fstm deust mip-e141_cee_chap_viii_l'amplificateur opérationnel

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Cours exposé FSTM : DEUST - MIP E141 : Circuits Électriques et Électroniques email : nasser_baghdad @ yahoo.fr UNIVERSITE HASSAN II CASABLANCA FACULTE DES SCIENCES ET TECHNIQUES MOHAMMEDIA DEUST - MIP MODULE : E 141 CIRCUITS ÉLECTRIQUES ET ÉLECTRONIQUES PR . A. BAGHDAD - DEPARTEMENT GENIE ELECTRIQUE Pr . A. BAGHDAD 1

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Cours exposé

FSTM : DEUST - MIP E141 : Circuits Électriques et Électroniques

email : nasser_baghdad @ yahoo.fr

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Pr . A. BAGHDAD 1

FSTM : DEUST - MIP E141 : Circuits Électriques et Électroniques Pr . A. BAGHDAD 2

Contenu du programme

Chapitre I : Généralités

Chapitre II : Régime continu

Chapitre III : Régime alternatif sinusoïdal

Chapitre IV : Les quadripôles

Chapitre V : Les filtres passifs

Chapitre VI : Les diodes

Chapitre VII : Le transistor bipolaire

Chapitre VIII : L’amplificateur opérationnel

Partie A Circuits électriques

Partie B Circuits électroniques

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Chapitre VIII

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FSTM : DEUST - MIP E141 : Circuits Électriques et Électroniques Pr . A. BAGHDAD 4

I. Généralités sur l’amplificateur opérationnel

II. Montages à régime linéaire indépendants de la fréquence

III. Montages à régime linéaire dépendants de la fréquence

IV. Montages à régime non linéaire

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Sommaire

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FSTM : DEUST - MIP E141 : Circuits Électriques et Électroniques Pr . A. BAGHDAD 6

1°) Définition

2°) Symbole et notation

3°) Brochage

4°) Caractéristiques de l’amplificateur opérationnel en boucle ouverte

5°) Schéma équivalent électrique de l ’amplificateur opérationnel

6°) Propriétés de de l’amplificateur opérationnel en boucle ouverte

7°) Fonction de transfert de l’amplificateur opérationnel en boucle

ouverte

8°) Fonctionnement linéaire et non linéaire de l’amplificateur

opérationnel

9°) Différents modes de fonctionnement

10°) Hypothèses simplificatrices pour un fonctionnement en linéaire

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Un amplificateur opérationnel (A.O.) est un macro-composant qui contient une

vingtaine de transistors (TB ou/et TEC) intégrés sur une même puce semi-conductrice

de dimension de l’ordre du mm2.

La polarisation des transistors internes au composant AO est réalisée à l’aide de

deux alimentations continues symétriques V+ = 15V et V– = - 15V.

L’AO est aussi appelé circuit intégré linéaire (C.I.L.).

L'amplificateur opérationnel peut être utilisé dans un grand nombre de montages

pour, comme son nom l'indique, réaliser de l’amplification ou/et effectuer des

opérations (mathématiques).

1°) Définition

Circuit Intégré (C.I.L)

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Amplificateur opérationnel

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V+ = + 15 V : tension positive d’alimentation.

V- = - 15 V : tension négative d’alimentation.

e+ : borne d’entrée non inverseuse.

e- : borne d’entrée inverseuse.

I+ : courant d’entrée non inverseuse

I- : courant d’entrée inverseuse

ε = e+ - e- : tension différentielle d’entrée

s : borne de sortie.

2°) Symbole et notation

Européen

Masse externe

s

V+

V-

ε

I-

I+ e- e+

Américain

e- e+

s

V+

V-

ε

Masse externe

I-

I+

s = G0 . ε

G0 ≈ 105

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Le triangle « » est le symbole de l’amplification et rappelle qu’il s’agit d’un

composant unidirectionnel

Le symbole « ∞ » qui se trouve à l’intérieur du schéma du composant signifie que

l’on peut idéaliser la caractéristique de transfert de l’AIL.

Remarque :

Européen

Masse externe

s

V+

V-

ε

I-

I+ e- e+

Américain

e- e+

s

V+

V-

ε

Masse externe

I-

I+

G0

G0 : amplification en tension statique en boucle ouverte (ou gain continu) (ou gain

en tension différentielle statique).

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Dans le symbole simplifié de l’amplificateur opérationnel (l’alimentation n’est pas

toujours représentée car elle n’intervient pas dans le calcul, mais elle est

indispensable en pratique).

L’AO ne possède pas de masse propre à lui, la masse externe sera donc ôtée du

symbole.

L’AO sera considéré tout le temps idéal, donc I+ = I- = 0, les courants des entrées

seront retirés du symbole.

On s’intéressera à l’utilisation de l’AO en fonctionnement linéaire, donc ε = 0 et e+ = e-, la tension différentielle sera donc retirée du symbole.

Symbole simplifié

e- e+

e- e+

s s

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La masse des alimentations symétriques est la référence de tous les potentiels

Il possède 8 bornes (ou 8 broches) mais 5 bornes sont généralement utilisées :

3°) Brochage

+ - + -

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Masse externe

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Impédance d’entrée différentielle très élevée : ZE = RE ≥ 1 MΩ

Impédance de sortie très faible : ZS = RS ≤ 50 Ω

Gain en tension différentielle statique (ou gain continu) très élevé : G0 ≈ 105

Amplificateur réel en BO

Amplificateur idéal en BO

Impédance d’entrée différentielle : ZE = RE ≈ ∞ ===> I- = I+ = 0

Impédance de sortie : ZS = RS ≈ 0 Ω

Gain différentielle statique : G0 ≈ ∞

4°) Caractéristiques de l’amplificateur opérationnel en boucle ouverte

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5°) Schéma équivalent électrique de l ’amplificateur opérationnel

Amplificateur réel (AOR) en BO

Amplificateur idéal (AOI) en BO

AOI ===> I+ = I- = 0 car ZE = RE ~ ∞

ε = e+ - e-

s ≈ ∞ ~ e-

e+

ε ∞

0

G0 (e+ - e-)

s

G0 ≈ ∞

ε = e+ - e-

s = G0 ε ~ e-

e+

ε ZE

ZS

G0 (e+ - e-)

s

G0 ≈ 105

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dBsoitGGf

TBFdispositifHzqcqf

sradqcqcoupuredepulsation

f

fj

G

j

GsG c

c

cc

100100

100

/10

11 5

0

00

La bande passante BP ou la bande d’utilisation de l’AOR va de 0 à fc.

Comme fc = à qcq 100 Hz alors l’AO est un dispositif TBF (de 0 à 30 kHz)

L’AOR en BO se comporte comme un filtre passe-bas actif du 1er ordre

AO en BO est un dispositif TBF

L’amplification en tension (ou gain en boucle ouverte) dépend de la fréquence.

