxaprès implantation
B3
B1
Méthodologie de Conception de Cartes Rapides - Démo DDR SDRAM (Description) -
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Taches dTaches d’’Implantation du Circuit ImprimImplantation du Circuit Impriméé
+ + + vérification de la conformité du Setup avec ALLEGRO-Expert et/ou SPECCTRAQuest-Expert- Empilement de la carte (résultats plus précis avec SPECCTRAQuest)- Identification des nets DC- Autosetup des modèles discrets (R, L, C)- Assignation des modèles Ibis composants actifs (6 x DDR SDRAM & 1 x NP4GS3)
vérification de l’association des ECSets aux NETs physiques depuis CM2AEplacement et routage automatique sous contraintes avec CM2AE // (ALLEGRO-Expert + SPECCTRA)
Méthodologie de Conception de Cartes Rapides - Démo DDR SDRAM (Description) -
Conception
SPECCTRA(OPTION)
SPECCTRAQuestExpert
orALLEGRO-Expert
(.BRD)(.BRD)Constrained
BoardDatabase
High Speed Layout
Constraint ManagerConnected to
ALLEGRO ( CM2A )
PhysicalNETs
ECSets
De / vers
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25 Méthodologie de Conception de Cartes Rapides - Ecole d‘Electronique Numérique IN2P3 Cargèse 2003 -
DDéémonstration DDR SDRAMmonstration DDR SDRAM
(Exploration Capture & (Exploration Capture & SetupSetup))
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[ Tache A ] Capture du Sch[ Tache A ] Capture du Schééma ma ConceptConcept--HDLHDL
Méthodologie de Conception de Cartes Rapides - Démo DDR SDRAM (Exploration Capture & Setup) -
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[ [ TacheTache B1 ]B1 ] Declaration des Libraries Ibis Declaration des Libraries Ibis DepuisDepuis SigXpSigXp
np4gs3b.dml (ou ibis) librairie fournie par le fabricant de l’IC
28h4088a.dml(ou ibis) librairie provenant du siteWEB SAMSUNG
DDééclaration des Librairies Depuis SigXp ( claration des Librairies Depuis SigXp ( PrPrééalable alable àà la Capture Topologie DA_DQS )la Capture Topologie DA_DQS )
Méthodologie de Conception de Cartes Rapides - Démo DDR SDRAM (Exploration Capture & Setup) -
Ces deux cellules I/O seront utilisées pour développer la
topologie contrainte DA_DQS
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28
ECSets CNTRL_ADD & DA_DQSECSets CNTRL_ADD & DA_DQS
ECSet: Wiring Worksheet
ECSet: Impedance Worksheet
ECSet: Min/Max Propagation DelaysWorksheet
ECSet: Relative Propagation DelayWorksheet
[ [ TachesTaches B + B3 ] B + B3 ] Vue dVue d’’Ensemble des Ensemble des ECSetsECSetsDepuis Depuis ConceptConcept--HDLHDL
Méthodologie de Conception de Cartes Rapides - Démo DDR SDRAM (Exploration Capture & Setup) -
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29
Carte Mezzanine Cible Carte Mezzanine Cible ààImpImpéédance Contrôldance Contrôlééee
6 couches 55 Ohms ± 10 %Empilement dépendant du procédé de fabrication de la carteUn minimum de structuresmicrostrip et stripline typiques doivent tout d’abord être définiesSi nécessaire pour le routage, des couches internes striplinesupplémentaires pourront être ajoutées plus tard pendant la phase d’implantation
Cadence® High-Speed PCB Design Flow - Basic Layout Data Base Setup -
[ [ TacheTache C ] C ] Exportation Vers la Base de Exportation Vers la Base de DonnDonnéées Physiquees Physique
