transistor bipolaire _ modèle grand signal
Post on 10-Apr-2015
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grand signaux
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Transistor Bipolaire : Modèle Grand SignalConstitution du NPN :
N NPC
B
E
NP~ 2 jonctions PN
Id = Is.{exp (Vd / Ut) – 1}
a c
Vd
B
E
CModèle statique d’Ebers et Moll :
Ie = Ies.{exp(Vbe/Ut) – 1} - i.Ics.{exp(Vbc/Ut) – 1}Ic = n.Ies.{exp(Vbe/Ut) – 1} - Ics.{exp(Vbc/Ut) – 1}n . Ies = i . Ics Ie = Ib + Ic
IbIc
IeVbe
Vbc
Transistor Bipolaire : Modèle Grand SignalApproximation au premier ordre :
Ic Ics . exp(Vbe / Ut)Ib Ic / ßIe = Ic + Ib = (ß+1).Ib
IB
VBE
claquage
Caractéristique d’entrée
IC
VCE
Claquage direct
Claquage inverse
Caractéristique de sortie
PolarisationC
ACE I
VR
A
CE
T
BESC
VV
UV
II 1exp
Effet EARLY :
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