6°) Propriétés de de l’amplificateur opérationnel en boucle ouverte

Amplificateur réel en BO

)(dBG

G0 (dB) = 100 dB

- 20 dB/décade

F.P.B. 20 dB

40 dB

60 dB

80 dB

0 dB 1 10 102 103

décade

20 dB

Réponse idéale (asymptotique)

flog

G

f

G0 Réponse réelle

Réponse idéale (asymptotique)

fc 0

G0/√2

F.P.B

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ess

e

e

vGvvs

veeve

e

0

0

La fonction de transfert s = f(ε) est fournie en fonctionnement de l’AO en BO

7°) Fonction de transfert de l’AO en boucle Ouverte : s = f (ε )

Amplificateur réel en BO : G0 ≈ 105

+

-

ve

vs

~

e-

e+

AOR en BO

ε

s

-Vsat

+Vsat

ε = e+ - e- Zone 3

Zone 2

Zone 1 ∆ε

εm de qcq mV

mm

Régime saturé

Régime saturé

Régime linéaire

+εm -εm

m

m m

m

s

t

+ Vsat ≈ V+ – (1 à 2 V) - Vsat ≈ V- + (1 à 2 V)

+ Vsat

- Vsat

VVsat 5,13

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On distingue trois zones de fonctionnement :

• Zone 1 : s = G0 ε

• Zone 2 : s = + Vsat

• Zone 3 : s = - Vsat

Dans le domaine linéaire :

5

500 1010.13

5,13

.2

.2

V

VVssGavecGs

m

sat

VmVm

510.1313,0

VVsoitVàVV satsat 5,1321

s

-Vsat

+Vsat

ε = e+ - e- Zone 3

Zone 2

Zone 1 ∆ε

εm de qcq mV

mm

Régime saturé

Régime saturé

Régime linéaire

+εm -εm

m

m

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• Zone 1 se réduit à : ε = 0 e+ = e- et -Vsat < s < +Vsat FL

• Zones 2 et 3 : si ε > 0 e+ > e- alors s = + Vsat FNL

si ε < 0 e+ < e- alors s = - Vsat

On constate que la tension différentielle ε est très faible aux autres tensions du

circuit (de l’ordre du 1/10 du mvolt, le plus souvent) ; on pourra ainsi considérer, dans

la zone linéaire, que ε = 0 (ce qui revient à un gain infini) :

linéairedomaineledans

VVsmaisGss

eesoit

sat

5,130

0

0

Si ε = 0 <====> e+ = e- alors FL

Amplificateur idéal en BO : G0 → ∞

temps

-Vsat

+Vsat s ε

G0 ~ ∞ s

ε = e+ - e-

-Vsat

+Vsat

Zone 3

Zone 2

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Fonctionnement non linéaire

FNL ε s Signal de sortie s n’a pas la même

forme que celui de l’entée e ou complètement déformé

Fonctionnement linéaire

FL ε s Signal de sortie s a la même forme que celui de l’entée e

En fonctionnement linéaire, la tension à amplifier ne pourra pas être appliquée directement entre les bornes inverseuse ou/et non inverseuse : nécessité au préalable d’une boucle de rétroaction

8°) Fonctionnement linéaire et non linéaire de l’AO

FSTM : DEUST - MIP E141 : Circuits Électriques et Électroniques Pr . A. BAGHDAD 20

+

-

ve vs

e-

e+ ~

AOI en BO

ve + Vsat

- Vsat

0 T

vs

temps

ess

e

e

vGvvs

veeve

e

0

0

phasedeoppositionenvetv es

Exemple n°1 de FNL :

satVstatiquemmen

sentThéoriquempetitmoindreLe

GAOI

Gs

:Pr

:

0

0

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vs

satVstatiquemmen

sentThéoriquempetitmoindreLe

GAOI

Gs

:Pr

:

0

0

ess

e

e

vGvvs

veeve

e

0

0

phaseenvetv es

Exemple n°2 de FNL :

ve + Vsat

- Vsat

0 T

temps

+

-

ve

vs

~

e-

e+

AOI en BO

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HA

SSA

N II

CA

SAB

LAN

CA

– F

AC

ULT

E D

ES S

CIE

NC

ES E

T T

ECH

NIQ

UES

MO

HA

MM

EDIA

D

EUST

- M

IP –

MO

DU

LE :

E 1

41

– C

IRC

UIT

S É

LEC

TRIQ

UES

ET

ÉLE

CTR

ON

IQU

ES

PR

. A

. BA

GH

DA

D -

DEP

AR

TEM

ENT

GEN

IE E

LEC

TRIQ

UE

FSTM : DEUST - MIP E141 : Circuits Électriques et Électroniques Pr . A. BAGHDAD 22

00

0

BBetGGAutrement

VsVréactioncontreenAOI satsat

es

e

s

vv

eeve

ve

0

Exemple de FL :

es vv

- Vsat

0 T

vs = ve

temps

+ Vsat

+

-

ve

vs

~

e-

e+

AOI en CR

1e

s

v

vG

UN

IVER

SITE

HA

SSA

N II

CA

SAB

LAN

CA

– F

AC

ULT

E D

ES S

CIE

NC

ES E

T T

ECH

NIQ

UES

MO

HA

MM

EDIA

D

EUST

- M

IP –

MO

DU

LE :

E 1

41

– C

IRC

UIT

S É

LEC

TRIQ

UES

ET

ÉLE

CTR

ON

IQU

ES

PR

. A

. BA

GH

DA

D -

DEP

AR

TEM

ENT

GEN

IE E

LEC

TRIQ

UE

FSTM : DEUST - MIP E141 : Circuits Électriques et Électroniques Pr . A. BAGHDAD 23

Il existe 4 façons de faire fonctionner l’ AO :

AO en boucle ouverte AO en réaction négative

(ou en rétroaction) ( ou en contre réaction)

AO en réaction positive (ou en réaction) AO en réaction positive et négative

discussion

ε = 0

ε = 0

ou

ε ≠ 0 ε ≠ 0

ε ≠ 0 FNL

FNL

FL

FL

ou FNL

CR (ou RN) ====> ε = 0 <====> e+ = e- alors FL

9°) Différents modes de fonctionnement

+ -

+ -

+ -

+ -

UN

IVER

SITE

HA

SSA

N II

CA

SAB

LAN

CA

– F

AC

ULT

E D

ES S

CIE

NC

ES E

T T

ECH

NIQ

UES

MO

HA

MM

EDIA

D

EUST

- M

IP –

MO

DU

LE :

E 1

41

– C

IRC

UIT

S É

LEC

TRIQ

UES

ET

ÉLE

CTR

ON

IQU

ES

PR

. A

. BA

GH

DA

D -

DEP

AR

TEM

ENT

GEN

IE E

LEC

TRIQ

UE

FSTM : DEUST - MIP E141 : Circuits Électriques et Électroniques Pr . A. BAGHDAD 24

Boucle ouverte ou Réaction positive :

Fonctionnement en régime saturé

(ou non linéaire)

Réaction négative (ou contre réaction) :

Fonctionnement en régime linéaire

ε = 0 e+ = e- et -Vsat < s < +Vsat

si e+ > e- alors s = + Vsat

si e+ < e- alors s = - Vsat

La contre réaction : diminue le gain en tension et augmente la bande passante

+ -

+ -

+ -

UN

IVER

SITE

HA

SSA

N II

CA

SAB

LAN

CA

– F

AC

ULT

E D

ES S

CIE

NC

ES E

T T

ECH

NIQ

UES

MO

HA

MM

EDIA

D

EUST

- M

IP –

MO

DU

LE :

E 1

41

– C

IRC

UIT

S É

LEC

TRIQ

UES

ET

ÉLE

CTR

ON

IQU

ES

PR

. A

. BA

GH

DA

D -

DEP

AR

TEM

ENT

GEN

IE E

LEC

TRIQ

UE

FSTM : DEUST - MIP E141 : Circuits Électriques et Électroniques Pr . A. BAGHDAD 25

Résistance d’entrée infinie (AOI) ====> I+ = I- = 0

Contre réaction ====> ε = 0 <====> e+ = e-

Circuit de contre réaction peut être un fil, un dipôle ou un quadripôle

10°) Hypothèses simplificatrices pour un fonctionnement en linéaire

+ -

D

+ -

Q

+ -

UN

IVER

SITE

HA

SSA

N II

CA

SAB

LAN

CA

– F

AC

ULT

E D

ES S

CIE

NC

ES E

T T

ECH

NIQ

UES

MO

HA

MM

EDIA

D

EUST

- M

IP –

MO

DU

LE :

E 1

41

– C

IRC

UIT

S É

LEC

TRIQ

UES

ET

ÉLE

CTR

ON

IQU

ES

PR

. A

. BA

GH

DA

D -

DEP

AR

TEM

ENT

GEN

IE E

LEC

TRIQ

UE

FSTM : DEUST - MIP E141 : Circuits Électriques et Électroniques Pr . A. BAGHDAD 26