Les impédances des structures microstrip et stripline sont calculées en temps réel par le Field Solver interne à SPECCTRAQuest.Chaque changement de paramètre de l’empilement (largeur de ligne, etc..) peut être evalué pour trouver une combinaison optimum de l’empilement
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30
Vue Globale des Association Vue Globale des Association ImpImpéédancedanceaux Net Physiques de la Carteaux Net Physiques de la Carte
Colonnesd’objets
ECSetréférencés
Contrainte générique (ECSets)
Contraintes d’impédance associées aux NET physiques
de la mezzanine
[[TacheTache E ] E ] Association des Contraintes Association des Contraintes ECSetECSetaux Net Physiques (1/4)aux Net Physiques (1/4)
Méthodologie de Conception de Cartes Rapides - Démo DDR SDRAM (Exploration Capture & Setup) -
-
31
Pin Pair DATA0
ECSet CNTRL_ADDR
ECSet DA_DQS
Vue Globale des Associations Vue Globale des Associations Min/Max Min/Max PropProp DelayDelayaux Net Physiques de la Carteaux Net Physiques de la Carte
Contraintes longueur Min/Max
associées aux NET physiques dela mezzanine
[[TacheTache E ] E ] Association des Contraintes Association des Contraintes ECSetECSetaux Net Physiques (2/4)aux Net Physiques (2/4)
Méthodologie de Conception de Cartes Rapides - Démo DDR SDRAM (Exploration Capture & Setup) -
-
32
ECSet CNTRL_ADDR
ECSet DA_DQS
Vue Globale des Association des Vue Globale des Association des wiringwiringaux Net Physiques de la Carteaux Net Physiques de la Carte
Contraintes wiringassociées aux NET
physiques de la mezzanine
[[TacheTache E ] E ] Association des Contraintes Association des Contraintes ECSetECSetaux Net Physiques (3/4)aux Net Physiques (3/4)
Méthodologie de Conception de Cartes Rapides - Démo DDR SDRAM (Exploration Capture & Setup) -
-
33
Pin Pair de référence target
(DQS0)
Sélection de latarget DQSO
Vue Globale des Associations Vue Globale des Associations MachedMached Group 1 (M1)Group 1 (M1)aux Net Physiques de la Carteaux Net Physiques de la Carte
Objet Match Group (M1) crée automatiquement durant l’association
DA_DQS
5 objets membres duMatch Group M1
[[TacheTache E ] E ] Association des Contraintes Association des Contraintes ECSetECSetaux Net Physiques (4/4)aux Net Physiques (4/4)
Méthodologie de Conception de Cartes Rapides - Démo DDR SDRAM (Exploration Capture & Setup) -
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34 Méthodologie de Conception de Cartes Rapides - Ecole d‘Electronique Numérique IN2P3 Cargèse 2003 -
DDéémonstration DDR SDRAMmonstration DDR SDRAM
(Implantation du PCB)(Implantation du PCB)
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Constraint Manager // (AllegroConstraint Manager // (Allegro--Expert + SPECCTRA) Expert + SPECCTRA) (CM2AE) (CM2AE) ououConstraint Constraint ManangerMananger // (// (SPECCTRAQuestSPECCTRAQuest--Expert + SPECCTRA) Expert + SPECCTRA) (CM2SQ)(CM2SQ)
Violation du temps de propagation maximum après placement de IC5
[Implantation] Placement [Implantation] Placement SousSous ContraintesContraintes
Control de violation interactif. Deux possibilités:
Electrical DRC marker (noeud papillon) Couleurs et valeurs de CM2AE
CM2AEWorksheet: Min/Max Propagation Delays
Méthodologie de Conception de Cartes Rapides - Démo DDR SDRAM (Implantation du PCB) -
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36
La résistance d’adaptation série R6 de la ligne DQS0 est trop éloignée de l’émetteur du NP4GS3.
