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Si
1. Nettoyage RCA Test hydrophobie
Si
2. Oxydation humide 6000-6500 angströms
SiO2
SiO2
Si
3. Photolithographie – Masque 1
SiO2
a - Dépôt résine photosensible positive
Résine Masque
b - Alignement du masque
SiO2
Si
3. Photolithographie – Masque 1
SiO2
Résine Masque
c - Insolation UV
Résine exposée UV
SiO2
Si
3. Photolithographie – Masque 1
SiO2
Résine Résine exposée UV
d - Développement résine – DEV > 0
Résine exposée UV
SiO2
Si
3. Photolithographie – Masque 1
SiO2
Résine
e - Gravure SiO2
Attention au risque de surgravure
SiO2
SiO2
Si
3. Photolithographie – Masque 1
Résine
f - Dé laquage - Remover
SiO2
Si
4. Dopage / Diffusion Bore
SiO2
B B B B B B B B B B B B B B
et décapage de l’oxyde de Bore ( HF )
Si dopé P
Si
SiO2
Si dopé P
5. Photolithographie – Masque 2 Ouverture de la grille
a - Dépôt résine photosensible positive
Résine Masque
b - Alignement du masque
Si
SiO2
Si dopé P
5. Photolithographie – Masque 2 Ouverture de la grille
Résine Masque
c - Insolation UV
d - Développement résine – DEV > 0
Si
SiO2
Si dopé P
5. Photolithographie – Masque 2 Ouverture de la grille
Résine
e - Gravure SiO2
Attention au risque de surgravure
Si
SiO2
Si dopé P
5. Photolithographie – Masque 2 Ouverture de la grille
Résine
Si
SiO2
Si dopé P
5. Photolithographie – Masque 2 Ouverture de la grille
f - Dé laquage - Remover
Nettoyage RCA
Si
SiO2
Si dopé P
6. Oxydation sèche Oxyde de grille – 900 à 1000 angströms
Si
SiO2
Si dopé P
Ouverture des contacts
7. Photolithographie – Masque 3
a - Dépôt résine photosensible positive
Résine Masque
b - Alignement du masque
Si
SiO2
Si dopé P
Ouverture des contacts
7. Photolithographie – Masque 3
Résine Masque
c - Insolation UV
d - Développement résine – DEV > 0
Si
SiO2
Si dopé P
Ouverture des contacts
7. Photolithographie – Masque 3
Résine
e - Gravure SiO2
Attention au risque de surgravure
f - Dé laquage - Remover
Si
SiO2
Si dopé P
Ouverture des contacts
7. Photolithographie – Masque 3
Résine
Si
SiO2
Si dopé P
8. Dépôt Aluminium
Aluminium
SiO2
Si
SiO2
Si dopé P
8. Photolithographie - Masque 4
Aluminium
Isolation des contacts d’aluminium
a - Dépôt résine photosensible positive
b - Alignement du masque
Résine
SiO2
Si
SiO2
Si dopé P
8. Photolithographie - Masque 4
Aluminium
Isolation des contacts d’aluminium
Résine
c - Insolation UV
SiO2
Si
SiO2
Si dopé P
8. Photolithographie - Masque 4
Aluminium
Isolation des contacts d’aluminium
Résine
d - Développement résine – DEV > 0
e - Gravure Aluminium
SiO2
Si
SiO2
Si dopé P
8. Photolithographie - Masque 4
Aluminium
Isolation des contacts d’aluminium
Résine
f - Dé laquage - RemoverRecuit aluminium
FIN
SiO2
S GD
PMOS
SiO2
Si
Résine
Résine exposée UV
Aluminium
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