UN

IVER

SITE

HA

SSA

N II

CA

SAB

LAN

CA

– F

AC

ULT

E D

ES S

CIE

NC

ES E

T T

ECH

NIQ

UES

MO

HA

MM

EDIA

D

EUST

- M

IP –

MO

DU

LE :

E 1

41

– C

IRC

UIT

S É

LEC

TRIQ

UES

ET

ÉLE

CTR

ON

IQU

ES

PR

. A

. BA

GH

DA

D -

DEP

AR

TEM

ENT

GEN

IE E

LEC

TRIQ

UE

FSTM : DEUST - MIP E141 : Circuits Électriques et Électroniques Pr . A. BAGHDAD 27

1°) Montages fondamentaux

2°) Montages particuliers

UN

IVER

SITE

HA

SSA

N II

CA

SAB

LAN

CA

– F

AC

ULT

E D

ES S

CIE

NC

ES E

T T

ECH

NIQ

UES

MO

HA

MM

EDIA

D

EUST

- M

IP –

MO

DU

LE :

E 1

41

– C

IRC

UIT

S É

LEC

TRIQ

UES

ET

ÉLE

CTR

ON

IQU

ES

PR

. A

. BA

GH

DA

D -

DEP

AR

TEM

ENT

GEN

IE E

LEC

TRIQ

UE

FSTM : DEUST - MIP E141 : Circuits Électriques et Électroniques Pr . A. BAGHDAD 28

Montage suiveur

1°) Montages fondamentaux

1e

ses

v

vGvv

+

-

ve

vs

~

e-

e+

eeCR

IIAOI

0

0

UN

IVER

SITE

HA

SSA

N II

CA

SAB

LAN

CA

– F

AC

ULT

E D

ES S

CIE

NC

ES E

T T

ECH

NIQ

UES

MO

HA

MM

EDIA

D

EUST

- M

IP –

MO

DU

LE :

E 1

41

– C

IRC

UIT

S É

LEC

TRIQ

UES

ET

ÉLE

CTR

ON

IQU

ES

PR

. A

. BA

GH

DA

D -

DEP

AR

TEM

ENT

GEN

IE E

LEC

TRIQ

UE

FSTM : DEUST - MIP E141 : Circuits Électriques et Électroniques Pr . A. BAGHDAD 29

Montage amplificateur inverseur

1

2

1

2

R

R

v

vGv

R

Rv

e

ses

+

-

R2

ve

R1

vs ~

e-

e+

eeCR

IIAOI

0

0

UN

IVER

SITE

HA

SSA

N II

CA

SAB

LAN

CA

– F

AC

ULT

E D

ES S

CIE

NC

ES E

T T

ECH

NIQ

UES

MO

HA

MM

EDIA

D

EUST

- M

IP –

MO

DU

LE :

E 1

41

– C

IRC

UIT

S É

LEC

TRIQ

UES

ET

ÉLE

CTR

ON

IQU

ES

PR

. A

. BA

GH

DA

D -

DEP

AR

TEM

ENT

GEN

IE E

LEC

TRIQ

UE

FSTM : DEUST - MIP E141 : Circuits Électriques et Électroniques Pr . A. BAGHDAD 30

+

-

R0

ve

R0

vs ~

e-

e+

Montage inverseur

10

0 e

sees

v

vGvv

R

Rv

eeCR

IIAOI

0

0

UN

IVER

SITE

HA

SSA

N II

CA

SAB

LAN

CA

– F

AC

ULT

E D

ES S

CIE

NC

ES E

T T

ECH

NIQ

UES

MO

HA

MM

EDIA

D

EUST

- M

IP –

MO

DU

LE :

E 1

41

– C

IRC

UIT

S É

LEC

TRIQ

UES

ET

ÉLE

CTR

ON

IQU

ES

PR

. A

. BA

GH

DA

D -

DEP

AR

TEM

ENT

GEN

IE E

LEC

TRIQ

UE

FSTM : DEUST - MIP E141 : Circuits Électriques et Électroniques Pr . A. BAGHDAD 31

Montage amplificateur non inverseur

1

2

1

2 11R

R

v

vGv

R

Rv

e

ses

+

-

R2

ve

R1

vs

~

e-

e+

eeCR

IIAOI

0

0

UN

IVER

SITE

HA

SSA

N II

CA

SAB

LAN

CA

– F

AC

ULT

E D

ES S

CIE

NC

ES E

T T

ECH

NIQ

UES

MO

HA

MM

EDIA

D

EUST

- M

IP –

MO

DU

LE :

E 1

41

– C

IRC

UIT

S É

LEC

TRIQ

UES

ET

ÉLE

CTR

ON

IQU

ES

PR

. A

. BA

GH

DA

D -

DEP

AR

TEM

ENT

GEN

IE E

LEC

TRIQ

UE

FSTM : DEUST - MIP E141 : Circuits Électriques et Électroniques Pr . A. BAGHDAD 32

Montage sommateur

21 vvvs

+

-

R3

v1

R1

vs ~

v2

R2

~

e-

e+

eeCR

IIAOI

0

0

2

2

31

1

3 vR

Rv

R

Rvs

0321 RRRRSi

UN

IVER

SITE

HA

SSA

N II

CA

SAB

LAN

CA

– F

AC

ULT

E D

ES S

CIE

NC

ES E

T T

ECH

NIQ

UES

MO

HA

MM

EDIA

D

EUST

- M

IP –

MO

DU

LE :

E 1

41

– C

IRC

UIT

S É

LEC

TRIQ

UES

ET

ÉLE

CTR

ON

IQU

ES

PR

. A

. BA

GH

DA

D -

DEP

AR

TEM

ENT

GEN

IE E

LEC

TRIQ

UE

FSTM : DEUST - MIP E141 : Circuits Électriques et Électroniques Pr . A. BAGHDAD 33

Montage sommateur non inverseur

+

-

R4

R2

R3

R1

vs

e-

e+

v2 ~

v1 ~

21 VVVs

2

1

31

1

4

43

21 vR

Rv

R

R

RR

RRvs

04321 RRRRRSi

eeCR

IIAOI

0

0

UN

IVER

SITE

HA

SSA

N II

CA

SAB

LAN

CA

– F

AC

ULT

E D

ES S

CIE

NC

ES E

T T

ECH

NIQ

UES

MO

HA

MM

EDIA

D

EUST

- M

IP –

MO

DU

LE :

E 1

41

– C

IRC

UIT

S É

LEC

TRIQ

UES

ET

ÉLE

CTR

ON

IQU

ES

PR

. A

. BA

GH

DA

D -

DEP

AR

TEM

ENT

GEN

IE E

LEC

TRIQ

UE

FSTM : DEUST - MIP E141 : Circuits Électriques et Électroniques Pr . A. BAGHDAD 34

Montage soustracteur

+

-

R3

R4

R2

R1

vs

e-

e+

v2 ~

v1 ~

12

1

2 vvR

Rvs

04321 RRRRRSi 4231 RRetRRSi

12 vvvs

1

1

22

43

21

1

4 vR

Rv

RR

RR

R

Rvs

eeCR

IIAOI

0

0

UN

IVER

SITE

HA

SSA

N II

CA

SAB

LAN

CA

– F

AC

ULT

E D

ES S

CIE

NC

ES E

T T

ECH

NIQ

UES

MO

HA

MM

EDIA

D

EUST

- M

IP –

MO

DU

LE :

E 1

41

– C

IRC

UIT

S É

LEC

TRIQ

UES

ET

ÉLE

CTR

ON

IQU

ES

PR

. A

. BA

GH

DA

D -

DEP

AR

TEM

ENT

GEN

IE E

LEC

TRIQ

UE

FSTM : DEUST - MIP E141 : Circuits Électriques et Électroniques Pr . A. BAGHDAD 35

