mise en situation on désire protéger une habitation contre les effractions. pose dune alarme avec...

Mise en situation• On désire protéger une

habitation contre les effractions.

•Pose d’une alarme avec sirène.

Étude fonctionnelle :

DétectionTemporisation

+ commande de déclenchement

Signalisation sonore

Signaler

une présence en déclenchant une sirène

Électronique de gestion

Un détecteur de présence Le cœur de L’alarme Une puissante sirène

PROBLEME : Faible puissance Forte puissance

Impossible de relier directement la sirène !

Étude matérielle

Électronique de gestion

Solution :

Utilisation d’un transistor en commutation

RbT

T : Transistor de commande de la sirène (ref : 2N3055)

Rb: Résistance de limitation du courant de base

Vs: Tension de sortie fournie par les circuits de gestion

Vs

Électronique de gestionRb

T

Constat de fonctionnement

Électronique de gestionRb

T

Analyse et validation de notre structure.

Au repos

Rb

T

Vs = 0 v

Ib = 0bloqué

Ic = 0

Le circuit est ouvert

La sirène est muette

Rb

T

Détection :

Vs = 5v

saturé

Un courant circule dans la base

IbIc

Le transistor est saturé.

Le circuit d’alimentation de la sirène est fermé.

La sirène est alimentée.

Rb

T

Vs = 0v

Repos:Détection :

Vs = 5v

IbIc

est bloquéest saturé

Revoyons ça …

BASE

COLLECTEUR

ÉMETTEUR

Caractéristiques du transistor

Brochage :

Caractéristiques du transistor

Courant de saturation:

IC

IB

IC sat = UALIM

Rc

IC sat

Si IB augmente

IC n’augmente plus

VCE = 0 v

Rb

TUe

Rc UALIM

ICIB

VCE

=

Zone linéaire non utilisée en commutation

Saturation

Caractéristiques du transistor

Tension Collecteur-Emetteur:

Rb

TUe

Rc UALIM

ICIB

VCE

VCE = UALIM – RC.IC

VCE

Ic

UALIM

Si IC = 0 , VCE = UALIM

Bloqué

Saturé

Zone linéaire non utilisé en commutation

Si IC = ICsat , VCE = 0 v

RbT

Ue

Rc UALIM

IB

Courant de base:

Caractéristiques du transistor

VBE

IB =Ue - VBE

Rb

( VBE = 0,7 v )

Faire varier IB

Rb

Ue

Rc

UALIMIC

IB

VCE

Ic

VCEIC

IB

IB = 0 : Transistor bloqué

Faire varier IB

Rb

Ue

Rc

UALIMIC

IB

VCE

Ic

VCEIC

IB

Zone linéaire non utilisée en commutation

Faire varier IB

Rb

Ue

Rc

UALIMIC

IB

VCE

Ic

VCEIC

IB

Zone linéaire non utilisée en commutation

Faire varier IB

Rb

Ue

Rc

UALIMIC

IB

VCE

Ic

VCEIC

IB

Zone linéaire non utilisée en commutation

Faire varier IB

Rb

Ue

Rc

UALIMIC

IB

VCE

Ic

VCEIC

IB

Zone linéaire non utilisée en commutation

Faire varier IB

Rb

Ue

Rc

UALIMIC

IB

VCE

Ic

VCEIC

IB

IB = 0 : Transistor bloqué

Faire varier IB

Rb

Ue

Rc

UALIMIC

IB

VCE

Ic

VCEIC

IB

IB = 0 : Transistor bloqué

Faire varier IB

Rb

Ue

Rc

UALIMIC

IB

VCE

Ic

VCEIC

IB

IB = 0 : Transistor bloqué

Aide au dépannage

Électronique de gestionRb

T

La sirène ne se déclenche jamais

La sirène sonne en permanenceFIN

RbT

On isole une partie de la structure :

La sirène ne sonne plus électronique de gestion défectueuse

La sirène sonne toujours

Aide au dépannage

Le transistor est défectueux:

il est en court-circuit entre collecteur et émetteur

On peut le vérifier à l’aide d’un ohm-mètre

Aide au dépannage

Résistance quasiment nulle !

Aide au dépannage

La sirène fonctionne

On branche la sirène en direct :

Pas de son la sirène est défectueuse

RbT

On isole une partie de la structure,

et on applique 5 v en entrées:

La sirène sonne électronique de gestion défectueuse

La sirène ne sonne toujours pas

Aide au dépannage

5 v

VBE = 0 v la résistance Rb doit être coupée

VBE = 0,7 v le transistor est coupé, il est défectueux

Aide au dépannage

RbT

5 v

On mesure VBE

VBE