CM2AEWorksheet: Min/Max Propagation Delays
Méthodologie de Conception de Cartes Rapides - Démo DDR SDRAM (Implantation du PCB) -
Constraint Manager // (AllegroConstraint Manager // (Allegro--Expert + SPECCTRA) Expert + SPECCTRA) (CM2AE) (CM2AE) ououConstraint Constraint ManangerMananger // (// (SPECCTRAQuestSPECCTRAQuest--Expert + SPECCTRA) Expert + SPECCTRA) (CM2SQ)(CM2SQ)
Violation du temps de propagation maximum après placement de l’adaptation série R6 (DQS0)
[Implantation] Placement [Implantation] Placement SousSous ContraintesContraintes
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37
Longueur des stub après routage
CM2AEWorksheet: Wiring
Méthodologie de Conception de Cartes Rapides - Démo DDR SDRAM (Implantation du PCB) -
Constraint Manager // (ALLEGROConstraint Manager // (ALLEGRO--Expert (CM2AE) + SPECCTRA) Expert (CM2AE) + SPECCTRA) (CM2AE) (CM2AE) ououConstraint Manager // (Constraint Manager // (SPECCTRAQuestSPECCTRAQuest--Expert + SPECCTRA) Expert + SPECCTRA) (CM2SQ)(CM2SQ)
Routage ALLEGRO/SPECCTRA automatique d’une topologie daisy-chain contrainte avec des stub de longueur max 250 mils
[Implantation] Routage Sous Contraintes[Implantation] Routage Sous Contraintes
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CM2AEWorksheet: Relative Propagation DelayMatch Group (DA_DQS_M1)
Worst case # 8 ps
Constraint Manager // (ALLEGROConstraint Manager // (ALLEGRO--Expert + SPECCTRA) Expert + SPECCTRA) (CM2AE) (CM2AE) ououConstraint Manager // (Constraint Manager // (SPECCTRAQuestSPECCTRAQuest--Expert + SPECCTRA) Expert + SPECCTRA) (CM2SQ)(CM2SQ)
Contraintes multiples sur le Mached Group M1 automatiquement prises en compte par le duoALLEGRO/SPECCTRA
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[Implantation] Routage Sous Contraintes[Implantation] Routage Sous Contraintes
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39 Méthodologie de Conception de Cartes Rapides - Ecole d‘Electronique Numérique IN2P3 Cargèse 2003 -
DDéémonstration DDR SDRAMmonstration DDR SDRAM
(V(Véérification & Analyses)rification & Analyses)
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[[TacheTache F] F] VVéérificationrification de Non Violation de Non Violation AvantAvant Fabrication Fabrication dudu PCBPCB
SousSous--ensemble DDR SDRAM (D6) ensemble DDR SDRAM (D6) PartiellementPartiellement PlacPlacéé & & RoutRoutéé ::Composants placés sur les deux facesLignes routées ADD et DATA + DQS0
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Aucune violation(Pas de DRC Marker)
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CM2SQ: Exemple de Violation de Contrainte CM2SQ: Exemple de Violation de Contrainte
Violation de longueurlength max ligne
DQS0
[Tache F] V[Tache F] Véérification de Non Violation rification de Non Violation Avant Fabrication du PCBAvant Fabrication du PCB
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Longueur de Stub≤ 250 mils
TopologieDaisy Chain
ADDR1
[Tache F] Extraction / V[Tache F] Extraction / Véérification de Topologierification de TopologieTopologieTopologie SigXplorerSigXplorer ligneligne BUS BUS DaisyDaisy--Chain Chain ADDR1ADDR1
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Simulations Simulations Min Min FirstFirst SwitchSwitchVoir Annexe 4: points de mesure Min FirstSwitch Delay
[Tache F] Simulation du [Tache F] Simulation du SkewSkew 1/21/2
Simulations Simulations Max Final SettleMax Final SettleVoir Annexe 4: points de mesure Final Settle Delay
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ΔΔ maxmax Min First Switch Max Final SettleMin First Switch Max Final Settle
Min First SwitchMin First Switch Max Final SettleMax Final Settle