Montage intégrateur

dttvRC

tv es

1

+

-

C

ve

R

vs ~

e-

e+

eeCR

IIAOI

0

0

UN

IVER

SITE

HA

SSA

N II

CA

SAB

LAN

CA

– F

AC

ULT

E D

ES S

CIE

NC

ES E

T T

ECH

NIQ

UES

MO

HA

MM

EDIA

D

EUST

- M

IP –

MO

DU

LE :

E 1

41

– C

IRC

UIT

S É

LEC

TRIQ

UES

ET

ÉLE

CTR

ON

IQU

ES

PR

. A

. BA

GH

DA

D -

DEP

AR

TEM

ENT

GEN

IE E

LEC

TRIQ

UE

FSTM : DEUST - MIP E141 : Circuits Électriques et Électroniques Pr . A. BAGHDAD 36

Montage dérivateur

dt

dVRCV e

s

+

-

R

ve

C

vs ~

e-

e+

eeCR

IIAOI

0

0

UN

IVER

SITE

HA

SSA

N II

CA

SAB

LAN

CA

– F

AC

ULT

E D

ES S

CIE

NC

ES E

T T

ECH

NIQ

UES

MO

HA

MM

EDIA

D

EUST

- M

IP –

MO

DU

LE :

E 1

41

– C

IRC

UIT

S É

LEC

TRIQ

UES

ET

ÉLE

CTR

ON

IQU

ES

PR

. A

. BA

GH

DA

D -

DEP

AR

TEM

ENT

GEN

IE E

LEC

TRIQ

UE

FSTM : DEUST - MIP E141 : Circuits Électriques et Électroniques Pr . A. BAGHDAD 37

Montage logarithmique

+

-

ve

R

vs

V

i

diode

e-

e+

eeCR

IIAOI

0

0

0

lnRI

vuv e

Ts

UN

IVER

SITE

HA

SSA

N II

CA

SAB

LAN

CA

– F

AC

ULT

E D

ES S

CIE

NC

ES E

T T

ECH

NIQ

UES

MO

HA

MM

EDIA

D

EUST

- M

IP –

MO

DU

LE :

E 1

41

– C

IRC

UIT

S É

LEC

TRIQ

UES

ET

ÉLE

CTR

ON

IQU

ES

PR

. A

. BA

GH

DA

D -

DEP

AR

TEM

ENT

GEN

IE E

LEC

TRIQ

UE

FSTM : DEUST - MIP E141 : Circuits Électriques et Électroniques Pr . A. BAGHDAD 38

Vd

Id

diode Rappel :

→ La tension uT est correspond à la tension thermodynamique, d'une valeur de 25 mV environ à l’ambiance. → Is correspond au courant de saturation de la diode D ou courant inverse, de qcq nA.

1T

d

u

V

satd eII

→ Le courant à traversant la diode est donné par la relation :

s

dTd

u

V

sdI

IuValorseIIsidirectEn T

d

ln:

UN

IVER

SITE

HA

SSA

N II

CA

SAB

LAN

CA

– F

AC

ULT

E D

ES S

CIE

NC

ES E

T T

ECH

NIQ

UES

MO

HA

MM

EDIA

D

EUST

- M

IP –

MO

DU

LE :

E 1

41

– C

IRC

UIT

S É

LEC

TRIQ

UES

ET

ÉLE

CTR

ON

IQU

ES

PR

. A

. BA

GH

DA

D -

DEP

AR

TEM

ENT

GEN

IE E

LEC

TRIQ

UE

FSTM : DEUST - MIP E141 : Circuits Électriques et Électroniques Pr . A. BAGHDAD 39

Montage anti-logarithmique (ou exponentiel)

diode

+

-

ve

R

vs

V

i

e-

e+

eeCR

IIAOI

0

0

T

ess

u

vIRv exp

UN

IVER

SITE

HA

SSA

N II

CA

SAB

LAN

CA

– F

AC

ULT

E D

ES S

CIE

NC

ES E

T T

ECH

NIQ

UES

MO

HA

MM

EDIA

D

EUST

- M

IP –

MO

DU

LE :

E 1

41

– C

IRC

UIT

S É

LEC

TRIQ

UES

ET

ÉLE

CTR

ON

IQU

ES

PR

. A

. BA

GH

DA

D -

DEP

AR

TEM

ENT

GEN

IE E

LEC

TRIQ

UE

FSTM : DEUST - MIP E141 : Circuits Électriques et Électroniques Pr . A. BAGHDAD 40

+

-

R

R vs

v2

C

v1

C

e+

e-

Montage intégrateur différentiel

dttvtvRC

tvs 12

1

eeCR

IIAOI

0

0

UN

IVER

SITE

HA

SSA

N II

CA

SAB

LAN

CA

– F

AC

ULT

E D

ES S

CIE

NC

ES E

T T

ECH

NIQ

UES

MO

HA

MM

EDIA

D

EUST

- M

IP –

MO

DU

LE :

E 1

41

– C

IRC

UIT

S É

LEC

TRIQ

UES

ET

ÉLE

CTR

ON

IQU

ES

PR

. A

. BA

GH

DA

D -

DEP

AR

TEM

ENT

GEN

IE E

LEC

TRIQ

UE

2°) Montages particuliers

FSTM : DEUST - MIP E141 : Circuits Électriques et Électroniques Pr . A. BAGHDAD 41

gs iRv

Source de tension simple

~ vs

-

+ R

viiRv

eeete

sggs

00

vs

R

ig +

- e-

~ e+

eeCR

IIAOI

0

0

f.e.m

UN

IVER

SITE

HA

SSA

N II

CA

SAB

LAN

CA

– F

AC

ULT

E D

ES S

CIE

NC

ES E

T T

ECH

NIQ

UES

MO

HA

MM

EDIA

D

EUST

- M

IP –

MO

DU

LE :

E 1

41

– C

IRC

UIT

S É

LEC

TRIQ

UES

ET

ÉLE

CTR

ON

IQU

ES

PR

. A

. BA

GH

DA

D -

DEP

AR

TEM

ENT

GEN

IE E

LEC

TRIQ

UE

FSTM : DEUST - MIP E141 : Circuits Électriques et Électroniques Pr . A. BAGHDAD 42

Source de tension amélioré

vs’

R1

ig +

-

vs

R3

+

- R2

eeCR

IIAOI

0

0

eeCR

IIAOI

0

0

gs iR

RRv

2

31

~ vs

+

-

f.e.m

UN

IVER

SITE

HA

SSA

N II

CA

SAB

LAN

CA

– F

AC

ULT

E D

ES S

CIE

NC

ES E

T T

ECH

NIQ

UES

MO

HA

MM

EDIA

D

EUST

- M

IP –

MO

DU

LE :

E 1

41

– C

IRC

UIT

S É

LEC

TRIQ

UES

ET

ÉLE

CTR

ON

IQU

ES

PR

. A

. BA

GH

DA

D -

DEP

AR

TEM

ENT

GEN

IE E

LEC

TRIQ

UE

FSTM : DEUST - MIP E141 : Circuits Électriques et Électroniques Pr . A. BAGHDAD 43

+

- R1

R2

R4 R3

vs

eg r

i

Source de courant

→ Fournit un courant i indépendant du circuit de charge (d'impédance r ici)

→ Montage nommé source de Howland

eeCR

IIAOI

0

0

3

3241R

eiRRRRSi

g

~ i

c.e.m

UN

IVER

SITE

HA

SSA

N II

CA

SAB

LAN

CA

– F

AC

ULT

E D

ES S

CIE

NC

ES E

T T

ECH

NIQ

UES

MO

HA

MM

EDIA

D

EUST

- M

IP –

MO

DU

LE :

