club optique-microondes, chambéry, mai 2002 activité optoélectronique dans le groupe «...
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Club Optique-Microondes, Chambéry, Mai 2002
Activité Optoélectronique dans le groupe « Composants et
Intégration de Systèmes Hyperfréquences pour les
Télécommunications » du LAAS-CNRS, Toulouse
G. Quadri doctorant, H. Martinez post-doctorant, O. Llopis CR
A. Rennane doctorant, L. Bary ingénieur
Projet 1 :
Projet 2 :
Contact : [email protected]
Distribution optique de signaux de référence de fréquence
Modélisation de photo transistors
Photo oscillateurs
Club Optique-Microondes, Chambéry, Mai 2002
Projet 1
Photo TBH InP (1,55 µm)
HEMT InP (1,55 µm)
Photo TBH SiGe (0,85 µm)
I(V) - Paramètres S
Modélisation petit et fort signal en fonction de l’éclairement
Modélisation en bruit
Club Optique-Microondes, Chambéry, Mai 2002
Projet 2
Distribution optique de signaux de référence de fréquence dans un satellite de télécommunications
But : conserver le faible bruit de phase de la référence
1) Étude du récepteur : Étude de différentes configurations :
Photodiode + amplificateur
Photodiode + amplificateur+filtre
Photo oscillateur
2) Étude du laser :
Fréquences concernées: 10 MHz, 800 MHz, bande C
Collaboration: SupAero (GREMO) + Groupe Photonique LAAS
Soutiens financiers : Alcatel Space Ind., Toulouse, Région Midi Pyrénées
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Liaison optique avec amplificateur
Liaison optique avec amplificateur et filtre à quartz
Liaison optique avec amplificateur, filtre à quartz et oscillateur
-180
-170
-160
-150
-140
-130
-120
-110
-100
-90
-80
-70
-60
1 10 100 1000 10000 100000
Fréquence (Hz)
Bru
it de
pha
se (d
Bra
d/H
z)Exemple de résultat pour une application à la transmission des signaux d’OUS à 10 MHz
Club Optique-Microondes, Chambéry, Mai 2002
Métal
Polymère
Diaphragme
d’oxyde
3 puits quantiques
GaAs /GaAlAs 6nm
Réflecteur de Bragg n+
30.5 periodes
Réflecteur de Bragg p+
20 périodes
Substrat GaAs n+
Métal
Exemple : VCSEL pour l’émission à 840nm sur substrat GaAs avec
diaphragme d’oxyde enterré
Travaux menés au LAAS sur les VCSELsgroupe Photonique
C. Bringer doctorante, V. Bardinal CR, T. Camps MDC, C. Fontaine DR
Epitaxie de la structure verticale (MBE/EJM) :
- Optimisation du gain des puits de la zone active - Minimisation de la Résistivité des DBRs - Contrôle des épaisseurs des couches
Fabrication technologique du composant :
Confinement latéral du courant d’injectionPlusieurs géométries possibles
Contact : [email protected]
Club Optique-Microondes, Chambéry, Mai 2002
-Faibles seuils
0 20.0
0.2
0.4
0.6
Iseuil = 250µA
Pu
issa
nce
op
tiq
ue
(mW
)
Courant (mA)
4µm-continu
-Monomode transverse
837.0 837.5
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
Inte
nsi
té (
u.a
.)
Longueur d'onde (nm)
Résultats obtenus sur les VCSELs AlOx : courant de seuil et
comportement spectral
Faible taille de zones d’émission : Vue de dessus
Club Optique-Microondes, Chambéry, Mai 2002
Au/GeNi/Au
substrat
cavité
AlOxmiroirs de Bragg Cas favorable: blocade d'oxyde intrinsèque
auto-alignement un seul AlOx
Ti/Au BCB
Coupe transversale
DBR inférieur n
DBR de couplage p
DBR supérieur n
Métallisations
Cavités couplées
Cavités couplées pour la génération THz
ACI Photonique
LAAS, CEM2-Montpellier, LAHC-Chambéry
Au/GeNi/Au substratcavitéAlOx miroirs de Bragg Cas favorable: blocade d'oxyde intrinsèque auto-alignement un seul AlOxTi/Au BCB
Coupe transversale
DBR inférieur nDBR de couplage p
DBR supérieur n
Métallisations
Cavités couplées