Transistor Bipolaire : Modèle Grand SignalConstitution du NPN :

N NPC

B

E

NP~ 2 jonctions PN

Id = Is.{exp (Vd / Ut) – 1}

a c

Vd

B

E

CModèle statique d’Ebers et Moll :

Ie = Ies.{exp(Vbe/Ut) – 1} - i.Ics.{exp(Vbc/Ut) – 1}Ic = n.Ies.{exp(Vbe/Ut) – 1} - Ics.{exp(Vbc/Ut) – 1}n . Ies = i . Ics Ie = Ib + Ic

IbIc

IeVbe

Vbc

Transistor Bipolaire : Modèle Grand SignalApproximation au premier ordre :

Ic Ics . exp(Vbe / Ut)Ib Ic / ßIe = Ic + Ib = (ß+1).Ib

IB

VBE

claquage

Caractéristique d’entrée

IC

VCE

Claquage direct

Claquage inverse

Caractéristique de sortie

PolarisationC

ACE I

VR

A

CE

T

BESC

VV

UV

II 1exp

Effet EARLY :