E 1

41

– C

IRC

UIT

S É

LEC

TRIQ

UES

ET

ÉLE

CTR

ON

IQU

ES

PR

. A

. BA

GH

DA

D -

DEP

AR

TEM

ENT

GEN

IE E

LEC

TRIQ

UE

FSTM : DEUST - MIP E141 : Circuits Électriques et Électroniques Pr . A. BAGHDAD 44

vs

v1 R2

RG

+

-

+

- R1

v2

+ -

R0 R0

R0 R0

S1

S2

Amplificateur d'instrumentation

eeCR

IIAOI

0

0

21121 vv

R

RRv

G

s

213 vvvs

021 RRRRSi G

UN

IVER

SITE

HA

SSA

N II

CA

SAB

LAN

CA

– F

AC

ULT

E D

ES S

CIE

NC

ES E

T T

ECH

NIQ

UES

MO

HA

MM

EDIA

D

EUST

- M

IP –

MO

DU

LE :

E 1

41

– C

IRC

UIT

S É

LEC

TRIQ

UES

ET

ÉLE

CTR

ON

IQU

ES

PR

. A

. BA

GH

DA

D -

DEP

AR

TEM

ENT

GEN

IE E

LEC

TRIQ

UE

FSTM : DEUST - MIP E141 : Circuits Électriques et Électroniques Pr . A. BAGHDAD 45

UN

IVER

SITE

HA

SSA

N II

CA

SAB

LAN

CA

– F

AC

ULT

E D

ES S

CIE

NC

ES E

T T

ECH

NIQ

UES

MO

HA

MM

EDIA

D

EUST

- M

IP –

MO

DU

LE :

E 1

41

– C

IRC

UIT

S É

LEC

TRIQ

UES

ET

ÉLE

CTR

ON

IQU

ES

PR

. A

. BA

GH

DA

D -

DEP

AR

TEM

ENT

GEN

IE E

LEC

TRIQ

UE

FSTM : DEUST - MIP E141 : Circuits Électriques et Électroniques Pr . A. BAGHDAD 46

1°) Filtre actif passe bas de 1er ordre

2°) Filtre actif passe haut de 1er ordre

UN

IVER

SITE

HA

SSA

N II

CA

SAB

LAN

CA

– F

AC

ULT

E D

ES S

CIE

NC

ES E

T T

ECH

NIQ

UES

MO

HA

MM

EDIA

D

EUST

- M

IP –

MO

DU

LE :

E 1

41

– C

IRC

UIT

S É

LEC

TRIQ

UES

ET

ÉLE

CTR

ON

IQU

ES

PR

. A

. BA

GH

DA

D -

DEP

AR

TEM

ENT

GEN

IE E

LEC

TRIQ

UE

FSTM : DEUST - MIP E141 : Circuits Électriques et Électroniques Pr . A. BAGHDAD 47

CRjR

RH

21

2

1

1

→ Gain d’un amplificateur inverseur :

→ Fréquence de coupure :

1

20

R

RAH

CRfC

22

1

C

j

HH

1

0Configuration n°1

1°) Filtre actif passe bas de 1er ordre

Filtre à contre

réaction simple

ve vs

+

-

R1 C

R2

eeCR

IIAOI

0

0

UN

IVER

SITE

HA

SSA

N II

CA

SAB

LAN

CA

– F

AC

ULT

E D

ES S

CIE

NC

ES E

T T

ECH

NIQ

UES

MO

HA

MM

EDIA

D

EUST

- M

IP –

MO

DU

LE :

E 1

41

– C

IRC

UIT

S É

LEC

TRIQ

UES

ET

ÉLE

CTR

ON

IQU

ES

PR

. A

. BA

GH

DA

D -

DEP

AR

TEM

ENT

GEN

IE E

LEC

TRIQ

UE

FSTM : DEUST - MIP E141 : Circuits Électriques et Électroniques Pr . A. BAGHDAD 48

CRjR

RH

1

11

1

2

→ Gain d’un amplificateur non inverseur :

→ Fréquence de coupure :

1

20 1

R

RAH

CRfC

2

1

C

j

HH

1

0Configuration n°2

ve vs

+

-

C R2

R1

R

Filtre à contre

réaction simple

eeCR

IIAOI

0

0

UN

IVER

SITE

HA

SSA

N II

CA

SAB

LAN

CA

– F

AC

ULT

E D

ES S

CIE

NC

ES E

T T

ECH

NIQ

UES

MO

HA

MM

EDIA

D

EUST

- M

IP –

MO

DU

LE :

E 1

41

– C

IRC

UIT

S É

LEC

TRIQ

UES

ET

ÉLE

CTR

ON

IQU

ES

PR

. A

. BA

GH

DA

D -

DEP

AR

TEM

ENT

GEN

IE E

LEC

TRIQ

UE

FSTM : DEUST - MIP E141 : Circuits Électriques et Électroniques Pr . A. BAGHDAD 49

CRj

CRj

R

RH

1

1

1

2

1→ Gain d’un amplificateur inverseur :

→ Fréquence de coupure si :

1

20

R

RH

CRfC

12

1

C

C

j

j

HH

10

Configuration n°1

2°) Filtre actif passe haut de 1er ordre

ve vs

+

-

C

R2

R1

Filtre à contre

réaction simple

eeCR

IIAOI

0

0

UN

IVER

SITE

HA

SSA

N II

CA

SAB

LAN

CA

– F

AC

ULT

E D

ES S

CIE

NC

ES E

T T

ECH

NIQ

UES

MO

HA

MM

EDIA

D

EUST

- M

IP –

MO

DU

LE :

E 1

41

– C

IRC

UIT

S É

LEC

TRIQ

UES

ET

ÉLE

CTR

ON

IQU

ES

PR

. A

. BA

GH

DA

D -

DEP

AR

TEM

ENT

GEN

IE E

LEC

TRIQ

UE

FSTM : DEUST - MIP E141 : Circuits Électriques et Électroniques Pr . A. BAGHDAD 50

CRj

CRj

R

RH

11

1

2

→ Gain d’un amplificateur non inverseur :

→ Fréquence de coupure :

1

20 1

R

RHA

CRfC

2

1

C

C

j

j

HH

10

Configuration n°2

ve vs

+

- C

R2

R1

R

Filtre à contre

réaction simple

eeCR

IIAOI

0

0

UN

IVER

SITE

HA

SSA

N II

CA

SAB

LAN

CA

– F

AC

ULT

E D

ES S

CIE

NC

ES E

T T

ECH

NIQ

UES

MO

HA

MM

EDIA

D

EUST

- M

IP –

MO

DU

LE :

E 1

41

– C

IRC

UIT

S É

LEC

TRIQ

UES

ET

ÉLE

CTR

ON

IQU

ES

PR

. A

. BA

GH

DA

D -

DEP

AR

TEM

ENT

GEN

IE E

LEC

TRIQ

UE

FSTM : DEUST - MIP E141 : Circuits Électriques et Électroniques Pr . A. BAGHDAD 51

UN

IVER

SITE

HA

SSA

N II

CA

SAB

LAN

CA

– F

AC

ULT

E D

ES S

CIE

NC

ES E

T T

ECH

NIQ

UES

MO

HA

MM

EDIA

D

EUST

- M

IP –

MO

DU

LE :

E 1

41

– C

IRC

UIT

S É

LEC

TRIQ

UES

ET

ÉLE

CTR

ON

IQU

ES

PR

. A

. BA

GH

DA

D -

DEP

AR

TEM

ENT

GEN

IE E

LEC

TRIQ

UE

FSTM : DEUST - MIP E141 : Circuits Électriques et Électroniques Pr . A. BAGHDAD 52

1°) Comparateurs simples de valeur relative

2°) Comparateurs simples de valeur absolue

3°) Comparateurs à seuils ou à hystéresis (ou triggers de Scmitt)

UN

IVER

SITE

HA

SSA

N II

CA

SAB

LAN

CA

– F

AC

ULT

E D

ES S

CIE

NC

ES E

T T

ECH

NIQ

UES

MO

HA

MM

EDIA

D

EUST

- M

IP –

MO

DU

LE :

E 1

41

– C

IRC

UIT

S É

LEC

TRIQ

UES

ET

ÉLE

CTR

ON

IQU

ES

PR

. A

. BA

GH

DA

D -

DEP

AR

TEM

ENT

GEN

IE E

LEC

TRIQ

UE

FSTM : DEUST - MIP E141 : Circuits Électriques et Électroniques Pr . A. BAGHDAD 53

On distingue deux types de montages comparateurs selon les positions respectives

de Ve(t) et VREF = E0 sur les entrées du comparateur.