RiseRise FallFall RiseRise FallFallDATA0DATA0 1383 1383 psps 1323 1323 psps 1558 1558 psps 1492 1492 psps
DATA1DATA1 1397 1397 psps 1336 1336 psps 1571 1571 psps 1505 1505 pspsDATA2DATA2 1373 1373 psps 1313 1313 psps 1538 1538 psps 1472 1472 psps
DATA3DATA3 1418 1418 psps 1356 1356 psps 1615 1615 psps 1547 1547 psps
DQS0DQS0 1376 1376 psps 1316 1316 psps 1543 1543 psps 1478 1478 psps
+ + ΔΔ max max = DATA(X) max = DATA(X) max –– DQS0DQS0
+ 42 + 42 psps + 40 ps+ 40 ps + 72 ps + 69 ps+ 69 ps
-- ΔΔ max max = DATA (X) min = DATA (X) min –– DQS0DQS0
-- 3 ps3 ps -- 3 ps3 ps -- 5 ps5 ps -- 6 ps6 ps
2 ps au dessus des directives du fabricant
CONCLUSIONCONCLUSIONLL’’implantation satisfait les implantation satisfait les directives du fabricant ddirectives du fabricant d’’IC IC
[Tache F] Calcul du [Tache F] Calcul du SkewSkew 2/22/2
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45 Méthodologie de Conception de Cartes Rapides - Ecole d‘Electronique Numérique IN2P3 Cargèse 2003 -
ConclusionConclusion
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Conclusion sur la MConclusion sur la Mééthodologiethodologie
Le flux de conception de circuits imprimés rapides PSD 14.2 de Cadence basé sur leConstraint Manager assure de manière intégrée la création, la gestion ainsi que la validation des intentions du concepteur Le flux est guidé par les directives du constructeur d’IC ou par les propres règles de layout du concepteurSur l’exemple DDR SDRAM nous avons démontré que le flux est capable de traiter de manière automatique des lignes aux contraintes multiples La prise en compte des contraintes d’amont en aval de la conception augmentent les chances d’obtenir un prototype correct par constructionLes simulations paramétriques de la technologie du circuit imprimé et du silicium permettent de définir le domaine de bon fonctionnement en productionL’expérience que nous avons de la version PSD14.2 prouve qu’elle est maintenant suffisamment stableDes versions antérieures alors que le Contraint Manager n’existait pas ont été utiliséesavec succès au Cern et par certains instituts IN2P3Voir site Intranet Cern http://cern.ch/support-specctraquest
Méthodologie de Conception de Cartes Rapides - Conclusion -
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Impact sur les MImpact sur les Mééthodes de Travail des thodes de Travail des LaboratoiresLaboratoires
Pourquoi Introduire Cette Nouvelle MPourquoi Introduire Cette Nouvelle Mééthode de Travaille dans les Laboratoires IN2P3 ?thode de Travaille dans les Laboratoires IN2P3 ?Un minimum d’analyse des circuits imprimés, garantie de bon fonctionnement des systèmes d’électronique numérique actuels, devient incontournableCette méthode est particulièrement adaptée aux développements de cartes rapides ayant un grand nombre de lignes rapides ou des canaux gigabit L’aspect formel de la méthode ne doit pas vous dissuader à l’aborder de manière plus souple et directe. Par exemple, les phases d’exploration avec SiXplorer ou de vérification avec SPECCTRAQuest, peuvent être abordées de manière autonomeSe poser des questions, paramétrer, analyser, simuler, aura forcément des retombéespositives sur la qualité de vos cartes rapides
A qui est elle destinA qui est elle destinéée ?e ?Les phases de conception sont naturellement de la responsabilité des développeurs de cartes numériquesAlors que la phase d’implantation reviendrait plutôt aux experts implanteur de circuits imprimés
