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Toute reproduction sans autorisation du Centre français d’exploitation du droit de copie est strictement interdite. - © Techniques de l’Ingénieur, traité Électronique Doc. E 4 065 - 1 P O U R E N S A V O I R P L U S Détecteurs ultraviolet, visible et proche infrarouge par Gilles BOUCHARLAT Ingénieur de l’Institut national polytechnique de Grenoble (INPG) Docteur-Ingénieur en Sciences Physiques Coordinateur Recherche et Développement Capteurs d’images à Thomson-CSF Semi-conducteurs Spécifiques et Jean-Pierre TRAHAND Ingénieur de l’École Supérieure d’Électricité (ESE) Ingénieur Développement à Thomson-CSF Optronique Références bibliographiques Dans les Techniques de l’Ingénieur [1] SAVELLI (M.), GASQUET (D.) et ORSAL (B.). – Physique des dispositifs électroniques. E 1 100. Traité Électronique, vol. E1, 1996. [2] SAVELLI (M.), COMALLONGA (J.) et BOGGIANO (L.). – Bruit de fond et mesures. E 1 150. Traité Électronique, vol. E1, 1992. [3] CHABBAL (J.) et AUDAIRE (L.). – Dispositifs à transfert de charges. E 2 210. Traité Électroni- que, vol. E2, 1989. [4] PERMUY (A.). – Capteurs à semi-conducteurs. E 2 310. Traité Électronique, vol. E2, 1990. [5] DESVIGNES (F.). – Détecteurs de rayonne- ment. E 2 320. Traité Électronique, vol. E2, 1988. [6] REGOLINI (J.-L.). – Technologie de fabrication de la microélectronique. E 2 410, E 2412. Traité Électronique, vol. E2, 1991. [7] ENCINAS (J.). – Diodes et transistors bipolai- res discrets. E 2 465. Traité Électronique, vol. E2, 1993. [8] CAPPY (A.). – Semi-conducteurs pour hyper- fréquences. E 2 490. Traité Électronique, vol. E2, 1993. [9] DANSAC (J.), COLLIN (P.) et LE DORTZ (A.). – Systèmes optroniques semi-actifs. E 4 400. Traité Électronique, vol. E4, 1996. [10] GAUSSORGUES (G.), MICHERON (F.), POCHOLLE (J.-P.) et MEYZONNETTE (J.-L.). – Détecteurs infrarouges. E 4 060. Traité Élec- tronique, vol. E4, 1996. Constructeurs - Fournisseurs Tubes vidicon Burle Industries Inc. English Electric Valve Co Ltd EEV. Heimann GmbH. Thomson Tubes Électroniques. Barrettes et matrices CCD Dalsa Inc. English Electric Valve Co Ltd EEV. Hitachi Kodak Co (Eastman). Loral Fairchild Imaging Sensors. Matsushita NEC Corp. Philips Reticon Corp a Division of EG and G Inc. Sanyo Electric Co Ltd. Sharp Corp Texas Instruments Thomson CSF Semi-conducteurs Spécifiques. Toshiba Corp. Senseurs bas niveau de lumière Burle Industries Inc. English Electric Valve Co Ltd EEV. ITT Electro-Optical Products Thomson Tubes Électroniques

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    Dtecteurs ultraviolet,visible et proche infrarouge

    par Gilles BOUCHARLATIngnieur de lInstitut national polytechnique de Grenoble (INPG)Docteur-Ingnieur en Sciences PhysiquesCoordinateur Recherche et Dveloppement Capteurs dimages Thomson-CSF Semi-conducteurs Spcifiques

    et Jean-Pierre TRAHANDIngnieur de lcole Suprieure dlectricit (ESE)Ingnieur Dveloppement Thomson-CSF Optronique

    Rfrences bibliographiques

    Dans les Techniques de lIngnieur[1] SAVELLI (M.), GASQUET (D.) et ORSAL (B.).

    Physique des dispositifs lectroniques. E1 100. Trait lectronique, vol. E1, 1996.

    [2] SAVELLI (M.), COMALLONGA (J.) etBOGGIANO (L.). Bruit de fond et mesures.E 1 150. Trait lectronique, vol. E1, 1992.

    [3] CHABBAL (J.) et AUDAIRE (L.). Dispositifs transfert de charges. E 2 210. Trait lectroni-que, vol. E2, 1989.

    [4] PERMUY (A.). Capteurs semi-conducteurs.E 2 310. Trait lectronique, vol. E2, 1990.

    [5] DESVIGNES (F.). Dtecteurs de rayonne-ment. E 2 320. Trait lectronique, vol. E2,1988.

    [6] REGOLINI (J.-L.). Technologie de fabricationde la microlectronique. E 2 410, E 2412.Trait lectronique, vol. E2, 1991.

    [7] ENCINAS (J.). Diodes et transistors bipolai-res discrets. E 2 465. Trait lectronique, vol.E2, 1993.

    [8] CAPPY (A.). Semi-conducteurs pour hyper-frquences. E 2 490. Trait lectronique, vol.E2, 1993.

    [9] DANSAC (J.), COLLIN (P.) et LE DORTZ (A.). Systmes optroniques semi-actifs. E 4 400.Trait lectronique, vol. E4, 1996.

    [10] GAUSSORGUES (G.), MICHERON (F.),POCHOLLE (J.-P.) et MEYZONNETTE (J.-L.). Dtecteurs infrarouges. E 4 060. Trait lec-tronique, vol. E4, 1996.

    Constructeurs - Fournisseurs

    n Tubes vidicon

    Burle Industries Inc.English Electric Valve Co Ltd EEV.Heimann GmbH.Thomson Tubes lectroniques.

    n Barrettes et matrices CCD

    Dalsa Inc.English Electric Valve Co Ltd EEV.HitachiKodak Co (Eastman).Loral Fairchild Imaging Sensors.MatsushitaNEC Corp.

    PhilipsReticon Corp a Division of EG and G Inc.Sanyo Electric Co Ltd.Sharp CorpTexas InstrumentsThomson CSF Semi-conducteurs Spcifiques.Toshiba Corp.

    n Senseurs bas niveau de lumire

    Burle Industries Inc.English Electric Valve Co Ltd EEV.ITT Electro-Optical ProductsThomson Tubes lectroniquesToute reproduction sans autorisation du Centre franais dexploitation du droit de copieest strictement interdite. - Techniques de lIngnieur, trait lectronique Doc. E 4 065 - 1

    Dtecteurs ultraviolet, visible et proche infrarou...Rfrences bibliographiquesDans les Techniques de lIngnieur

    Constructeurs - FournisseursTubes vidiconBarrettes et matrices CCDSenseurs bas niveau de lumire