Montages comparateurs simples de valeur relative

E0

Ve Vs

+

_

+ _ ~ Vs

+

_

+ _ ~

Comparateur

non inverseur

Comparateur

inverseur

AOI en BO AOI en BO

En permutant Ve(t) et V0, on obtient

E0 = 0 E0 > 0 E0 < 0

E0

Ve

1°) Comparateurs simples de valeur relative

Sortie

binaire

Sortie

binaire

UN

IVER

SITE

HA

SSA

N II

CA

SAB

LAN

CA

– F

AC

ULT

E D

ES S

CIE

NC

ES E

T T

ECH

NIQ

UES

MO

HA

MM

EDIA

D

EUST

- M

IP –

MO

DU

LE :

E 1

41

– C

IRC

UIT

S É

LEC

TRIQ

UES

ET

ÉLE

CTR

ON

IQU

ES

PR

. A

. BA

GH

DA

D -

DEP

AR

TEM

ENT

GEN

IE E

LEC

TRIQ

UE

FSTM : DEUST - MIP E141 : Circuits Électriques et Électroniques Pr . A. BAGHDAD 54

Montage comparateur simple non inverseur de valeur relative :

Montage n°1

Montage n°2

+

Montage n°3

+

Ve Vs

+

_

~ VREF = E0 = 0

E0

Ve Vs

+

_

+ _ ~

E0 > 0

E0

Ve Vs

_

+

_ ~

E0 < 0

+

UN

IVER

SITE

HA

SSA

N II

CA

SAB

LAN

CA

– F

AC

ULT

E D

ES S

CIE

NC

ES E

T T

ECH

NIQ

UES

MO

HA

MM

EDIA

D

EUST

- M

IP –

MO

DU

LE :

E 1

41

– C

IRC

UIT

S É

LEC

TRIQ

UES

ET

ÉLE

CTR

ON

IQU

ES

PR

. A

. BA

GH

DA

D -

DEP

AR

TEM

ENT

GEN

IE E

LEC

TRIQ

UE

FSTM : DEUST - MIP E141 : Circuits Électriques et Électroniques Pr . A. BAGHDAD 55

t

Vs

+ Vemax Ve

t

E0

- Vemax

+ Vsat

VVsVee

VVsVee

sate

sate

00

00

seuil

Montage n°1

tbasculemendeseuil

Ve

:0

00

Chronogrammes

- Vsat

Si Ve = E0 = 0 basculement

+

e-

Ve Vs

+

_ e+

~ VREF = E0 = 0 E0

Ve > 0

Ve < 0

UN

IVER

SITE

HA

SSA

N II

CA

SAB

LAN

CA

– F

AC

ULT

E D

ES S

CIE

NC

ES E

T T

ECH

NIQ

UES

MO

HA

MM

EDIA

D

EUST

- M

IP –

MO

DU

LE :

E 1

41

– C

IRC

UIT

S É

LEC

TRIQ

UES

ET

ÉLE

CTR

ON

IQU

ES

PR

. A

. BA

GH

DA

D -

DEP

AR

TEM

ENT

GEN

IE E

LEC

TRIQ

UE

FSTM : DEUST - MIP E141 : Circuits Électriques et Électroniques Pr . A. BAGHDAD 56

t

Vs

+ Vemax

Ve

t

E0

- Vemax

Ve > E0

Ve < E0

Si Ve = E0 basculement

VVsVVee

VVsVVee

sate

sate

0

0

0

0

seuil

tbasculemendeseuilV

VVe

:

0

0

0

Montage n°2

Chronogrammes

E0

Ve Vs

+

_

+ _ ~

E0 > 0

+ Vsat

- Vsat

UN

IVER

SITE

HA

SSA

N II

CA

SAB

LAN

CA

– F

AC

ULT

E D

ES S

CIE

NC

ES E

T T

ECH

NIQ

UES

MO

HA

MM

EDIA

D

EUST

- M

IP –

MO

DU

LE :

E 1

41

– C

IRC

UIT

S É

LEC

TRIQ

UES

ET

ÉLE

CTR

ON

IQU

ES

PR

. A

. BA

GH

DA

D -

DEP

AR

TEM

ENT

GEN

IE E

LEC

TRIQ

UE

FSTM : DEUST - MIP E141 : Circuits Électriques et Électroniques Pr . A. BAGHDAD 57

Fonctions de transfert des comparateurs simples non inverseurs

Vs

-Vsat

+Vsat

0

Ve

satse

satse

eREFe

VVEV

VVEV

EVVVee

0

0

0

0

0

Vs

-Vsat

+Vsat

0

Ve

00 EVREF

0 0

0 0

00 EVREF

+

e-

Ve Vs

+

_ e+

~ VREF = E0 = 0 E0 E0

Ve Vs

+

_

+ _ ~

E0 > 0

UN

IVER

SITE

HA

SSA

N II

CA

SAB

LAN

CA

– F

AC

ULT

E D

ES S

CIE

NC

ES E

T T

ECH

NIQ

UES

MO

HA

MM

EDIA

D

EUST

- M

IP –

MO

DU

LE :

E 1

41

– C

IRC

UIT

S É

LEC

TRIQ

UES

ET

ÉLE

CTR

ON

IQU

ES

PR

. A

. BA

GH

DA

D -

DEP

AR

TEM

ENT

GEN

IE E

LEC

TRIQ

UE

FSTM : DEUST - MIP E141 : Circuits Électriques et Électroniques Pr . A. BAGHDAD 58

On distingue deux types de montages comparateurs selon les positions respectives

de Ve(t) et VREF = E0 sur les entrées du comparateur.

Montages comparateurs simples de valeur absolue

E0 = 0 E0 > 0 E0 < 0

E0

Ve

Vs

+ _ +

_ ~

R1

R2

e-

e+

Comparateur

non inverseur AOI en BO

Sortie

binaire

E0

Ve

Vs

+

_

+ _ ~

R1

R2

e-

e+

Comparateur

inverseur AOI en BO

Sortie

binaire

2°) Comparateurs simples de valeur absolue

UN

IVER

SITE

HA

SSA

N II

CA

SAB

LAN

CA

– F

AC

ULT

E D

ES S

CIE

NC

ES E

T T

ECH

NIQ

UES

MO

HA

MM

EDIA

D

EUST

- M

IP –

MO

DU

LE :

E 1

41

– C

IRC

UIT

S É

LEC

TRIQ

UES

ET

ÉLE

CTR

ON

IQU

ES

PR

. A

. BA

GH

DA

D -

DEP

AR

TEM

ENT

GEN

IE E

LEC

TRIQ

UE

FSTM : DEUST - MIP E141 : Circuits Électriques et Électroniques Pr . A. BAGHDAD 59

Montage n°1

VREF = V0 = 0 E0

Ve

Vs

+ _

~

R1

R2

e-

e+

Montage n°2

V0 > 0 VE0

Ve

Vs

+ _ +

_ ~

R1

R2

e-

e+

V0 < 0

Montage n°3

E0

Ve

Vs

+ _

+

_ ~

R1

R2

e-

e+

Montage comparateur simple non inverseur de valeur absolue :

UN

IVER

SITE

HA

SSA

N II

CA

SAB

LAN

CA

– F

AC

ULT

E D

ES S

CIE

NC

ES E

T T

ECH

NIQ

UES

MO

HA

MM

EDIA

D

EUST

- M

IP –

MO

DU

LE :

E 1

41

– C

IRC

UIT

S É

LEC

TRIQ

UES

ET

ÉLE

CTR

ON

IQU

ES

PR

. A

. BA

GH

DA

D -

DEP

AR

TEM

ENT

GEN

IE E

LEC

TRIQ

UE

FSTM : DEUST - MIP E141 : Circuits Électriques et Électroniques Pr . A. BAGHDAD 60