Comment ?Comment ?Vérifier que les bibliothèques Cadence supportent correctement les attributs spécifiquesà l’analyse SICommencer simplement pour se familiariser avec les nouveaux concepts d’analyse SISe former à l’extérieur et/ou monter des formations spécifiquesIl serait bien d’avoir au moins une personne spécialisée capable de donner conseils et support de base dans chaque laboratoire
Méthodologie de Conception de Cartes Rapides - Conclusion -
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48 Méthodologie de Conception de Cartes Rapides - Ecole d‘Electronique Numérique IN2P3 Cargèse 2003 -
AnnexesAnnexes
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Annexe 1: Approvisionnement et VAnnexe 1: Approvisionnement et Véérification rification des Moddes Modèèles IBIS les IBIS
Model Integrity
1) automatic IBIS syntax check 2) IBIS to DML translation 3) automatic DML syntax check
IBIS FileFrom Manufacturer
NETWORK PROCESSOR”NP4GS3.ibs”
IBIS FileDowloaded From SAMSUNG WEB Site
128M DDR SDRAM 66 Pins TSOP”28H4088A.ibs”
SigXplorer
Recommended Electrical Checking: - Basic simulation of I/O CELLS - Driver/Receiver simulation on same technology (without transmission line) - static and dynamics characteristics check Vs Data Sheets
DML File “NP4GS3.dml” Loaded inCustom Local Lib Directory
root_design_name/physical/loc_lib/
DML File “28H4088A.dml” Loaded inCustom Local Lib Directory
root_design_name/physical/loc_lib/
ApprovisionnementModèles IBIS
Vérification syntaxes
IBIS puis DML
Vérificationde base de la précision des
modèles
Méthodologie de Conception de Cartes Rapides - Annexes -
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Annexe 2: Limitations de la Version 14.2 &Annexe 2: Limitations de la Version 14.2 &Ameliorations Futures (15.0) Ameliorations Futures (15.0)
Limitations sur CM2C (PE 14.2)Limitations sur CM2C (PE 14.2)Ne sait pas traiter les objets Pin Pairs, XNets ainsi que les Paires DifférentiellesLa version 15.0 annoncée pour l’automne 2003 les supportera
Limitations sur CM2SQ (PE 14.2)Limitations sur CM2SQ (PE 14.2)Ne supporte pas les Paires DifférentiellesLa version 15.0 annoncée pour l’automne 2003 les supporteraDes problèmes de mises à jour des résultats de contraintes simulées subsistent
Version PE 15.0; AmVersion PE 15.0; Amééliorations Apportliorations Apportéées Dans le Support de Lignes Diffes Dans le Support de Lignes Difféérentielles rentielles Possibilité de définir un ensemble complet de règles différentielles d’amont en aval du flux,permettant un placement routage dirigé par contraintesUn couple de lignes différentielles est considéré comme une entité permettant un routage interactif guidé en temps réel par une bannière donnant des informations de phase délai et via patternsPossibilité de paramétrer le mode commun et d’estimer l’influence des boîtiers "die pads"
Méthodologie de Conception de Cartes Rapides - Annexes -
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Annexe 3: Sites WEB Cadence & Annexe 3: Sites WEB Cadence & XilinxXilinx
http://http://www.specctraquest.comwww.specctraquest.comSite de référence des concepteurs de cartes rapides sous CadenceTrès riche en conseils, FAQ, notes d’applications, "white papers" , presentations, forums, séminaires, formation en ligne "webinar", etc..Parfaitement maintenu par Cadence
http://http://www.specctra.comwww.specctra.comSite de référence des implanteurs de cartes rapides sous CadenceFait dans le même esprit que le site SPECCTRAQuest
