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� 成立時間：1999年1月1日

� 技術團隊成員經歷:

德州儀器公司, 太空總署推進實驗室,

AT&T貝爾實驗室

� 核心技術：

分子束磊晶(MBE)技術生產三五族磊晶片

即時監控系統精確控制磊晶層成長(美國專利)

� 工廠地址：美國德州, Richardson, TX, USA

� 台灣分公司地址：台北市士林區德行西路33號5樓

� 商業模式：

三五族半導體MBE磊晶晶片代工製造廠

(砷化鎵ヽ磷化銦ヽ銻化鎵磊晶晶片)

公司簡介-基本資料

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Emitter

Base

Collector

0.25 µm

Emitter

Base

Collector

0.25 µm

主要產品:

•砷化鎵(GaAs)磊晶晶片

–S公司和Q公司(pHEMT結構):非行動通訊裝置，有線電視 / 衛星通訊, Wi-Fi連結, 無線基地台, 車用電子 / 防撞雷達, 太空 / 國防, RFID, 醫療, 智慧型能源系統, 測試與量測, 物聯網產業應用

–U公司(pHEMT結構):汽車防撞雷達

–潛在市場: 面射型雷射(VCSEL)用於肢體動作辨識 (虛擬實境VR,AR,MR)

•磷化銦(InP)磊晶晶片

–K公司(HBT):高頻量測儀器元件(示波器)

–S公司(HBT):高頻特殊應用, LD driver, TIA

–光通訊用光接收器 PIN/APD (10G PON, Data Center)

–潛在市場: 5G 手機 PA

產品應用領域介紹

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主要產品：

� 銻化鎵(GaSb)紅外線探測器磊晶晶片

– 政府特殊應用計畫:聚焦平面列陣(FPA)關鍵材料，主要應用於夜視

、保全、國土安全、太空科技等用途

– 垂直整合大尺寸銻化鎵(GaSb)基板材料– 商業公司:主要應用於夜視、保全

– 新市場機會：銻化銦（InSb)及镉鋅碲（CZT)基板

聚焦平面列陣（FPA）紅外線熱影像

T2SLS epi-structure

銻化鎵磊晶片

銻化鎵單晶

美國太空總署紅外線衛星攝影於地球表面

聚焦平面列陣（FPA）

產品應用領域介紹

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三五族半導體產業上中下游介紹

•手機

•平板

•穿戴裝置

•有線電視

/ 衛星通訊

•W

i-Fi 連結

•無線基地台

•車用電子

/ 防撞雷達

•太空

/ 國防

•R

FID

•醫療

•智慧型能源系統

•測試與量測

行動裝置晶片 非行動裝置晶片 光通訊晶片

•收發模組

•驅動

IC

磊晶片(砷化鎵, 磷化銦, 銻化鎵)

基板(砷化鎵, 磷化銦, 銻化鎵)

晶圓製程

半導體封裝

Sumitomo, AXT

IET, IQE, 全新,

聯亞

穩懋, 宏捷, 華興

光, 光環, 索爾思

IDM:

Skyworks,

Avago, Quovo

磊晶片品質:決定電子

元件品質, 效能, 良率

聯鈞

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英特磊: 三五半導體器件産品矩陣列示

射頻與微波

高速電子傳輸

光電

應用

• 手機高頻元

件

• 汽車防撞雷

達

• 國防用途

• OC768-

40Gbps 網路

• OC192-

10Gbps 網路

• 光纖網路

• 圖像識別

器件類別

(紅色為量產產

品)

• GaAs pHEMT • GaAs mHEMT • InP HEMT • InP HBT

• InP HBT • InP HEMT • GaAs mHEMT

• GaAs PIN/APD • InP PIN/APD • QWIP • Diode laser • GaSb T2 SLS IR

detector

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� 4G手機PA � GaAs磊晶片HBT結構,< 3~5G Hz

� 5G手機PA� 規格尚未確定，速度較4G快 50~100倍， >20G Hz

- 2小時高解析度電影下载約需10秒鐘

- 4G到5G目前仍牽涉許多技術障礙

-頻率上符合需求之選項

GaAs (pHEMT磊晶結構) 或InP (HBT磊晶結構)

- InP HBT性能遠優於GaAs(pHEMT) ，但價格較高因為目前市場需求量較小，

只要市場需求量增加，價格有下降空間以擴大普及率。

� 英特磊MBE技術 在成長InP(HBT) 有絕對優勢

- n-type摻雜物濃度比MOCVD高10倍

- 精準控制磊晶層成分厚度

5G手機PA 磊晶材料演進

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Designates office locations

North America:

77.8%, 2015

Korea/Taiwan

1% 2015

Europe:

12%, 2015)

Japan:

9%, 2015

China

Sourcing &

R&D

集團架構與市場分布

IET-Cayman

IntelliEPI/

ChinaIntelliEPI/

Japan

IntelliEPI

IntelliEPI IR*

� 北美歐洲市場佔營收 ~ 90%

� 日本市場主要來自資料通訊（datacomm）及特殊高頻應用，以磷化銦關鍵元件為主

公司於全球主要市場均有據點，具備全球競爭能力

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� 全世界唯二MBE磊晶代工廠之ㄧ

� 法國汽車防撞雷達晶片大廠UMS認證通過，為唯一供應商

� 5G高頻量測儀器市場 2015/Q3 開始供貨

� MBE磊晶片在高速光通迅應用 (10G PON及 Data Center)的 PIN 及

APD有明顯優勢

� 5G手機PA 磊晶材料成長(InP) 關鍵技術開發

英特磊MBE技術成長InP HBT具絕對優勢

核心競爭優勢-策略與市場定位

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季營業額及毛利趨勢圖

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單位: 新台幣仟元

52.9%

35.2%

45.3%

31.2%

35.8%

39.6%

36.5%

44.5%

38.7%

28.7%

34.1%

38.3%

31.3%

0.0%

10.0%

20.0%

30.0%

40.0%

50.0%

60.0%

$0

$50,000

$100,000

$150,000

$200,000

$250,000

$300,000

Q3-13 Q4-13 Q1-14 Q2-14 Q3-14 Q4-14 Q1-15 Q2-15 Q3-15 Q4-15 Q1-16 Q2-16 Q3-16

營業收入 營業利益

毛利率

Q3-13 Q4-13 Q1-14 Q2-14 Q3-14 Q4-14 Q1-15 Q2-15 Q3-15 Q4-15 Q1-16 Q2-16 Q3-16

營業收入 $135,484 $131,703 $122,747 $152,878 $208,504 $171,486 $207,892 $224,008 $236,131 $189,253 $231,432 $244,573 $217,263

營業利益 $39,732 $14,969 $20,848 $12,490 $39,348 $37,368 $41,776 $65,101 $56,642 $21,313 $34,928 $52,547 $34,994

季成長率 -19.9% -2.8% -6.8% 24.5% 36.4% -17.8% 21.2% 7.8% 5.4% -19.9% 22.3% 5.7% -11.2%

毛利率 52.9% 35.2% 45.3% 31.2% 35.8% 39.6% 36.5% 44.5% 38.7% 28.7% 34.1% 38.3% 31.3%

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主要產品別銷貨收入

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2011 2012 2013 2014 2015 2016Q1 2016Q2 2016Q3

比率 比率 比率 比率 比率 比率 比率 比率

砷化鎵(GaAs)磊晶片 62.0% 39.7% 35.1% 46.7% 51.8% 53.4% 52.0% 46.9%

磷化銦( InP)磊晶片 17.9% 40.2% 39.4% 31.2% 24.8% 33.6% 40.8% 29.3%

銻化鎵(GaSb)及勞務收入 11.2% 15.6% 22.4% 21.5% 22.8% 12.7% 6.6% 22.5%

其他 9.0% 4.5% 3.1% 0.6% 0.6% 0.4% 0.6% 1.4%

合計 100.0% 100.0% 100.0% 100.0% 100.0% 100.0% 100.0% 100.0%

產品別銷貨收入

年度

產品別

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營收展望

� 2016~2018 營收成長動能

SWKS(GaAs) � 其他高頻應用產品

(物聯網、車聯網、國防)

UMS (GaAs) � 汽車防撞雷達

Keysight (InP) � 5G 高頻量測產品

光通訊 (InP) � PIN/APD for 10G PON, Data Center

LD driver, TIA

GaSb-IR � 進入量產商業化產品

• 2016~2020

5G手機PA 磊晶材料成長關鍵技術

InP HBT可望成為首選材料

MBE成長InP HBT具有絕對優勢

英特磊MBE成長InP HBT具有最佳經驗技術

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肢體動作辨識(Gesture Recognition)

肢體動作辨識是透過各種3D感測器，即時量到物體表面各個點的XYZ 3 軸座標，由各點座標隨著時間之改變，判斷肢體動作變化。

3D 感測� XYZ 3 軸座標

• 立體攝影 (Stereoscopic Vision)

• 結構光編碼圖形掃描(Structured Light Pattern)

• 飛行時間雷達掃描(Time of Flight, TOF)• 光波雷達�Laser (VCSEL, FP), LED• 無線電波雷達

資料來源:Finisar

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立體攝影

利用兩組攝影機在不同角度拍

攝，兩組影像在兩眼接收後於

腦中重組形成立體影像

資料來源:Wikipedia, StereoLABS

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結構光編碼圖形掃描

資料來源:Wikipedia

• 結構光編碼圖形打在物體

上再由攝影機由側面拍攝

經電腦運算得到Z軸座標完

成3D掃描

• 結構光編碼圖形產生可由

• 雷射光干涉

• LED 加上光柵

資料來源:Laser Focus World資料來源:網路資訊

Osela

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飛行時間雷達掃描(TOF)

• 調變的光波或無線電波打在物體上每一個點，經反射到達接收器的每一個對應像素所花的時間(Time of Flight, TOF)，換算成距離即為Z軸座標。

• 光波一般可用紅外線面射型雷射(VCSEL)、邊射型雷射(EEL) 、或LED

資料來源:Texas Instrument

資料來源:Laser Focus World

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資料來源:Texas Instrument

3D 感測技術比較

• 肢體動作辨識(Gesture Recognition)的應用上，TOF擁有最多優點

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Texas Instrument TOF Chip Set

• 3D TOF Sensor Array: CMOS pixel array, >50MHz, 850~870nm

• AFE: Analog Front End• TFC: TOF Controller, synchronize TOF sensor, AFE,

illuminator

資料來源:Texas Instrument

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飛行時間雷達掃描(TOF)-光源比較

• 光源品質與穩定性VCSEL>EEL>LED

資料來源: Finisar網站

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VCSEL

• 光形對稱

• 發散角小

• 光學鏡片單純

• 功率傳輸效率高

飛行時間雷達掃描(TOF)-光源比較

資料來源: Finisar網站

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謝謝大家，敬請指教

Q & A