Montage n°1

VREF = E0 = 0 E0

Ve

Vs

+ _

~

R1

R2

e-

e+

0:00

0:0

21

2

21

2

seuilee

e

VSeuilVRR

RV

eesitBasculemenRR

RVeete

seuileesatS

seuileesatS

VVVeesiVV

VVVeesiVV

0

0

0eVsitBasculemen 0seuilV

UN

IVER

SITE

HA

SSA

N II

CA

SAB

LAN

CA

– F

AC

ULT

E D

ES S

CIE

NC

ES E

T T

ECH

NIQ

UES

MO

HA

MM

EDIA

D

EUST

- M

IP –

MO

DU

LE :

E 1

41

– C

IRC

UIT

S É

LEC

TRIQ

UES

ET

ÉLE

CTR

ON

IQU

ES

PR

. A

. BA

GH

DA

D -

DEP

AR

TEM

ENT

GEN

IE E

LEC

TRIQ

UE

FSTM : DEUST - MIP E141 : Circuits Électriques et Électroniques Pr . A. BAGHDAD 61

Montage n°2

E0 > 0 E0

Ve

Vs

+ _ +

_ ~

R1

R2

e-

e+

0

2

10

2

1

21

2

21

10

21

2

21

10

:0

0:0

ER

RVSeuilE

R

RV

RR

RV

RR

RE

eesitBasculemenRR

RV

RR

REeete

seuilee

e

seuileesatS

seuileesatS

VER

RV

RR

RV

RR

REeesiVV

VER

RV

RR

RV

RR

REeesiVV

0

2

1

21

2

21

10

0

2

1

21

2

21

10

0

0

0

2

1 ER

RVsitBasculemen e

0seuilV

UN

IVER

SITE

HA

SSA

N II

CA

SAB

LAN

CA

– F

AC

ULT

E D

ES S

CIE

NC

ES E

T T

ECH

NIQ

UES

MO

HA

MM

EDIA

D

EUST

- M

IP –

MO

DU

LE :

E 1

41

– C

IRC

UIT

S É

LEC

TRIQ

UES

ET

ÉLE

CTR

ON

IQU

ES

PR

. A

. BA

GH

DA

D -

DEP

AR

TEM

ENT

GEN

IE E

LEC

TRIQ

UE

FSTM : DEUST - MIP E141 : Circuits Électriques et Électroniques Pr . A. BAGHDAD 62

+ Vemax

Ve

t

- Vemax

Ve >Vseuil

Ve < Vseuil

Si Ve = Vseuil basculement

Vseuil

t

Vs

0

2

1 VR

RVVsitBasculemen seuile

seuilesatS

seuilesatS

VVR

RVsiVV

VVR

RVsiVV

0

2

1

0

2

1

Chronogrammes

+ Vsat

- Vsat

UN

IVER

SITE

HA

SSA

N II

CA

SAB

LAN

CA

– F

AC

ULT

E D

ES S

CIE

NC

ES E

T T

ECH

NIQ

UES

MO

HA

MM

EDIA

D

EUST

- M

IP –

MO

DU

LE :

E 1

41

– C

IRC

UIT

S É

LEC

TRIQ

UES

ET

ÉLE

CTR

ON

IQU

ES

PR

. A

. BA

GH

DA

D -

DEP

AR

TEM

ENT

GEN

IE E

LEC

TRIQ

UE

FSTM : DEUST - MIP E141 : Circuits Électriques et Électroniques Pr . A. BAGHDAD 63

seuilesatS

seuilesatS

VER

RVsiVV

VER

RVsiVV

0

2

1

0

2

1

Vs

-Vsat

+Vsat

0seuilV

Ve > Vseuil

Ve < Vseuil

Ve

Fonction de transfert

0

2

1 ER

RVVsitBasculemen seuile

UN

IVER

SITE

HA

SSA

N II

CA

SAB

LAN

CA

– F

AC

ULT

E D

ES S

CIE

NC

ES E

T T

ECH

NIQ

UES

MO

HA

MM

EDIA

D

EUST

- M

IP –

MO

DU

LE :

E 1

41

– C

IRC

UIT

S É

LEC

TRIQ

UES

ET

ÉLE

CTR

ON

IQU

ES

PR

. A

. BA

GH

DA

D -

DEP

AR

TEM

ENT

GEN

IE E

LEC

TRIQ

UE

FSTM : DEUST - MIP E141 : Circuits Électriques et Électroniques Pr . A. BAGHDAD 64

3°) Comparateurs à seuils ou à hystérésis (Trigger de Schmitt)

e2

e1 Vs

+

_

+

_

R2

R1

~ e1

e2 Vs

+

_ + _

R2

R1

~

Dans le cas général, les entrées e1 et e2 du montage reçoivent d’une part le signal à

comparer ve(t) et d’autre part une tension de référence VREF = E0

Trigger

inverseur Trigger non

inverseur

UN

IVER

SITE

HA

SSA

N II

CA

SAB

LAN

CA

– F

AC

ULT

E D

ES S

CIE

NC

ES E

T T

ECH

NIQ

UES

MO

HA

MM

EDIA

D

EUST

- M

IP –

MO

DU

LE :

E 1

41

– C

IRC

UIT

S É

LEC

TRIQ

UES

ET

ÉLE

CTR

ON

IQU

ES

PR

. A

. BA

GH

DA

D -

DEP

AR

TEM

ENT

GEN

IE E

LEC

TRIQ

UE

FSTM : DEUST - MIP E141 : Circuits Électriques et Électroniques Pr . A. BAGHDAD 65

Montage comparateur à hystérésis non inverseur (Trigger non inverseur) :

E0

Vs

+

_

R2

R1

~

E0

Vs

+

_

+ _

R2

R1

~ E0

Vs

+

_

+

_

R2

R1

~

Montage n°1

VREF = E0 = 0

Montage n°2

E0 > 0

Montage n°3

E0 < 0

Ve

Ve Ve

UN

IVER

SITE

HA

SSA

N II

CA

SAB

LAN

CA

– F

AC

ULT

E D

ES S

CIE

NC

ES E

T T

ECH

NIQ

UES

MO

HA

MM

EDIA

D

EUST

- M

IP –

MO

DU

LE :

E 1

41

– C

IRC

UIT

S É

LEC

TRIQ

UES

ET

ÉLE

CTR

ON

IQU

ES

PR

. A

. BA

GH

DA

D -

DEP

AR

TEM

ENT

GEN

IE E

LEC

TRIQ

UE

FSTM : DEUST - MIP E141 : Circuits Électriques et Électroniques Pr . A. BAGHDAD 66

Montage n°1

VREF = E0 = 0 E0

Ve Vs

+

_

R2

R1

~

SatSSatBH

SeeS

es

VVcarVR

RVVseuilsLes

VR

RV

RR

RV

RR

RV

eesitBasculemenEeetRR

RV

RR

RVe

2

1/2/1

2

1

21

2

21

1

0

21

2

21

1

:

0

0

VH et VB (seuils de commutation de la sortie) sont les valeurs de la tension Ve qui

font changer la valeur de la sortie Vs

UN

IVER

SITE

HA

SSA

N II

CA

SAB

LAN

CA

– F

AC

ULT

E D

ES S

CIE

NC

ES E

T T

ECH

NIQ

UES

MO

HA

MM

EDIA

D

EUST

- M

IP –

MO

DU

LE :

E 1

41

– C

IRC

UIT

S É

LEC

TRIQ

UES

ET

ÉLE

CTR

ON

IQU

ES

PR

. A

. BA

GH

DA

D -

DEP

AR

TEM

ENT

GEN

IE E

LEC

TRIQ

UE

FSTM : DEUST - MIP E141 : Circuits Électriques et Électroniques Pr . A. BAGHDAD 67