http://http://www.xilinx.comwww.xilinx.com//iseise/alliance//alliance/rocketio_kit.htmrocketio_kit.htmPour le téléchargement du progiciel Xilinx "SPECCTRAQuest High-SpeedDesign Kit" dédié à l’implantation physique de la technologie 3GIO (3,125 Gbps) Rocket I/O™ de cette compagnieProduit Xilinx développé en collaboration avec Cadence L’idée du KIT est d’évaluer de manière simple fiable et rapide le comportement de la technologie milti-gigabit Xilinx avant fabrication du circuit imprimé. En fait pour la version 14.2 la phase d’exploration est la seule qui soit actuellement complètement supportée. La version 15.0 devrait combler les limitations des lignes différentielles
Méthodologie de Conception de Cartes Rapides - Annexes -
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Buffer Delay Buffer Delay Buffer delay is the time it takes the voltage of a driver to reach a predefined measurement voltage (Vmeas)
First Switch DelayFirst Switch DelayIs the time to reach the first threshold voltage encountered minus theBuffer Delay for the driver:- First Switch (rising) = time to reach Vil - buffer delay- First Switch (falling) = time to reach Vih - buffer delay
Annexe 4: First Switch Delay Annexe 4: First Switch Delay Measurements PointsMeasurements Points
Méthodologie de Conception de Cartes Rapides - Annexes -
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Annexe 4: Final Settle Delay Annexe 4: Final Settle Delay Measurements PointsMeasurements Points
Buffer Delay Buffer Delay Buffer delay is the time it takes the voltage of a driver to reach a predefined measurement voltage (Vmeas)
Final Settle DelayFinal Settle DelayIs the time to reach the second threshold voltage encountered and stay above or below it, minus the Buffer Delay for the driver:- Final Settle Delay (rising) = time to reach Vih - rising buffer delay- Final Settle Delay (falling) = time to reach Vil - falling buffer delay
Méthodologie de Conception de Cartes Rapides - Annexes -
Méthodologie de Conception� �de Cartes RapidesProgrammeProblématique de Développement� �de Cartes RapidesExemple de Carte Rapide Pour LHCbCaractérisation �des Cartes Numériques RapidesSolution Basée sur le Flux de�� Conception de Circuits ��Imprimés Rapides de Cadence®�Flux de Conception de Circuits �Imprimés Rapides Cadence® PSD 14.2Exploration: SigXplorer (Exemple 1)Exploration: SigXplorer (Exemple 2)Exploration: SigXplorer (Exemple 3)Implantation:�Constraint Manager // Allegro-Expert (CM2AE) Implantation:�Constraint Manager // (Allegro-Expert+SPECCTRA)Partage des Taches ��Entre ��Conception & Implantation ��de Cartes RapidesPhases de ConceptionPhases d’Implantation du PCBTaches de ConceptionTaches d’Implantation du PCBPrincipales Méthodes de ConceptionDémonstration DDR SDRAM ��(Description)Objet de la DémonstrationDirectives du Fabricant d’IC (1/2) Directives du Fabricant d’IC (2/2)Taches de Conception Taches d’Implantation du Circuit Imprimé Démonstration DDR SDRAM� �(Exploration Capture & Setup)�[ Tache C ] Exportation Vers la Base de � Données Physique[Tache E ] Association des Contraintes ECSet� aux Net Physiques (1/4)[Tache E ] Association des Contraintes ECSet� aux Net Physiques (2/4)[Tache E ] Association des Contraintes ECSet� aux Net Physiques (3/4)[Tache E ] Association des Contraintes ECSet� aux Net Physiques (4/4)Démonstration DDR SDRAM��(Implantation du PCB)���[Implantation] Placement Sous Contraintes[Implantation] Placement Sous Contraintes[Implantation] Routage Sous Contraintes[Implantation] Routage Sous ContraintesDémonstration DDR SDRAM� �(Vérification & Analyses)[Tache F] Vérification de Non Violation � Avant Fabrication du PCB ConclusionAnnexesAnnexe 1: Approvisionnement et Vérification � des Modèles IBIS Annexe 2: Limitations de la Version 14.2 &� Ameliorations Futures (15.0) Annexe 3: Sites WEB Cadence & Xilinx Annexe 4: First Switch Delay � Measurements PointsAnnexe 4: Final Settle Delay � Measurements Points