SatBSatH

SeeS

es

VR

RVetV

R

RVseuilsLes

VR

RV

RR

RV

RR

RV

eesitBasculemeneetRR

RV

RR

RVe

2

1

2

1

2

1

21

2

21

1

21

2

21

1

:2

0

00

HeesatsatS

BeesatsatS

VVR

RV

RR

RV

RR

RVeealorsVVLorsque

VVR

RV

RR

RV

RR

RVeealorsVVLorsque

0

2

1

21

2

21

1

0

2

1

21

2

21

1

0

0

satSHe

satSBe

VVVVSi

VVVVSi

satSHe

satSBe

VVVVSi

VVVVSi

UN

IVER

SITE

HA

SSA

N II

CA

SAB

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CA

– F

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ULT

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ES S

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ES E

T T

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NIQ

UES

MO

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MM

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MO

DU

LE :

E 1

41

– C

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UIT

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LEC

TRIQ

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ET

ÉLE

CTR

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IQU

ES

PR

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. BA

GH

DA

D -

DEP

AR

TEM

ENT

GEN

IE E

LEC

TRIQ

UE

FSTM : DEUST - MIP E141 : Circuits Électriques et Électroniques Pr . A. BAGHDAD 68

BeHesatS

HeBesatS

VVetVVsiVV

VVetVVsiVV

Bsatsats

ème

Hsatsats

èr

VseuilVàVdepasseVcycle

VseuilVàVdepasseVcycle

::2

::1

Cycle d’hystérésis : Vs = f(Ve)

Vs

Ve VB VH

+ Vsat

- Vsat

UN

IVER

SITE

HA

SSA

N II

CA

SAB

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CA

– F

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ES S

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NC

ES E

T T

ECH

NIQ

UES

MO

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MM

EDIA

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EUST

- M

IP –

MO

DU

LE :

E 1

41

– C

IRC

UIT

S É

LEC

TRIQ

UES

ET

ÉLE

CTR

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IQU

ES

PR

. A

. BA

GH

DA

D -

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AR

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ENT

GEN

IE E

LEC

TRIQ

UE

FSTM : DEUST - MIP E141 : Circuits Électriques et Électroniques Pr . A. BAGHDAD 69

VH

VB

Ve

t

t

Vs

+Vsat

-Vsat

BeHesatS

HeBesatS

VVetVVsiVV

VVetVVsiVV

UN

IVER

SITE

HA

SSA

N II

CA

SAB

LAN

CA

– F

AC

ULT

E D

ES S

CIE

NC

ES E

T T

ECH

NIQ

UES

MO

HA

MM

EDIA

D

EUST

- M

IP –

MO

DU

LE :

E 1

41

– C

IRC

UIT

S É

LEC

TRIQ

UES

ET

ÉLE

CTR

ON

IQU

ES

PR

. A

. BA

GH

DA

D -

DEP

AR

TEM

ENT

GEN

IE E

LEC

TRIQ

UE

FSTM : DEUST - MIP E141 : Circuits Électriques et Électroniques Pr . A. BAGHDAD 70

Montage n°2

E0 > 0 E0

Ve Vs

+

_

+ _

R2

R1

~

SatBH

SeeS

es

VR

RE

R

RRVVseuilsLes

VR

RE

R

RRV

RR

RV

RR

RVE

eesitBasculemenEeetRR

RV

RR

RVe

2

10

1

21/2/1

2

10

1

21

21

2

21

10

0

21

2

21

1

:

VH et VB (seuils de commutation de la sortie) sont les valeurs de la tension Ve qui

font changer la valeur de la sortie Vs

UN

IVER

SITE

HA

SSA

N II

CA

SAB

LAN

CA

– F

AC

ULT

E D

ES S

CIE

NC

ES E

T T

ECH

NIQ

UES

MO

HA

MM

EDIA

D

EUST

- M

IP –

MO

DU

LE :

E 1

41

– C

IRC

UIT

S É

LEC

TRIQ

UES

ET

ÉLE

CTR

ON

IQU

ES

PR

. A

. BA

GH

DA

D -

DEP

AR

TEM

ENT

GEN

IE E

LEC

TRIQ

UE

FSTM : DEUST - MIP E141 : Circuits Électriques et Électroniques Pr . A. BAGHDAD 71

SatBSatH

SeeS

es

VR

RV

R

RRVetV

R

RV

R

RRVseuilsLes

VR

RV

R

RRV

RR

RV

RR

RVV

eesitBasculemenVeetRR

RV

RR

RVe

2

10

2

21

2

10

2

21

2

10

2

21

21

2

21

10

0

21

2

21

1

:

HsateesatsatS

BsateesatsatS

VVR

RV

R

RRVV

RR

RV

RR

RVeealorsVVLorsque

VVR

RV

R

RRVV

RR

RV

RR

RVeealorsVVLorsque

2

10

2

210

21

2

21

1

2

10

2

210

21

2

21

1

satSHe

satSBe

VVVVSi

VVVVSi

0 < V0 < Vsat

0HV 0BV

UN

IVER

SITE

HA

SSA

N II

CA

SAB

LAN

CA

– F

AC

ULT

E D

ES S

CIE

NC

ES E

T T

ECH

NIQ

UES

MO

HA

MM

EDIA

D

EUST

- M

IP –

MO

DU

LE :

E 1

41

– C

IRC

UIT

S É

LEC

TRIQ

UES

ET

ÉLE

CTR

ON

IQU

ES

PR

. A

. BA

GH

DA

D -

DEP

AR

TEM

ENT

GEN

IE E

LEC

TRIQ

UE

FSTM : DEUST - MIP E141 : Circuits Électriques et Électroniques Pr . A. BAGHDAD 72

satSBe

satSHe

VVVVSi

VVVVSi

Hsatsats

ème

Bsatsats

èr

VseuilVàVdepasseVcycle

VseuilVàVdepasseVcycle

::2

::1

Vs

Ve VB VH

+ Vsat

- Vsat

Cycle d’hystérésis : Vs = f(Ve)

BeHesatS

HeBesatS

VVetVVsiVV

VVetVVsiVV

UN

IVER

SITE

HA

SSA

N II

CA

SAB

LAN

CA

– F

AC

ULT

E D

ES S

CIE

NC

ES E

T T

ECH

NIQ

UES

MO

HA

MM

EDIA

D

EUST

- M

IP –

MO

DU

LE :

E 1

41

– C

IRC

UIT

S É

LEC

TRIQ

UES

ET

ÉLE

CTR

ON

IQU

ES

PR

. A

. BA

GH

DA

D -

DEP

AR

TEM

ENT

GEN

IE E

LEC

TRIQ

UE

FSTM : DEUST - MIP E141 : Circuits Électriques et Électroniques Pr . A. BAGHDAD 73

Fin du chapitre VIII

UN

IVER

SITE

HA

SSA

N II

CA

SAB

LAN

CA

– F

AC

ULT

E D

ES S

CIE

NC

ES E

T T

ECH

NIQ

UES

MO

HA

MM

EDIA

D

EUST

- M

IP –

MO

DU

LE :

E 1

41

– C

IRC

UIT

S É

LEC

TRIQ

UES

ET

ÉLE

CTR

ON

IQU

ES

PR

. A

. BA

GH

DA

D -

DEP

AR

TEM

ENT

GEN

IE E

LEC

TRIQ

UE

FSTM : DEUST - MIP E141 : Circuits Électriques et Électroniques Pr . A. BAGHDAD 74

Fin de l’exposé de cours

Module : E141

UN

IVER

SITE

HA

SSA

N II

CA

SAB

LAN

CA

– F

AC

ULT

E D

ES S

CIE

NC

ES E

T T

ECH

NIQ

UES

MO

HA

MM

EDIA

D

EUST

- M

IP –

MO

DU

LE :

E 1

41

– C

IRC

UIT

S É

LEC

TRIQ

UES

ET

ÉLE

CTR

ON

IQU

ES

PR

. A

. BA

GH

DA

D -

DEP

AR

TEM

ENT

GEN

IE E

LEC

TRIQ

UE